Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ИДЗ / ИДЗ7_ФОИИ

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
17.04.2024
Размер:
73.34 Кб
Скачать

Министерство НАУКИ И ВЫСШЕГО образования Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский Томский политехнический Университет»

Инженерная школа новых

производственных технологий

Отделение материаловедения

Направление 12.03.02 «Оптотехника»

ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ № 7

Вариант 6

по дисциплине:

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЙ

Исполнитель:

студент группы

4В01

Деньгуб А.Р.

Руководитель:

преподаватель

Штанько В. Ф.

Томск - 2023

Задание

1. Найти положение уровня Ферми и температурную зависимость концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике при изменении температуры в интервале 0-300 K. Построить графики.

2. Рассчитать и построить зависимость концентрации электронов в том же интервале температур если Eg(T)=Eg(0) - ξT, Nd=5·1018 см-3, Nc≈2,5·1019 см-3, Nv=2,3 Nc

Решение

1) Найти положение уровня Ферми и температурную зависимость концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике при изменении температуры в интервале 0-300 K. Построить графики.

Данные для расчета:

Вариант

Е g (0)

m p * / m n *

m n *

 E d

6

2,2

1,6

2,5

0,45

0,015

по условию, следовательно, .

n

Т

8,54E-151

30

2,01E-66

60

3,47E-38

90

5,18E-24

120

1,79E-15

150

9,24E-10

180

1,15E-05

210

1,40E-02

240

3,58E+00

270

3,07E+02

300

Рис. 1. Зависимость концентрации от температуры

2) Рассчитать и построить зависимость концентрации электронов в том же интервале температур если Eg(T)=Eg(0) - ξT, Nd=5·1018 см-3, Nc≈2,5·1019 см-3, Nv=2,3 Nc

С учетом введенных изменений концентрация зависит от температуры следующим образом:

n

Т

3,81E-146

30

8,99E-62

60

1,56E-33

90

2,32E-19

120

8,01E-11

150

4,14E-05

180

5,18E-01

210

6,28E+02

240

1,61E+05

270

1,38E+07

300

Рис. 2. Зависимость концентрации от температуры с измененными условиями

Вывод: определили положение уровня Ферми и построили зависимость концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике при изменении температуры в заданном промежутке. Видим, что при изменении условий задания приращение концентрации при увеличении температуры происходит с большей скоростью.

Соседние файлы в папке ИДЗ