Пипииэ. Цалков Никита

38. Снятие фоторезиста. Удаление защитной маски фоторезиста после создания в пленке оксида рисунка требуемой конфигурации. Производится на установке химической обработки в травителе Н2S04 + NН4NО3 (10:1) последовательно в двух ваннах: t1=7 мин, t2=5 мин, с последующей промывкой деионизованной водой в трехкаскадной ванне t3=3 мин в каждом отсеке. Дополнительная отмывка 2 мин. Сушка 3 мин при скорости центрифуги 1000 об/мин.[3]

39. Контроль пластин после фотолитографии осуществляется под микроскопом МИИ-4 в светлом поле микроскопа при ув.250*. Не допускается более 18 дефектов. Из них не должно быть пятен, подтеков, остатков проявителя.

Кроме того, контролируется качество травления SiO2 во вскрытых окнах. Не должно быть проколов и растравов SiO2. Линейные размеры измеряются на соответствие КД и заносятся в память ЭВМ.

40. Химическая обработка пластин (см. п. 2).

41. Контроль качества химической обработки. Допускается не более 8 дефектов по диаметру пластины, проходящему перпендикулярно базовому срезу. На трех пластинах при ув.250*на микроскопе ММУ-3.

42. Высокотемпературная обработка с окислением перед легированием сурьмой. Загрузка не более 100 пластин.

43. Ионное легирование сурьмой. Предназначено для формирования скрытого n+- слоя. Имплантация осуществляется на установке "Везувий-5", источник примеси - металлическая Sb.

44. Контроль качества химобработки(см. п. 10).

45. Высокотемпературная обработка для разгонки примеси в скрытом n+-слое. Загрузка не более 100 пластин.

R=30 Oм/□, h=2,4 мкм.

46. Снятие SiО2. Осуществляется в травителе HF+H2O+ HN4F в течение трех мин на установке хим. обработки пластин.

47. Химическая обработка (см. п. 2)).

48. Контроль качества химической обработки (см. п. 10).

49. Высокотемпературная обработка для формирования слоя SiO2. Загрузка не более 100 пластин.

50. Контроль ВАХ. Проводится на измерителе характеристик п/п приборов Л 2-56. Должно быть UКЭпроб > б В на уровне тока Iкэ=0,1мА, коэф. усиления h21Э=90...350 в трех точках на пластине.

51. Химобработка перед напылением слоя Аl-V. Осуществляется на линии "Лада-1". При Т=75°С (10 мин) в перекисно-аммиачном растворе с последующей промывкой в 3-х каскадной ванне до 6,0 М0м*см. Затем обработка в растворе НF:НNО3:Н2O (1:1:20) с последующей промывкой в каскадной ванне до 6,0 М0м*см.

52. Контроль химобработки. См. п.4.

53. Напыление слоя Al. Операция служит для формирования 1-го уровня токопроводящих систем. Проводится на установке вакуумного напыления УВН-71Р-2 методом электронно-лучевого испарения.

Режимы напыления:

- давление в камере 5х10-6 мм рт.ст.;

- ускоряющее напряжение 6 кВ;

- ток эмиссии 0,250 А;

- температура подложки перед напылением: (Аl,) - 300°С;

- температура подложки при напылении: Аl-150°С, V-200°С;

- толщина пленки: Аl - 0,3 мкм,

54. Контроль напыления Аl. Осуществляется на микроскопах МИИ-4, ММУ-3 (ув.>87*), МБС-1. Не допускаются вспучивания, шелушения, отслоения пленки, молочный, серый цвет пленки. Адгезия проверяется методом царапания иглой по пленке металла. Кромки царапины должны быть наклонными и повторять форму иглы. Диоксид кремния не должен просматриваться по всей длине царапины.

55. Термообработка пластин. Проводится с целью улучшения адгезии фоторезиста к металлу на установке инфракрасной сушки УИС-1 при Т=125°С в течение 5 мин.

56. Фотолитография по 1-му металлу. Используется фоторезист ФП-383, толщина пленки фоторезиста 1,5 мкм, остальное см. п.7.

57. Травление пленок металла (Аl).

Ванадий травят в растворе перекиси водорода 30 с:

- промывка в трехкаскадной ванне по 30 с в каждой ванне каскада;

- сушка в центрифуге 5 мин при 1000 об/мин.

Аl травят 4 мин при Т=З5°С в растворе HNО3:СН3СООН:Н3Р04 (1:5:25):

- промывка в трехкаскадной ванне до 2 М0м*см;

- сушка в центрифуге 5 мин при 1000 об/мин;

- контроль качества травления и линейных размеров.

Операция проводится на установке ультразвуковой отмывки 084УВ-0,008-002 и установке отмывки и сушки 084ПВС 0/1500-004.

58. Снятие фоторезиста. Используются установка промывки и сушки пластин и автомат гидромеханической отмывки. Операция проводится в несколько этапов:

- обработка в холодном диметилформамиде 7 мин;

- обработка в кипящем диметилформамиде 15 мин;

- обработка в холодном диметилформамиде 3 мин;

- промывка в деионизованной воде до 4 М0м*см;

- отмывка в центрифуге 2 мин при 700 об/мин;

- гидромеханическая отмывка в 0,05%-ом ра-ре синтанола и сушка.

59. Контроль пластин после фотолитографии. См п.10.

60. Химобработка в органических растворителях. Проводится на линии "Лада-1". Сначала пластины выдерживаются 7 мин в кипящем диметилформамиде, затем промываются водой из распылителя и в трехкаскадной ванне не менее 3 мин.

62. Контроль химобработки. См. п.4.

63. Контроль ВАХ. Допускаемые параметры: Iут<10 мкА при напряжении 500 мB; Rр+ резистора =150 Ом при токе 1 мА. Измерения проводятся в трех точках каждой пластины.

64. Гидромеханическая отмывка пластин. Производится на автомате гидромеханической отмывки в режимах:

Очистка - 20 с, скорость 1000 об/мин;

Промывка I - 10 с, скорость 1000 об/мин;

Промывка II - 15 с, скорость 1000 об/мин;

Сушка - 10 с, скорость 5000 об/мин.

65. Контроль пластин после фотолитографии под микроскопом ММУ-3 (100%).

-. Не допускается более одного островка SiO2 размером до 5 мкм на контактных площадках во вскрытых областях;

-. Не допускается отсутствие пассивации одновременно на двух или более соседних металлизированных областях.

66. Разбраковка по электрическому функционированию осуществляется на комплексе функционального контроля. Для маркировки используется магнитная краска.

67. Контроль внешнего вида кристаллов после контроля функционирования.

Список используемой литературы

1. Климачев И. И., Иовдальский И. И. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования. М.: Техносфера, 2006.

2. Семенов Э. А. и др. Способ, конструкция и клеевая композиция для получения герметичного соединения корпуса и крышки электронного модуля. А. с. 2469063 RU. Опубл. 10.12.2012. Бюллетень № 34.

3. Соневицкий А. С., Жуков В. С. Способы герметизации крупногабаритных корпусов СВЧ-модулей // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2019. № 4.

4. Дворянчиков В. Г., Шапошников О. А. Устройство для пайки. А. с. СССР 1263460. Опубл. 15.10.86. Бюллетень № 38.

5. Ланин В. Л., Емельянов В. А. Электромонтажные соединения в электронике. Технология, оборудование, контроль качества. Минск: Интегралполиграф, 2013.

6. Ланин В.Л., Грищенко Ю.Н. Герметизация пайкой корпусов микроблоков из диамагнитных сплавов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2018. № 3.