книги / Микроэлектроника толстых пленок

254 ГЛ А ВА 9

которые можно смонтировать в одном корпусе, огра­ ничено количеством чипов, которые можно с помощью эвтектики прикрепить к одной подложке, и количеством проволочных соединений, необходимых для присоедине­ ния чипа к подложке. К одной подложке без каких-либо серьезных технических трудностей можно прикрепить всего 6—8 чипов. Это ограничение связано с тем, что температура подложки должна поддерживаться пример­ но на том уровне, который требуется для металлизации эвтектикой золото — кремний, т. е. 377 °С. Поддержание такой температуры в течение длительного времени мо­ жет повлиять на электрические характеристики схемы, вызвать смещение чипов интегральных схем и ослабить связующие свойства окружающей их металлизации, Этих трудностей можно избежать, если для крепления кремниевых интегральных схем к подложке использо­ вать эпоксидные материалы.

Другой важной проблемой является количество про­ волочных соединений между чипами интегральных схем и толстопленочной подложкой. Если среднее число вы­ водов, которые должны быть соединены с интегральной схемой, равно 10, то для межсоединений многочиповой матрицы вполне может потребоваться 150 проволочек. Только тщательный контроль и уход за оборудованием, с помощью которого выполняются эти соединения, по­ зволят добиться хороших результатов. Одно из решений этой проблемы — соединение с помощью балочных вы­ водов или перевернутых чипов, когда все соединения можно сделать за одну операцию сборки.

Еще одной задачей является качество запайки боль­ ших корпусов многокристальных матриц, которые обыч­ но представляют собой плоские корпуса размером 1,5 X X 1,5 или 2,5 X 2,5 см. При герметизации таких корпусов особенно трудно добиться высокого выхода продукции, Это серьезная проблема, так как на изготовление чипов интегральных схем, объединяемых в один корпус, уже затрачены большие средства.-Ее можно решить только улучшением конструкции корпуса или использованием герметически запаянных чипов, исключающих необходи­ мость в герметически запаянном корпусе.

Г Е Р М Е Т И ЗИ Р О В А Н Н Ы Е ТОЛСТО П ЛЕН О ЧН Ы Е ГИ Б РИ Д Н . СХЕМЫ 259

описанной выше. Для выполнения функций согласования с биполярной электрической схемой в тот же корпус включены необходимые транзисторы и резисторы. Готовая схема представляет собой декодирующее уст­

баритах и повышает надежность.

На фиг. 9.18 показана схема позиционного анализа­ тора ошибок, состоящая из интегральных схем, рези­ сторов, емкостей, диодов и транзисторов. На фиг. 9.19 изображена схема ввода информации, состоящая из ин­ тегральных схем, резисторов и емкостей. Эти примеры показывают, что гибридные схемы можно использовать для изготовления экономичных и надежных схем, состоя­ щих из огромного множества элементов.

ЛИ ТЕРАТУРА

1.FENSTER Н., McHALE Р. Е., Fabrication of L. S. H. J. Circuits by Thick-Film Techniques, 1968 Hybrid Microelectronics Symposium.

2.WANG С. H., Fine Line Technologies For Microelectronic Devices, Proc. Electronic Components Conf. 1970.

3.TOPFER M. L., DANIS A. H., HEUNER R. C., A Universal Multi­ layer Hybrid Array, NEPCON, 1968.

4.TOPFER M. L., Applications of Thick-Films To Microelectronics, 1969 IEEE International Convention Digest.

Оглавление