Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги / Силовые полупроводниковые приборы

..pdf

Скачиваний:

Добавлен:

12.11.2023

Размер:

20.44 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 3031 / 4131 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 > Следующая >>>

0,3

0,7

0,5

			1— Чэ
О	0,2 0,4- 0,6 (ttuj,/dt)criA#	О	■_
			0,2 0,¥ 0,6(duB/d t)Cn t *

Рис. 13.62. Зависимости	времени выключения tq, от скорости нарастания
напряжения в закрытом	состоянии	(duo/dl)cn,, при Г, = Tjm, UR = 100 В,
1т=1тАУпъ dijjdt = -		1 0 А/мкс,	С/д = 0,67 UDRM
а —ТБ2-160, ТБЗ-200, б -			ТБ320, ТБ400

Рис. 13.63. Зависимости критической скорости нарастания напряжения в

закрытом состоянии (rfi/д /dt)cn,	от амплитуды напряжения в закрытом со
стоянии С/ддд/, при Т1 ~ Т]Ш дли групп 3-6		по ((Л/д/dt)cm
а —ТБ2-160,	ТБЗ-200, б - ТБ320,	ТБ400

и12 м/с (3)

а—ТБ2-160, ТБЗ-200 (охладитель ОА-40), б - ТБ320, ТБ400 (охладитель

0343-150)

301

			Рис. 13.65. Зависимости заряда обратного вос
			становления	Q rr	от скорости		спада	тока в
			открытом	состоянии		- d ijjd t	при	Т, — Т,т,
					UR ~ 100 В:
			я - ТБ2-160, 6 - ТБЗ-200
			Группа по	tq . . . .		5	6	7
			Коэффициент умноже
			ния ...............................			1,0	0,43	0,25
		в - ТБ320; г - ТБ4О0
	Группа	по I	, ..........................		5	6
	Коэффициент		умножения	. .	1,0	0,48
	1 - 1Т = 0,5	Iта Ут» 2 - !Т= >TAVm< 3 ~ fT~ 2					A Vm
tr r	Г—1—1	6Г£^МКС
tr r	АН	6Г£^МКС
в'ц	гт.	8'
7	\| t ~ L	7
7	ss i R1-d U /d t	еу
	ss i R1-d U /d t	еу	f )
			f )
7 10 ZO -d irMt,A/Mt<c		10'го - d iT/cC t,A /m c				10 20-oLiT/cL i,A /m c
	■—i— !—
	I K

7 • г )

> -

10 20- d i7/cLi,A/mc

Рис. 13.66. Зависимости времени обратного вос становления !„ от скорости спада тока в

открытом состоянии	—di-p/dl при Tj = TJm,
U R = 100	В, 1т = 1ТА У т -
■ТБ2-160, б - ТБЗ-200

Группа	по tq . . • .		5	6	7
Коэффициент		умноже	1,0	0,57	0,37
ния ...............................			1,0	0,57	0,37
	в - ТБ320, г - ТБ400
Группа	по tq	...............................		5	6
Коэффициент		умножения . .		1,0	0,6

302

Рис. 13.67. Зависимости допустимой амплитуды импульсов тока			от	дли
тельности tp и частоты при UD = 0,67 UDRM, U R = 0,67			U R R M :
Tc = 40°C: a —ТБ2-160; б -Т Б З -200,	в -	ТБ320; г - ТБ400; 7’с = 70°С,		д -
ТБ2-160,	е -	ТБЗ-200;

303

* е 80,1

ч tp,MC

ч в 8 0,1

ч в tp,мс

8 0,1

ч tp,Mc

е 8 0,1

в ip,мс

ж —ТБ320;

Рис. 13.67. Продолжение:

ТБ320;

3 -Т Б 4 0 0 ; 7’<?= 90°С;

« -Т Б 2-160,

к - ТБЗ-200; л -

м -

ТБ400;

1 - 630 Гц;

2 -1 0 0 0

Гц;

3 -

1600

Гц,

4 - 2500

Гц;

3 -

4000

Гц;

6 -

6300 Гц;

7 - 10000

Гц

■^тмИ

Рис. 13.68. Зависимости допустимой амплитуды импульсов тока l j д/ от длительности

tp при	температуре охлаждающей среды				40	°С,	UD = 0,67	UDRM,	UR =
	= 0,67	£/ддд/,	скорости охлаждающего воздуха 6 м/с:
а —ТБ2-160 и б — ТБЗ-200 (охладитель ОА-040);						в —ТБ320 и г —ТБ400 (охла
дитель	0343-150),	I - 630	Гц;	2 -1 0 0 0 Гц; 3		-1600 Гц; 4 -		2500 Гц;	5 -
		4000	Гц; 6	- 6300 Гц;	7 -	10000	Гц

Р А З Д Е Л 14

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ

14.1. ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ТИПОВ ТС161-160, ТС161-200, ТС171-250, ТС171-320

Симметричные тиристоры типов ТС161-160, ТС161-200, ТС171-250, ТС171-320 (ТУ 16-729.106-81) предназначены для примене ния в электротехнических и радиоэлектронных устройствах общего на значения в цепях постоянного и переменного тока.

Симметричные тиристоры допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1 —100 Гц с ускорением 49 м/с2 и много кратных ударов длительностью 2 —15 мс с ускорением 147 м/с2.

Отличительной особенностью симметричных тиристоров является способность к управлению в I и II квадрантах (рис. 14.1).

Рис. 14.1. Квадранты управляемости симметричных тиристоров: U\f - основное напряжение; UQ - напряжение управления

Тиристоры изготовляются в штыревом исполнении.

Предельно допустимые значения параметров симметричных тири сторов приведены в табл. 14.1, характеризующие параметры —в табл. 14.2, типы рекомендуемых охладителей и нагрузочная способность симметричных тиристоров —в табл. 14.3, зависимости параметров от различных условий —на рис. 14.3 —14.12, габаритные и присоедини тельные размеры —на рис. 14.2.

306

Рис. 14.2. Габаритные и установочные размеры симметричных тиристоров ТС161-160, ТС161-200, ТС171-250, TCI71-320, мм

Размер	ТС161-160,	ТС171-250,	Размер	ТС161-160,	ТС171-250,
Размер	ТС161-200	ТС171-320	Размер	ТС161-200	ТС 171-320
D	035,5	045,5	о.	200 ± 15	250 ± 10
Е	32	41	о 2	215 + 10	265 + 10
I	85	ПО	Г,	0Ю ,5+0.43	010,5 +0.43
М х	20	24	W	М20х 1,5	М24х 1,5
N ± 1	16	19

Рис. 14.3. Предельные характеристики открытого состояния симметричных тиристоров при Т,— 25 °С (/) и Т} = Т,т (2).

а —ТС16Ы60; 6-ТС161-200; Я-ТС171-250; г-ТС171-320

^TSM,KA

3,0

г,г

1,8

1 Z	О - В 5 * £ ,мс

Рнс. 14.4. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося тока в открытом

состоянии	IJ S M	от	длительности		импульса /;
при	Tj = 25 °С		(1) и Tj =	Tjm	(2):
а - ТС161-160;		б - ТС161-200;		в -	ТС171-250,
		г —ТС171-320

307

Рис. 14.5.	Зависимости допустимой	ачп штуди
ударного	иеповторяющсг ося тока в	открытом
состоянии	IjSM от длительности	перегрузки

I при Г = 2 5 “С (/) и Tf = Tjm (2)

Я-ТС161-160, б —ТС161-200, в —ТС171-250, г - ТС171-320

Рис. 14.6. Предельно допустимые		характеристики		управляющего электрода
	для всех типов симметричных		тиристоров § 14.1
Кривая	Скважность	Длительность		им	Мощность
Кривая	Скважность	пульса	управления		Мощность
		IQ, мс			T’cw. Bl
1	1	Постоянный		ток	1,5
2	2		10		3 0
3	20		1,0		25
4	50		0,4		40
5	200		0,1		200
б	400		0,05		400

Рис. 14.7. Типичные зависимости отпирающего тока управления /;./. от дли тельности импульса управления при TJ = Tjm (1), 7) = 25°С (2), 7, = Т]тт (3 ), Уд = 12 В для всех типов симметричных тиристоров § 14.1

308

Рис. 14.8. Зависимости времени задержки tgj* (1) и времени вклю чения (2) от амтитуды управляюще! о импульса IfGM ПРИ Tj = 25 °С, Uо = 100 В, 1Т =

— ^TRMSnu fG > 50 MK<N длительности фронта управляющего им

пульса 1 мкс для всех типов симметричных тиристоров § 14.1

			~trr*	V IT h z .	A
1,25			1,25		/con1 #
			1,0 -
1,0	/ h			Jjr -d iT/oit
			-0,15
0,75	h	-dij/dt
0,5			0,5
	i			1,2-diT/di,A/mc	0 0,025 0,05-diT/dt,A/»Kc
0	0,4- 0,8-diT/dt,A/m c 0,4 0,8

Рис. 14.9. Зависимость заряда обратного восстановления Qrrt от скорости спада тока в открытом состоянии — diT!dt при 7}= Tjm, / т = IrRMSm Для всех типов симметричных тиристоров § 14.1

Рис.	14.10.	Зависимость	времени обратного	восстановления		!п , от скорости
спада	тока	в открытом	состоянии — d i j / d t	при Т, =	Tjm,	IT — I T R M S /п д л я
		всех типов симметричных тиристоров			§ 14.1

Рис. 14.11.	Зависимость	критической		скорости	нарастания коммутационного
напряжения	(duo/dt)c0m,	от	скорости	спада	тока в	открытом	состоянии
—d ijjd t	при Т/ — Т,т для		всех типов симметричных			тиристоров §	14.1


Рис. 14.12. Переходные тепловые		сопротивления		переход-корпус	Z^th,t]c	(J)
и переход - среда Z(,/,)I;a	при скоростях		охлаждающего воздуха		0 м/с	(1),
3 м/с (2), 6		м/с (3) и 12 м/с		(4)
а —ТС161-160, ТС161-200	(охладитель		0171-80),	6-ТС171-200,	ТС171-250'
	(охладитель 0181-110)

309

Таб пша

141

Предельно

допустимые

значения

параметров

симметричных

тиристоров

Параметр

чо

1Г>

Г'

Повторяющееся импульсное напряжение в за

2001200

крытом

состоянии

В (диапазон

темпера

тур от

Tjmm

до

TJm, импульсы напряжения

од-

нополупериодные

синусоидальные,

t= 1 0

мс,

/ =

50 Гц,

цепь

управления

разомкнута)

Максимально

допустимый

действующий

ток

160

2 0 0

250

320

открытом

состоянии

lTR.MSm>

А(Гс = 85°С,

при двусторонней проводимости, угол проводи

мости Р =

180°, / =

50 Гц)

3,6

Ударный

неповторяющийся

ток

открытом

2 , 0

2 , 2

3,3

состоянии

IJ S M > КА (ток

синусоидальный,

оди

ночный импульс (, = 2 0 мс,

Ujf = 0 , режим в цепи

управления

длительность фронта импульса 1 мкс,

Ux = 10

В,

внутреннее

сопротивление

источника

управления

5 ± 1

Ом,

tg > 50

мкс,

7} = 25 °С)

То же

прн

Tj = Tjm

1 , 8

2 , 0

6,3

3,0

3,3

Критическая скорость

нарастания

тока

в от

крытом

состоянии

(diTjdt)cnt,

А/мкс (Т

= Tjm,

U D = °>67 L'D RM- h

~ 2

lTRMSm> f — 1

~ 5 Гц, дли

тельность

воздействия

1 0 с,

параметры

источ

ника управления, как для 1-psM)

См

рис

14 6

Средняя мощность потерь на управляющем

электроде P GA V , Вт (7} =

Tjm)

Температура перехода,

”С

125

максимально допустимая Tjm

минимально допустимая

TJmln

-6 0

Температура хранения,

°С

максимально допустимая

Tstgm

минимально допустимая

T3lgmm

-6 0

Крутящий

момент, Н

50 ± 5

60 ± 5

Таблица

14 2

Характеризующие параметры симметричных тиристоров

	Параметр		-160
			ТС161
Импульсное напряжение в открытом состоянии			1,75
В. нс	более (7} = 25 “С, 1т =	1,41 fTRSMm)
Пороговое	напряжение Uf(TO)y	не бопее	1 , 2

<Tj = Tjm)

I I3 9 M 0 0

1 , 6

1 , 0

TCI71-250	TCI 71-320
\|
1,7	1 5
1 , 0	0 , 8

3 1 0

<<< < Предыдущая 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 3031 / 4131 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги

#
12.11.202315.52 Mб1Сетевой информационный поиск..pdf
#
12.11.20234.89 Mб2Сети передачи данных..pdf
#
12.11.202312.97 Mб7Сигналы и устройства ближней радиолокации. Автодины.pdf
#
12.11.20236.44 Mб6Силикатные и полимерсиликатные композиты каркасной структуры роликового формирования..pdf
#
12.11.202320.4 Mб0Силовые зубчатые трансмиссии угольных комбайнов Теория и проектирование..pdf
#
12.11.202320.44 Mб9Силовые полупроводниковые приборы..pdf
#
12.11.20234.12 Mб2Силы инерции в задачах биомеханики..pdf
#
12.11.202315.26 Mб6Симметрия в химии..pdf
#
12.11.202316.89 Mб8Синергетика и усталостное разрушение металлов..pdf
#
12.11.20231.42 Mб5Синергетическая педагогика..pdf
#
12.11.20235.06 Mб0Синтез кулачковых механизмов..pdf