книги / Неразрушающий контроль параметров тонких проводящих пленок электромагнитными методами
..pdfЛАТВИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
В. В. ГАВРИЛИН
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ
КОНТРОЛЬ
ПАРАМЕТРОВ
ТОНКИХ
ПРОВОДЯЩИХ
ПЛЕНОК
ЭЛЕКТРО
МАГНИТНЫМИ
МЕТОДАМИ
РИГА «ЗИНАТНЕ» 1991
В. В. ГАВРИЛИН
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ
КОНТРОЛЬ
ПАРАМЕТРОВ
тонких
ПРОВОДЯЩИХ
ПЛЕНОК
ЭЛЕКТРО
МАГНИТНЫМИ
МЕТОДАМИ
31.22
Г124 УДК 621.317.799:620.179.142:69.058
Г а в р и л и н В. |
В. |
Неразрушающий |
контроль |
параметров тонких |
проводящих пленок |
электромагнитными |
методами. |
— Рига : Зинатне, |
|
1991. — 206 с. — ISBN |
5-7966-0433-3. |
|
|
Монография посвящена проблеме комплексного развития теории электромагнитных методов иеразрушающего контроля тонкопленочных проводящих структур на основе обобщения их свойств в электромагнит ных полях от И К- до ВЧ-диапазонов и с учетом их микроструктурных особенностей. Неоднородные пленки структуры представляются в виде импедансных поверхностей (модель импедансной поверхности), что по зволяет упростить граничные условия . при решении задач электродина мики, избавиться от необходимости расчета полей внутри пленок и по лучить простые аналитические выражения для вносимых параметров радиоволновых и вихретоковых измерительных преобразователей через па раметры пленок, на основе использования которых разрабатываются методы неразрушающего контроля тонкопленочных структур с отстрой кой от мешающих факторов.
Приводятся результаты опробования разработанных методов конт роля. Описываются принципы работы и блок-схемы созданных на их ос нове измерительных и контрольных приборов. Рассматриваются проб лемы их выпуска, внедрения и аттестации.
Табл. 13, ил. 105, библиогр. 264 назв.
Р е ц е н з е н т ы :
проф., д-р техн. наук И. Г. Матис
канд. техн. наук В. С. Фастрицкий
г2202030000-045 е6 9| М811(11 )-91
ISBN 5-7966-0433-3 |
© В. В. Гаврилин, 1991 |
ПРЕДИСЛОВИЕ
Развитие отечественного машино- и приборостроения свя зано с ускоренной разработкой и внедрением новых технологий, методов и средств неразрушающего контроля качества, что должно обеспечить повышение эффективности производства, увеличение надежности и конкурентоспособности продукции на мировом рынке.
В космической технике, микроэлектронике, электронной и СВЧтехнике, оптике, радиотехнике, при изготовлении зеркальных по верхностей широко используются тонкие проводящие, в основном металлические, островковые, пористые, сеточные и другие покры тия и пленки, причем их параметры могут изменяться в широком
диапазоне (например, сопротивление |
квадрата |
поверхности от |
10-2 до 1012 Ом/П) [164, 207, 212, 226, |
232, 259]. |
Металлические |
покрытия наносятся на полимерные пленки и изделия, на ткани, бумагу, на стекло при изготовлении зеркал, полупроводники и диэлектрики при изготовлении полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники [160, 177]. Вакуумное нанесение тон ких алюминиевых пленок (толщиной менее 0,5 мкм) является ос новой современной зеркальной промышленности и конденсаторостроения [146, 149, 258].
Качество изделий на основе тонкопленочных структур непо средственно зависит от обеспечения заданных параметров пленок, что, в свою очередь, тесно связано с необходимостью использова ния эффективных методов контроля параметров таких структур в процессе производства.
Основные требования, предъявляемые к этим методам и прибо рам: оперативность, бесконтактный контроль без разрушения, точ ность, надежность, отстройка от влияния зазора (относительная дистанционность). Всем этим требованиям отвечают электромаг нитные и радиоволновые методы контроля, однако до сих пор как
6 |
|
Предисловие |
у нас |
в стране |
[94, 96, 97, 113, 114, 120, 127, 153, 154, 158, 163, |
199], |
так и за |
рубежом [152, 177, 220, 232, 243] серийно не вы |
пускаются приборы для неразрушающего контроля параметров тонких проводящих пленок сложной структуры. Отдельные приборы [12, 18, 135, 159, 173, 181 и др.], выполненные на уровне макетов, не отвечают перечисленным выше требованиям. Ориентировочная потребность в приборах для измерения параметров тонких метал лических покрытий (толщиной до 1 мкм) на диэлектриках состав ляет по стране около 500 шт. в год.
Таким образом, вопрос обеспечения народного хозяйства на дежными приборами неразрушающего контроля параметров тон копленочных проводящих структур весьма актуален. Его реше ние связано с необходимостью решения проблемы комплексного развития теории электромагнитных методов неразрушающего конт роля тонкопленочных проводящих структур на основе обобщения
их свойств в электромагнитных полях от ИКдо |
ВЧ-диапазонов |
и с учетом их микроструктурных особенностей, |
с последующей |
разработкой теории проектирования радиоволиовых, вихретоко вых и емкостных средств неразрушающего контроля таких струк тур, созданием и освоением промышленного выпуска приборов.
Развитие иеразрушающих электромагнитных методов контроля параметров многослойных проводящих изделий в СССР начато В. Г. Герасимовым [92, 93], В. С. Соболевым, Ю. М. Шкарлетом [172, 194, 195] и А. Л. Дорофеевым [111—113]. Начало многопа раметрическому контролю было положено Н. Н. Зацепиным [121] и продолжено затем В. В. Сухоруковым [175, 186], Ю. К. Федосенко [185, 186], А. Д. Покровским [153]. В. В. Клюевым [129, 130, 163, 234] были разработаны принципы построения приборов неразрушающего контроля изделий в процессе производства, ко торые были затем развиты Т. Я. Гораздовским [96, 97]. В. Е. Шатерников [191] развил теорию вихретокового контроля примени тельно к изделиям сложной формы. В. А. Сандовский продолжил работы В. С. Соболева, 10. М. Шкарлета по развитию теории на кладных преобразователей [117]. За рубежом в области создания приборов неразрушающего контроля в течение многих лет ус пешно работает Ф. Ферстер.
Автоматизацией вихретокового контроля занимаются В. Е. Шатерников, С. Ф. Лазарев [192, 193], В. В. Сухоруков, Ю. К. Федосенко [186] и др.
Радиоволновые методы контроля многослойных структур ис следовали Л. М. Бреховских [13], Л. Г. Дубицкий, В. А. Павельев, В. Н. Рудаков [114], Д. И. Биленко [8], Ю. К. Григулис [75,
100, 101].
Теория вихретокового электромагнитного контроля слоистых изделий развивается в двух направлениях: реализация многопа раметрического автоматизированного контроля с использованием ЭВМ [14, 161, 185, 186, 192, 193]; конструирование однопарамет-
Предисловие |
7 |
рических приборов для контроля конкретного технологического параметра в производственных условиях [144, 163]. Первое на правление связано с созданием сложного дорогостоящего уни версального оборудования в основном для научных исследований в лабораторных условиях, хотя в последнее время успешно про водятся работы по применению этих устройств в технологических автоматизированных линиях [186, 192, 193]. Во втором случае ряд приборов неразрушающего контроля доводится до серийного производства [144, 163].
Теория радиоволиового контроля в основном развивается в направлении создания новых типов радиоволновых преобразова телей [3, 8, 75, 76, 114, 115, 131, 202, 233] для контроля парамет ров конкретных структур.
Вопросы контроля тонких металлических сплошных слоев с плоскопараллельиыми границами вихретоковыми методами были впервые затронуты в работах В. Г. Герасимова и Ю. М. Шкарлета [93, 159, 172] как один из возможных случаев контроля про водящих слоев проходными и накладными вихретоковыми преоб разователями. Однако развитая авторами теория пригодна лишь для однородных металлических плоскопараллельных слоев и не может быть распространена на тонкие проводящие пленки, имею щие неопределенные границы раздела (островковые, сеточные, по ристые и другие неоднородные структуры), а тем более на тонко пленочные многослойные структуры [176, 177].
Радиоволновые методы контроля параметров тонких проводя щих пленок на основе использования волноводных и резонаторных устройств [18, 118, 122, 123, 126, 132, 173, 181, 189, 210, 219] не нашли применения в промышленности из-за необходимости изго товления для измерения образцов специальной формы, что свя зано с разрушением изделий. Кроме того, авторы данных работ не рассматривали вопросы отстройки от мешающих факторов (влия ние зазора), что весьма существенно при использовании приборов.
В течение долгих лет ведутся исследования в области опти ческих методов контроля параметров (толщины и оптических по стоянных) тонких проводящих пленок [15, 119, 147, 166, 182, 197, 200, 208, 237, 264]. Однако эти методы нашли применение только в лабораторных исследованиях, так как обладают низкой опера тивностью и также требуют приготовления образцов специальной формы на специальной подложке, причем имеют низкую чувстви тельность и большую погрешность при контроле параметров по глощающих металлических пленок.
Интересны исследования по созданию эллипсометрических ме тодов и приборов для измерения параметров тонких проводящих пленок как в оптическом [5], так и в радиоволновом диапазонах [135, 165]. Хотя используемое авторами оборудование пока не пригодно для промышленного внедрения и методы не обладают не обходимой оперативностью, высокая их точность открывает воз
8 |
Предисловие |
можность аттестации тонких проводящих |
покрытий по тол |
щине [136]. |
|
Причинами отсутствия как в нашей стране, так и за рубежом серийно выпускаемых приборов неразрушающего контроля пара метров тонких проводящих пленок при всей их перспективности [137, 177] являются особенности строения пленок, недостаточное внимание разработчиков к вопросам электрофизических свойств тонких пленок в электромагнитном поле. Работы по исследованию особенностей электрической проводимости тонких пленок [6, 11, 110, 150, 180, 190, 227, 241, 262] и теория методов неразрушаю щего контроля [4, 107, 137, 139] существуют как бы отдельно, не связаны между собой.
Создание электромагнитных методов и приборов для контроля параметров тонкопленочных проводящих структур сопряжено с необходимостью решения задач взаимодействия электромагнитных полей с тонкими проводящими пленками, имеющими в большин стве случаев неоднородную структуру (островковая, сеточная, по ристая и т. д.), что приводит к неоднозначности распространения полей в пленке, к невозможности корректного определения гра ничных условий на поверхности пленок (из-за неопределенности самой поверхности) и точного решения задач электродинамики классическими методами. Даже такое понятие, как толщина, яв ляется для тонкой пленки неопределенным и зависит от метода ее измерения: весовая, геометрическая, оптическая, электрическая толщины могут сильно различаться.
Настоящая работа посвящена комплексному развитию теории электромагнитных методов неразрушающего контроля тонкопле ночных проводящих структур на основе обобщения их электро физических свойств в электромагнитных полях с учетом особен ностей микроструктуры, с последующей разработкой основ теории проектирования радиоволновых, вихретоковых и емкостных средств неразрушающего контроля таких структур, созданием, освоением промышленного выпуска и широким внедрением в народное хо зяйство.
Из теоретической частя работы (главы 1—4) наибольший ин терес для специалистов в области физических методов неразру шающего контроля и лиц, занимающихся изучением особенно стей свойств тонких проводящих пленок, могут представлять:
1. Исследование особенностей взаимодействия электромагнит ных полей с тонкими проводящими пленками. Введение вместо неопределенных для тонкой дискретной пленки параметров «тол щина» и «удельная электрическая проводимость» параметра «импеданс квадрата поверхности», который однозначно характе ризует поведение пленок в электромагнитных полях. Изучение за висимостей составляющих импеданса квадрата поверхности от частоты электромагнитного поля для пленок с различной струк турой. Граничные условия для составляющих электромагнитного
Предисловие |
9 |
поля при переходе через пленку, представляемую в виде комплек сной импедансной поверхности, которые позволили исключить не обходимость рассмотрения электромагнитных полей внутри пле нок со сложной микроструктурой.
2. Исследование зависимости импеданса квадрата поверхности тонких проводящих пленок от их структуры, подтверждающее аномальную температурную зависимость сопротивления квад рата поверхности тонких дискретных пленок, зависимость сопро тивления квадрата поверхности пленок от частоты проходящего тока.
3. Новые методы расчета взаимодействия однородных (плоская волна, соленоид, резонатор) и неоднородных (вихретоковые на кладной и проходной преобразователи) электромагнитных полей с проводящими тонкопленочными многослойными структурами.
4. Исследование возможности использования ИК- и емкост ных методов для контроля параметров тонких резистивных пленок.
5. Метод расчета параметров дифференциального вихретоко вого накладного преобразователя при контроле тонких проводя щих пленок и вихретокового параметрического преобразователя при контроле тонких проводящих дисков на основе модели им педансной поверхности.
Для специалистов, занимающихся разработкой электромагнит ных и радиоволновых методов неразрушающего контроля, могут представить интерес описанные в главах 3 и 4 новые методы контроля тонкопленочных проводящих структур с отстройкой от мешающих факторов:
1. Методы контроля толщины и сопротивления квадрата по верхности проводящих пленок и покрытий накладными параметри ческими вихретоковыми преобразователями с одной и двумя об мотками с отстройкой от влияния зазора на результаты измере ний.
2.Метод контроля проводимости квадрата поверхности тонких металлических пленок и покрытий на диэлектрических подложках дифференциальным четырехобмоточным несимметричным макладным преобразователем с отстройкой от влияния зазора на резуль таты измерений.
3.Дистанционные радиоволновые методы контроля тонкопле ночных резистивных структур с использованием приближения пло ской волны на основе рупорных излучателя и приемника с от стройкой от влияния поперечных перемещений образцов в рабо чем зазоре на результаты измерений, которые дают возможность контролировать параметры движущихся рулонных материалов в
процессе производства.
4. Метод контроля сопротивления квадрата поверхности высо коомных тонких резистивных покрытий на диэлектрических плен ках на основе использования специальных открытых резонаторных
10 Предисловие
СВЧ-преобразователей с подавлением влияния подложек на ре зультаты измерения и метод оперативного контроля толщины и диэлектрической проницаемости тонких диэлектрических пленок, которые позволяют реализовать непрерывный дистанционный кон троль параметров движущихся рулонных диэлектрических и ре зистивных тонкопленочных структур в процессе производства.
Специалистов по разработке приборов иеразрушающего конт роля и выпуску изделий на основе тонкопленочных проводящих структур (зеркала, пленочные конденсаторы и т. д.) должны за интересовать главы 5—7, в которых описаны принципы работы, технические характеристики и особенности применения новых при боров неразрушающего контроля:
1. Комплекс новых радиоволиовых приборов серии СИМП для неразрушающего контроля параметров тонкопленочных резистив ных структур в диапазоне сопротивлений квадрата поверхности от 40 до 1012 Ом/D.
2. Комплекс вихретоковых приборов серии ВИМП для нераз рушающего контроля проводимости квадрата поверхности (от 0,01 до 10 См/Ш) тонких металлических покрытий и пленок тол щиной от 0,001 до 1 мкм как в процессе металлизации (стацио нарное исполнение) на вакуумных установках, так и после изго товления (настольное исполнение).
3. Системы автоматизации измерений (автонастройка иа опти мальный режим контроля, автоподстройка нуля в промежутках между измерениями), позволившие значительно повысить точ ность, надежность и стабильность приборов, упростить настройку и эксплуатацию и одновременно с унификацией схем приборов снизить расходы на их изготовление, ремонт и обслуживание.
Автор выражает благодарность руководителю лаборатории не разрушающих физических методов контроля Физико-энергетичес кого института ЛатвАН, доктору технических 'наук Ю. К. Григулису за помощь в организации работы, кандидату технических наук У. Р. Порису за участие в исследованиях по применению радиоволновых методов для контроля тонкопленочных резистивных структур и главному метрологу Волго-Вятского монтажно-нала дочного управления «Союзоргтехмонтаж» С. Н. Киселеву за по мощь в организации серийного выпуска приборов ВИМП-51М.
Особую признательность автор выражает академику ЛатвАН jA. Ф. Крогерису| и доктору физико-математических наук, про
фессору И. А. Фелтышо за активную поддержку тематики работы. Пожелания и критические замечания просим направлять по адресу: 226006 г. Рига, ул. Айзкрауклес, 21, Физико-энергетичес
кий институт ЛатвАН.
Автор
1. ОСОБЕННОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК.
ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ МЕТОДОВ ИХ КОНТРОЛЯ
Контроль параметров тонких проводящих пленок српряжен с трудностями [11, 177, 232, 243], которые обусловлены осо бенностями структуры и электрической проводимости тонких пле нок [228]. Измерение параметров таких пленок сильно зависит не только от их структуры [6, 223], но и от способа определения параметра. Например, даже такое простое понятие, как толщина пленки, может быть определено по-разному: весовая толщина, оп тическая, электрическая толщина, которые совпадают только для сплошной однородной пленки с плоскопараллельными поверхно стями [11, 21, 254, 261]. В случае реальных пленок все эти ве личины сильно различаются [4, 11]. Для островковых пленок, на пример, весовая толщина характеризует только степень заполне ния подложки [122], оптическая толщина сильно зависит от раз меров и материала островков [198, 244], электрическая опреде ляется главным образом межостровковыми промежутками [256].
Кроме того, электрофизические свойства проводящих пленок характеризует множество других параметров: удельная электри ческая проводимость, подвижность и концентрация носителей за ряда, строение и чистота подложки, наличие примесей, ловушек, структура пленки и т. д. [177, 257]. Эти величины находятся в сложных, чаще всего неопределенных взаимозависимостях [243] и существенно влияют на электрическую проводимость и измеря емую-'толщину пленок, определяют аномальные эффекты в них [1, 8, 177, 260].
В настоящей главе рассматриваются особенности контроля про водящих пленок неразрушающими электромагнитными методами с учетом их структурных особенностей и специфики поведения в электромагнитных полях.