Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Релятивистские многоволновые СВЧ-генераторы

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
19.07 Mб
Скачать

2.6.5. Вакуумный пробой и разлет катодной плазмы вдоль магнитного поля

Длительность импульса тока пучка, формируемого в КДМ.И, может ограничиваться также пробоем вдоль магнитного поля [180]. Изучению механизма вакуумного пробоя промежутка катод — кол­ лектор и динамики движения катодной плазмы вдоль однородного

магнитного поля посвящено большое число

работ [145,

146,

168,

170,

181].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наиболее полно исследован продольный вакуумный пробой в

диодах

с

трубчатыми

катодами (С, А1) внешним радиусом

гк =

= 3,0 см

(d = 2,6

см)

[146]. На диод подавался импульс напря­

жения

амплитудой

U =

200 кВ и длительностью

ти — 3,5

мкс,

ток

пучка

/ь — 1,5 кА. Расстояние

изменялось с

помощью подвижного

коллектора. Магнитное

поле

варьировалось

в

пределах

J9 =

3 —

27 кГе, давление остаточного газа р = 10_3—Ю-1 Па. Для исследо­ вания распространения катодной плазмы, а также образования и разлета коллекторной плазмы использовалась система из 5 емкост­ ных делителей напряжения, установленных последовательно в тру­ бе дрейфа, и фотоэлектрическая методика.

С помощью этих методик были измерены времена запаздыва­ ния U появления катодной плазмы на различных расстояниях от

Рис. 2.23. Зависимости времени запаздывания появления катодной плазмы *3, измеренного с помощью ФЭУ (1 F = 100F0, 2 F = lOFo, 3 F — 3F0, 4 F = F о) и емкостных делителей напряжения (5), от расстояния до графи­ тового катода, а также времени коммутации вдоль магнитного поля (£) от рас­ стояния катод-коллектор.

В = 18 нГс, V = 3 •10 " 3 Па.

Рис.

2.24. Зависимость

време­

ни

запаздывания

появления

свечения

катодной

плазмы

(F — 3F0)

от расстояния

по

радиусу

трубы

дрейфа

в

17,5

см от катода

(гк == 3 см).

катода, а также времена коммутации промежутка катод — коллек­ тор (рис. 2.23). Все измерения выполнены с графитовыми катодом и коллектором в магнитном поле В = 48 кГс и р < 3 •Ю”3 Па. При

сканировании по радиусу трубы дрейфа было

обнаружена

(рис. 2.24), что U световой границы плазмы минимально на рас­

стоянии, равном радиусу катода. С увеличением этого

расстояния

U возрастало. Это указывает на то, что плазма распространяется вдоль магнитного поля клином с вершиной вблизи радиуса катода. Оптические измерения (см. рис. 2.23) выполнены на расстоянии ог оси, равном радиусу катода. На рис. 2.13 приведены характерные* осциллограммы тока на коллектор, напряжения на диоде, сигналов с ФЭУ и емкостных делителей напряжения, полученные в этих экспериментах.

Из полученных результатов (см. рис. 2.23) следует, что t* фронта катодной плазмы, измеренные двумя методами, согласуются между собой и с временами коммутации для различных расстояний

катод — коллектор (ZKK/^кц— (1 — 1,6) * 407

см/с). Увеличение

давле­

ния остаточного газа от

10“3 до 10-1

Па привело к некоторому

(20— 30 %) увеличению

£кц (Z™ = 20 см).

При этом возросло

также

и t3. Измерения с помощью фотоэлектрической методики показали, что время запаздывания появления плазмы на коллекторах из гра­

фита и нержавеющей стали равно

соответственно 1,2

и 0,25

мкс,

а скорость распространения вдоль

магнитного поля

равна

—5 X

X 105 см/с в обоих случаях. Плотность мощности пучка на коллек­ торе была порядка 10 МВт/см2. Скорость коллекторной плазмы, из­ меренная [170] с помощью СВЧ-интерферометра при близких ус­ ловиях эксперимента, составила (6 -н 7 )-1 0 5 см/с. При мегавольтных напряжениях на диоде и плотности мощности пучка на коллекторе ~ 1 ГВт/см2 существенное вияние коллекторной плазмы на пробой вдоль магнитного поля не обнаружено [145].

Таким образом, пробой промежутка катод — коллектор в одно­ родном магнитном поле определяется распространением плазмы, образующейся на катоде в процессе взрывной эмиссии электронов.

Использование фотоэлектрической методики позволило просле­ дить динамику разлета катодной плазмы с различной яркостью свечения (плотностью). Из полученных данных (ем. рис. 2.23) [146] следует, что скорость периферийных слоев плазмы vn {F =

 

Рис.

2.25. Зависимости времени запаздывания

появления катод­

 

 

 

 

ной плазмы от расстояния до катода.

 

 

 

 

 

 

 

- 10 кА,

и =

0,9 MB (I) и 20

кА, 1,3 МВ (2).

 

 

= ('1— Ю )^ )

возрастает

с

удалением

от катода,

т. е. плазма дви­

жется

ускоренно. Так,

на

участке

z =

0 — 1,8

см

среднее

значение

vn

равно

7 •106 см/с

(F = Fo)

и 3 •106

см/с

( F =

lOFo), а

на уча­

стке

z =

7,5— 17,5

см

Vpn ^ (1 ,7 —2,5) •ТО7

см/с

(,Р = !-(1— i0)Fo)..

На

больших расстояниях

от

катода

vn ^ 1,6 •107

см/с.

Близкие

значения

скорости фронта

плазмы

vp]l =ф1—2) •107

см/с получены

с помощью СВЧ-интерферометрии

[170]. Скорость внутренних сло­

ев

плазмы

(77 = 40077о)

практически

постоянна

и

равна

~ 2 .6 X

X 1 0 6

см/с.

При F =

103Fo

vn

плотной

плазмы

слабо зависит от

расстояния

и равна

—^2 * 106

см/с.

При

F =

ЗТ'о

средняя

скорость

фронта плазмы возрастает на 30 % при увеличении матнитиого по­

ля от 3 до 18 кГе, а затем

остается постоянной. Скорость плазмы

не зависела от материала катода

(С, А1).

Из сравнения значений

vn ,

полученных с помощью емкостных

делителей напряжения при одинаковой геометрии КДМИ, но раз­

ных

токах пучка 1,5

[146], 4

[181] и

1 0 ^ 2 0 кА

[145], следует,

что

скорость фронта

катодной

плазмы

возрастает

с увеличением

тока и достигает vn ^ .1,1 •108 см/с при h — 10 кА. При дальнейшем росте тока vn не увеличивается, однако при этом сокращается область ускоренного движения плазмы вблизи катода. Результаты измерений времени запаздывания появления катодной плазмы от расстояния до катода при > 10 кА приведены на рис. 2.25. Уве­

личение vn с

ростом тока (плотности тока) пучка следует также

из измерений

[168], выполненных с помощью фотоэлектрической

методики.

 

Таким образом, в движении катодной плазмы вдоль магнитного" поля можно выделить две составляющие: гидродинамический раз­ лет с постоянной скоростью (2 —2,6) •106 см/с и ускоренное движе-

ние периферийных слоев плазмы [146]. Последнее объясняется амбиполярным ускорением холодной плазмы объемным зарядом

электронов [104,

182].

Как и предполагалось

[104], максимальная

скорость

плазмы

vn ^

1,1 •108 см/с [145]

сравнима

с тепловой

скоростью

электронов

1,5* 108 см/с (кТе ^ 5 эВ).

Увеличение

vn с ростом тока пучка и магнитного поля объясняется повышени­ ем концентрации плазмы вблизи катода [182]. Уменьшение скоро­ сти фронта катодной плазмы с ростом давления обусловлено, как показывают оценки, рассеянием ионов на нейтралах остаточного таза.

 

 

 

 

2.7.

Ф О Р М И Р О В А Н И Е РЭП

В КД М И

 

 

 

 

 

С О Д Н О Р О Д Н Ы М М АГНИ ТН Ы М

П О Л ЕМ

 

 

 

2.7.1. Аналитические расчеты характеристик РЭП,

 

 

 

 

 

формируемых в КДМИ

 

 

Рассмотрим основные характеристики трубчатых электронных

пучков (ток, потенциал, структура), формируемых в

цилиндриче­

ских

(ra =

j?)

КДМИ

(см. рис. 2.4,6)

с

однородным

магнитным

полем. Как

показали

экспериментальные

исследования

[117, 183],

ток

 

пучка

зависит

от магнитного поля. С увеличением магнит­

ного

поля

при

В < В }ф он возрастает,

достигает максимума при

В «

Вхф, уменьшается при В > B KV и практически перестает зависеть

от

магнитного

поля

при В ^ ( 2 —3)7?кр-

При В < j5Kp

ток пучка

меньше максимального вследствие попадания электронов на анод. При В « В Кр толщина трубчатого пучка максимальна и его внеш­ ний радиус близок к радиусу трубы дрейфа (анода). Основной вклад в ток пучка дают электроны, эмитируемые с цилиндрической поверхности плазменного катода поперек магнитного поля. При В > Внр внешний радиус пучка равен внешнему радиусу катодной плазмы и основной вклад в ток пучка вносят электроны, эмитируе­ мые с торцевой поверхности плазмы вдоль магнитного поля.

При решении задачи формирования РЭП в КДМИ использова­ лись две модели. В первой [122, 184] предполагалось, что ток пуч­ ка определяется пропускной способностью трубы дрейфа, а во вто­ рой [185, 186] — областью формирования пучка, т. е. диодом. Ниже рассмотрим вторую модель [185].

Первоначально задача была решена [185] для цилиндрического КДМИ с трубчатым катодом толщиной hK и бесконечно сильного ведущего магнитного поля (ларморовский радиус электрона мал по сравнению со всеми характерными размерами задачи и мало иска­ жение поля). Приближение бесконечно сильного магнитного поля

заведомо выполняется, если

[187]

 

 

 

 

 

Г /R = (mc2/eB) Ц Е /В <

1,

EjB < 1Г -

1,

(2.37)

где

Е =\(mc2/eR) {T — 1), сф — скорость

электронов

в

канале дрей­

фа.

При получении оценки

(2.37)

предполагалось,

что га — гк ~

~'(râ — rR) ~ R . Электронный поток в диоде в указанных выше' условиях описывается уравнением Пуассона

 

А7 = (е/тс3) (4я/7,/У72 — 1), 7 = 1 + еф/тс2,

 

(2.38)-;

где

Ф — потенциал, j — плотность

тока

пупка,

зависящая

только

от радиуса. Граничные условия

7 = Г =

1 +i(eU/mc2) — на

аноде и

| =

1 на катоде. Кроме того, предполагается бесконечной

эмисси­

онная способность катода. Умножив

(2.37) на $7)dz,

проинтегриро­

вав

по внутреннему пространству

диода

(исключая объем, заня­

тый

катодом)

и используя при

этом уравнение

(2.38)

в

области

дрейфа и граничные условия, можно получить

 

 

 

 

 

УЛУЬ +

1) — 2Г ------In

 

J ( £ ) ‘ (l.+

* .y dr,

(2,39)

где

7ь = 1 + еФь/тс2 — значение

релятивистского

фактора

на внеш­

ней границе электронного пучка в пространстве дрейфа, а инте­

грирование в правой части проводится по толщине пучка

при 2 =

= +°°. Отметим, что (2.39)

есть

следствие

законов сохранения

энергии и %компоненты импульса в системе.

 

 

Для достаточного тонкого пучка

 

 

1Х|

 

< 1

 

 

можно пренебречь правой частью в

(2.39) и получить

 

7ь = У0,25 + 2Г - 0,5 ^ 7*.

 

(2.40)

Используя (2.38), можно найти ток тонкого трубчатого

пучка в:

области дрейфа:

 

 

 

 

тс3 (Г—ТЬ)

]

 

(2Л1):

в

7 b

2 In (ra/rK)

 

 

 

Подставляя в (2.41) выражение (2.40) для

получаем

ток пуч­

ка, формируемого в КДМИ с тонким трубчатым катодом.

Сравним полученные для КДМИ результаты с характеристика­ ми пучка с предельным током транспортировки. Потенциал нере­

лятивистского пучка

(кинетическая

энергия электронов),

форми­

руемого в

КДМИ, Ф6 ^ 2С//3, а для

предельного тока Фь — £7/3.

Ток пучка

при

этом

равен

/ Пр/У2.

Для_ релятивистского

пучка

7ь ^ У 2 Г, а

для

предельного

тока 7&= у Т . Для ультрарелятивист-

ского пучка ток в КДМИ стремится к предельному.

В КДМИ наряду с трубчатыми катодами используются и тор­ цевые. Плазма образуется в основном на цилиндрической поверх­ ности такого катода, а его торцевая поверхность не эмитирует, и электрическое поле на ней не равно нулю. При этом в диоде формируется трубчатый электронный пучок. Для такой геометрии диода аналогично [185] ав приближении сильного ведущего магнит-

пого поля получено

[188]

 

Уъ(Уь + 1) — 2Г

1п

Ш п1г “ I

+ ? М - (2-42)

 

В первом слагаемом справа интегрирование проводится по торце­ вой поверхности катода, а во втором — по толщине пучка в про­ странстве дрейфа. Для тонкого трубчатого пучка вторым интегра­ лом в (2.42) можно пренебречь и тогда

Уь = - 0 , 5 + у

0,25 +

2Г + In (ra/rK)

Г( g j'r d r . (2.43)

Т1з сравнения (2.40)

и (2.43)

следует, что при использовании тор­

цевого катода с не равным нулю электрическим полем на части торца возрастает энергия электронов, а ток пучка (2.41) умень­ шается по сравнению с трубчатым катодом.

Для пучка, формируемого в КДМИ с торцевым катодом, вся торцевая поверхность которого эмитирует [189], интегралом в со­ отношении (2.39) пренебречь нельзя. При этом на внешней границе пучка Чь меньше, а ток пучка больше, чем в случае тонкого труб­ чатого катода. В [190] рассмотрено формирование двух тонких трубчатых пучков в КДМИ. Такая система нашла применение в релятивистской высокочастотной электронике для регулировки тока

внутреннего пучка [191] и в двухпучковых СВЧ-устройствах

[192].

В общем случае область возможных параметров РЭП,

форми­

руемых в КДМИ с произвольной торцевой поверхностью катода, работающего в режиме ограничения эмиссии объемным зарядом,

исследована в [187]. При .нахождении параметров

РЭП кроме при­

ближения бесконечно

сильного ведущего магнитного поля и зако­

 

 

 

нов сохранения энергии и импульса исполь­

 

 

 

зовалось

лишь условие

неположительности

 

 

 

объемного заряда пучка. На рис. 2.26

[166]

 

 

 

область допустимых параметров х, уъ (за­

 

 

 

штрихована) показана для Г = 3. Здесь х —

 

 

 

параметр, связанный с током пучка соотно­

 

 

 

шением

х = (2eljm c3)In (rJrK),

— реляти­

 

 

 

вистский фактор электронов на внешней

 

 

 

стенке

пучка г = гк

в

пространстве дрейфа,

 

 

 

Хтах — максимально

допустимый

ток

пучка

 

 

 

 

 

в диоде. Для произвольного Г мак­

 

 

 

 

 

симальный

ток

в

КДМИ

[187]

 

 

 

 

 

 

 

ï Ьm ax ~

 

 

 

 

 

 

 

 

тс3

 

 

( Г - 1 ) 2_____ _

 

 

 

 

 

2е 1п (’а./’к)

(Г3/2 +

2) /

Г2/3 + 1 ’

Рис. 2.26.

Область

допустимых

па­

 

 

 

 

 

 

 

(2.44)

раметров

РЭП,

формируемых

в

Ыа рис.

2.26

для сравнения при­

КДМИ с

произвольной

геометрией

ведена также зависимость

(2.42)

 

катода при Г =

3..

 

Величина %пр =' ((Г2/3 — 1 )3/2 — предельный ток тонкого трубчатого пучка (2.9).

Выполненные исследования [187] показали, что максимальный поток кинетической энергии реализуется в тонком пучке с пара­

метрами (2.40),

(2.41), формируемом в КДМЙ

с трубчатым ка­

тодом,

 

 

 

 

пг2с 5

(yb- i ) ( r - y

b)

 

 

 

WmBX =

 

 

 

 

 

о 2 1

/

у

 

У

у1 -

1.

(2.46)

 

шах

 

Уь

 

 

 

 

1пЫ

гк)

 

 

 

 

Для КДМИ с тонким трубчатым катодом предложена мето­

дика расчета

[493]

 

параметров

РЭП при

произвольном внешнем

магнитном поле

на

основе

бриллюэновской модели

пучка

[484].

В отличие от

[184],

где использовано предположение о реализации

предельного тока

канала транспортировки,

в [193]

задача

форми­

рования РЭП решена с учетом законов сохранения потоков им­

пульса и момента импульса полей (электрического и

магнитного)

и электронов пучка. Экспериментальные данные

[493]

согласуются

с результатами таких расчетов лучше, чем по

модели

[184]. Х а­

рактеристики трубчатых РЭП, формируемых в КДМИ при произ­ вольном магнитном поле, исследовались аналитически также в [494].

2.7.2.Численное моделирование формирования РЭП

вКДМИ

Для численного расчета пучков, формируемых в КДМИ с од­ нородным магнитным полем, используют либо метод крупных ча­ стиц [495], либо метод трубок тока [420, 188, 196, 197], реализо­ ванный в пакете прикладных программ КСИ-БЭСМ [198]. Общим является вывод, что предельный ток транспортировки в пучке не достигается. Рассмотрим более подробно результаты численных рас­

четов

для одинакового напряжения на диодах U — 360 кВ

[420,

188].

Расчеты проводились для трубчатых катодов толщиной

hK=

= 2 мм с радиусом округления 1 мм и торцевых катодов с кромкой прямоугольной или скругленной радиусом 2 мм. Обычно внешний радиус катода и катододержателя были равны, а длина коаксиаль­ ной полости катод — анод равнялась (3— 10) d. Для сравнения был выполнен расчет КДМИ, у которого радиус катода гк = 3,0 см был больше радиуса катододержателя 1,2 см, с длиной катода 3,0 см при межэлектродном зазоре d = 2,6 см. Различий в указанных двух случаях при прочих одинаковых условиях не обнаружено.

Эмитирующими областями считались внешняя цилиндрическая поверхность катода и прилегающее к ней кольцо шириной 2 мм, т. е. весь торец трубчатого, или только внешнее тонкое кольцо тор­ цевой поверхности торцевого. Были выполнены еще два расчета,

о которых будет упоминаться особо, с шириной эмитирующего кольца на торцевом катоде 1,0 см и с полностью эмитирующей торцевой поверхностью торцевого катода. Длина эмитирующей об­ ласти на цилиндрической поверхности, прилегающей к кромке ка­ тода, после предварительных расчетов была выбрана равной 1 — 2 мм. Эмитирующие области на цилиндрической и торцевой по­ верхности разбивались каждая на 10—20 трубок тока. Эмиссия с указанных областей считалась неограниченной.

 

Рассчитывались цилиндрические

(ем.

рис.

2.4, б)

диоды с

тор­

цевым и

трубчатыми катодами

с

га = 5,6

см

и

гк = 4,7

см

(5 =

=

18

кГс), гк = 3,0 см

(5 = 6

и

18

кГе)

и

 

с

= 3,0 см и

гк=

=

2,4

см

(5 =

48

кГе),

а

также плоский

(рис.

2.4, в) диод с

га =

=

5,6

см,

гк =

2,4

см, 5

=

3,0

см,

Zra = 0

и

6,0

см

(5 =

18

кГс)

(ZKa — расстояние

между

катодом

и

трубой

 

дрейфа)

с

торцевым

катодом. Следует

отметить, что

все

расчеты

проводились

при

5 >

» 5 кр, условие замашшчешюсти пучка (2.37)

выполнялось.

 

 

Точность

вычислительного

алгоритма

была предварительно

проверена на цилиндрическом КДМИ с тонким трубчатым катодом

(га = 5,6

см,

гк =

3,0

см, hK-+ 0,

5

оо

и

hK=

2

мм, 5

= 18 кГс,

а также

га =

3,0

см, гк = 2,4 см,

hK= 2 мм,

5 =

18

кГс).

Различие

между

теоретическим

/ в//пр = 0,74

(см.

(2.40),

(2.41),

(2.9)) и

расчетным значениями не превышало 2,5 %.

Вклад в ток пучка давали в основном электроны, эмитируемые с торца катода. Магнитное поле заворачивало все электроны с ци­ линдрической поверхности на нее же или на скругленную кромку у катода. Для катодов с прямоугольной кромкой вклад в ток пучка давали первые две трубки тока, прилегающие к торцу катода. Реальный катод скруглен вследствие образования на нем эмити­ рующей плазмы. Отметим, что токи пучка в пределах точности расчета не зависели от формы кромки катода.

В цилиндрическом КДМИ с торцевым катодом с прямоуголь­ ной кромкой при увеличении магнитного поля возрастает плотность

тока пучка и

его

трубчатость

(рис.

2.27),

так как

основной ток

je , кА/см2

 

 

jet к А/с м 2

 

п

1,2 ~

 

 

4

-

 

 

 

 

 

 

а

 

3

б

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

7

 

 

О

2,88

2,96

О

2,88

2,96 г, см

2,8

г,см

2J8

Рис. 2.27. Распределения плотности тока электронного пучка по радиусу цилиндрического КДМИ с торцевым катодом с прямо­ угольной кромкой для # = 6 (а) и 18 кГс (б); га = 5,6 см, гк = = 3 см, U = 360 кВ (расчет).

га>

R,

гк,

*ка »

в ,

Фь

(

п

\

см

см

см

см

кГс

•*пр

и

[\

Inv

/)Э К С

 

 

 

 

 

 

 

5,6

5,6

3,0

6

0,63

0,64

 

 

 

5,6

5,6

3,0

18

0,63

0,64

 

0,52

 

5,6

5,6

4,7

18

0,55

0,64

 

 

3,0

3,0

2,4

18

0,69

0,62

 

0,62

 

5,6

3,0

2,4

0

18

0,4

0,8

 

0,43

 

5,6

3,0

2,4

6,0

18

0,17

0,92

 

0,21

 

переносится на внешней стенке пучка. Незначительное уширеные пучка на внутренней стенке меньше, чем на внешней. При исполь­ зовании катода со скругленной кромкой пучок на внешней стенке практически не уширен и распределение / е(г) более пологое. Плот­ ность тока на внутренней стенке пучка несколько увеличена неза­ висимо от типа катода, что качественно согласуется с результатами расчета [186].

Для цилиндрического КДМИ с торцевым катодом отношение тока тонкого (~ 2 мм) электронного пучка к предельному току трубы дрейфа слабо зависит от геометрии диода и равно 0,55— 0,69. Увеличение ширины эмитирующего кольца на торцевой по­

верхности до 1,0 см и магнитного поля

от 6 до 18 кГс не привело

к заметному изменению тока пучка

(га — 5,6

см, гк =

3,0

см). Для

плоского КДМИ отношение / ь/ / пр «

0,17

при

Zlîa != 6,0

см

и Ib/Jnp

^ 0,4 при ZI(a = 0. В последнем случае использование катода с пол­ ностью эмитирующей торцевой поверхностью привело к увеличению

тока пучка на 25% , что качест­

 

венно согласуется с рассмотрен-

40

ными выше теоретическими пред­

 

ставлениями

[189].

 

Результаты

0$

расчетов КДМИ с торцевым като-

дом и тонким трубчатым пучком

;

сведены в табл. 2.2.

 

 

 

 

 

 

Расчеты

.(га =

5,6

см,

гк =

 

= 3,0 см и га = 3,0 см,

гк =

2,4см)

 

показали, что при одинаковых ус­

 

ловиях ток тонкого пучка в диоде

 

с торцевым катодом меньше, а по-

 

теициал больше, чем

в диоде

с

 

Рис. 2.28. Зависимость потенциала пуч-

V

ка от расстояния

до трубчатого (1, 2)

 

и торцевого

(5, 4)

катодов.

 

 

1 — га — 5>0 см,

гк = 4,0 см,

0 = 6 МВ;

2

 

га = 3,0 см, гн = 2,4 см, U — 360 кВ;

3 га —

(

5,6 см, гк = 4,7

см,

U =

360

кВ;

4 — га =

 

5,6 см, гк —_3,0 см,

U =

360 кВ.

 

 

трубчатым катодом, на 7— 10% . По результатам расчета вычисля­ лись интегралы по поверхности торцевого катода и по толщине пучка в дрейфовом пространстве в (2.42). Полученное таким об-- разом значение уь сравнивалось с вычисленным непосредственно и различие составило 0,2 %.

Численные расчеты позволяют определить протяженность об­ ласти формирования пучка. В цилиндрическом КДМИ с трубчатым и торцевым катодами характерным ее размером является радиус анода (рис. 2.28) [188]. С уменьшением d/ra относительная длина зоны ускорения z/ra уменьшается. В плоском КДМИ (ZKa = 6,0 см) электроны достигают максимальной энергии на входе в трубу дрей­ фа. Использование такого КДМИ приводит к увеличению энергии электронов пучка в дрейфовом пространстве до значений, почти соответствующих приложенному напряжению (см. табл. 2.2), а так­ же к уменьшению отношения поперечной составляющей скорости электронов к продольной.

2.7.3. Экспериментальные исследования РЭП, формируемых в КДМИ

Полученные к настоящему времени результаты эксперимен­ тальных исследований характеристик РЭП, формируемых в КДМИ с однородным магнитным полем, обобщены в обзорах [<165, 166г 199]. Здесь будут рассмотрены эксперименты, в которых измерен­ ные ток и потенциал Фь тонких трубчатых пучков, формируемых в КДМИ с сильным ведущим магнитным полем, сравниваются с результатами аналитических и численных расчетов, указанных выше.

Первоначально рассмотрим результаты измерений потенциала пучка, который может быть существенно разным в зависимости от того, достигается в пучке предельный ток или нет. Потенциал тон­ кого трубчатого пучка Фь — U — Д Ub, где ДС/ь — разность потенциа­ лов между пучком и трубой дрейфа (2.8). Величина ДГЛ опреде­ лялась с помощью емкостного делителя напряжения [1*81] либо по энергии отрицательных ионов, ускоренных в промежутке между

пучком и трубой дрейфа [200]. В экспериментах

[181]

использо­

вался

цилиндрический

КДМИ с тонким

трубчатым катодом

(га =

= 5,6

см, гк = 3,0 см, hx = 1 мм, С/ =

500

— 650 кВ,

5

= 6 —27

кГс).

Измерения проводились

непосредственно за

фронтом

(тф^ 7 5

нс)

в максимуме импулыса

напряжения

(тока).

При

этом

катодная

плазма проходит поперек и вдоль магнитного поля малые расстоя­ ния и в диоде формируется тонкий трубчатый пучок. Расстояние между катодом и делителем, равное 16,5 см, было больше области

формирования пучка — 1,5га

(см. рис. 2.28). Влияния магнитного

поля в диапазоне 5 = 6 —27

кГс

на измеряемые характеристики

(Фь, h ) не было

обнаружено. Отношение

Фь/U ^ 0,5

отличалось

от теоретического

значения

(2.40)

не более

чем на 10 % при по­

грешности измерений ^ 3 0 % . Отметим,

что

в случае

предельного

тока отношение Фъ/U ^ 0,25.

Отношение

тока пучка к предельному