Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Микрополосковые излучающие и резонансные устройства

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
14.73 Mб
Скачать

Составляющие

тока, на полоске

 

L (*) =

«о И — ((Мз +

92)/2) Т2(и)] (1 — и2)-'и;

jx(*) =

(a0a/4n)q3u (1 — H2)v\

(2.60)

 

где

 

ри = cos (nx/a);

ml = 9p2/64;

[

 

 

 

M

 

^12 0

“b

(^/Л д/Л ))

SfUi

 

1 Ц (2/71 — 1)

 

 

M

 

rtt=l

 

 

 

-1

 

J6+ 2я/Ц1 5]

A2m-1.11(2m — l)-1 {(и/я) +

 

 

m=1

 

J

+ n~[In [(4/Л) — (s/4)l P2};

 

 

(2.61)

PQ— — ^2p2

(2m —• 1) A2m—1,11

(^x^i2 — ^22)

Таким образом, решение краевой задачи дает соотношения (2.59) и (2.60). Четные волны структуры определяются с точ­ ностью р а). Параметром малости задачи является величина р = = cos (nAwl2a).

2. СИММЕТРИЧНАЯ ЩЕЛЕВАЯ ЛИНИЯ

Волноводная модель СЩЛ. Симметричная щелевая линия (С1ДЛ) представляет собой узкую щель, вырезанную в бесконечной метал­ лической плоскости, расположенной на одной из сторон плоско­ параллельного магнитодиэлектрического слоя, образующего подлож­ ку СЩЛ (рис. -25, а). Линии электрического поля (при е >- 1) кон­

центрируются в подложке, а магнитного поля

имеют вид эллипсов,

переходящих в кривые типа «седло» (рис. 25,

б),

образуя основ­

ную волну СЩЛ, аналогичную волне типа

Я10

прямоугольного

волновода. Распределение тока в слое на металлических полуплос­ костях (рис. 25, в) экспоненциальное.

Необходимо отметить, что к настоящему времени не существу­ ет достаточно точной теории открытой СЩЛ [25], как например, для НПЛ. Рассмотрим приближенные соотношения, поясняющие физи­ ку работы СЩЛ и пригодные для использования в САПР ПА и резонансных устройствах на ее основе.

Для расчета параметров СЩЛ необходимо знать основные компо­ ненты электрического и магнитного полей. При wlk 1 напряжение между кромками бесконечно протяженной регулярной щели можно ‘заменить эквивалентным линейным магнитным током. При этом продольную составляющую магнитного поля для любой точки про­ странства вне щели можно записать в виде уходящей волны [7]:

Нг(г) = АН^ (kr), k? = Л2 + k l

6t

здесь бд — реактивная проводимость в плоскости диафрагмы = = 0) со стороны подложки толщины d; Вв — со стороны воздуха.

Для решения уравнения (2.64) введем независимую перемен­

ную р =

\J2ci. При этом необходимо выполнить условия а = Х/2

и р

= Х0/А,

позволяющие определить длину волны в СЩЛ в зави­

симости

от

её параметров.

 

 

 

 

Формула суммарной проводимости в плоскости диафрагмы для

электрической стенки

= ±

Ь/2) имеет вид [81

 

 

 

y]6v = (а/2Ь) {— v 4- и tg [ndu/Qp — ctg {u/v)\\ 4-

 

 

4* P—i

« е + 1 ) /2 - р г)|п(2/п6) +

-|- £

l o * ( l - / ^ ‘) +

 

 

 

 

 

 

л=1,2Д..

 

 

 

 

4

М„] sin2 (ябл)/я (ппд)2

;

(2.65)

для

магнитной стенки

(х = rfc 6/2)

 

 

 

 

 

 

r\Bz = p~l |((е -

1)/2 -

р2) In (2/зтб) +

 

 

+

4 -

S

[t)a(l — F~') 4- мп]sin2 (лбп)/п (яяб)3), (2.66)

 

 

г

n=v..*/t.v....

 

 

 

 

J

где

г) =

120л; 6 = ' w/b; и =

(е — р2)‘/*; v = (р2— l)v*;

/%* = II —

(bv/2anp)2]4i\ /**rri == [1 — {bu/2anp)2]ifl.

Для действитетьных Fn\ имеем

М„ ={[8 tg rft — p*Fh cth ga] [1 +

{btanfrXFuX) — и2,

где

 

 

 

= 2nndFni b

cth (Fni/eFn) 1

1+

 

J

 

th (FjFni)

Для мнимых Fn| имеем

 

 

 

Mn = {[«tg r'np2 J Fni l2 ctg gn\ 11 +

(6/2ял)2]

11Fn\ | l) u2,

где

 

 

 

t

 

ctg (| Fni l/eF„)|

Гп

4*

2ntid | Fni | 6

tg(Fn/l Fni |) j

gn

 

Волновое сопротивление СЩЛ определим из уравнения энергети­

ческого баланса следующим образом [81:

 

z = Л (Оф/Огр) (л/р) Ар/[— Д (лЛе)],

(2.67}

V * r P « 1 + f (ЯД0) Д (%Jb) Д Г 1*

(2.68)

где Уф, угр — фазовая и групповая скорости; А (г)£г) 5=5 (пОДрар, —

— (11^ 2)р=р, можно найти из формулы (2.65) при фиксированных значениях е, d, w, b, а и для двух значений р>взятых в окрестности р = А(Д, при котором fjBz = 0.

Результаты расчета зависимости (2.65) и (2.67) для эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления откры­ той СЩЛ аппроксимированы с точностью до 2 % в работе [7] сле­

дующими выражениями при е £ [9,6; 201:

 

для wld £ [0,2;

1,0]

 

 

%/Х0=

0,987 -

0,483 lg е 4- (w/d) (0,111 — 0,0022е) —

 

— (0,121 +

0,094 (w/d) — 0,0032е) lg(100dA0);

(2.69)

2 = 113,19 — 53,55 lg e + l,25(®/d)(114,59 — 51,88 lge) +

 

-f 20 (w/d — 0,2)(1 — wjd) [10,25 — 5 lge 4- (w/d) (2,1 — 1,42 lge) —

— 100dA0]2[0,15 4- 0,23 lge 4- (w/d)(2,07 lge — 0,79)]; (2.70) для w/d £ [0,02; 0, 21:

ЯД0 = 0,923 — 0,448 Ig e + 0,2 w/d — (0,29ш/^4- 0,017) lg(100rfAo); (2.71)

Z = 72,62 — 35,19lg s 4- 50(d/w)(w/d Q,02)(w/d — 0,1) -|-

4- lg(100ay/d)(44,28 — 19,58 lge) — [0,32 lge — 0,11 4-

4- (w/d) (1,07 lg e 4-1,44)] [11,4 — 6,07.1gs — lOOdAJ2. (2.72)

Следует отметить, что волновое сопротивление СЩЛ определя­ ется неоднозначно, аналогично определению в теории закрытых волноводов. При выводе формулы (2.67) использовано «энергетичес­ кое» определение сопротивления. Структура же поля СЩЛ такова, что волновое сопротивление можно определить как' отношение мак­ симального напряжения в щели к току, текущему в продольном направлении по металлическим полуплоскостям:

Z = U/I.

(2.73)

Аналитическое выражение для волнового сопротивления СЩЛ в соответствии с формулой (2.73) приведено в работе [7]:

Z = 296,1 V H ((1 - ей,) [1п(МТ"е,ф — V.) + In vl)- ' , (2.74)

где In у = 0,5772 — постоянная Эйлера.

Определение по формуле (2.74) дает заниженные результаты по сравнению с формулами (2.70) и (2.72) (примерно на 30 %) и лучше соответствует действительности в коротковолновой части санти­ метрового и миллиметрового диапазонов волн. В дециметровом и длинноволновой части сантиметрового диапазонов методика Кона дает более точное совпадение с экспериментом 17].

Существует более точный и достаточно хорошо разработанный метод частичных областей для расчета параметров экранированной СЩЛ с учетом толщины токонесущих проводников, а также других полосковых линий. Недостатком метода частичных областей явля­ ется большое время счета на ЭВМ, увеличивающееся с усложнением структуры линии передачи. Поэтому этот метод более пригоден для исследования физических свойств и изучения 1ДЛ сложных попереч­ ных сечений.

Анализ СЩЛ с проводниками конечной толщины, помещенной

симметрично в экране

прямоугольного сечения а X Ь, проведен

в работе [71. Волновое

сопротивление при этом рассчитывалось по

формуле (2.73).

 

Метод ортогонализирующей подстановки (МОП). Рассмотрим обобщенную щелевую структуру, регулярную вдоль оси г. В осно­ ву анализа положим ИУ первого рода, к которому применим МОП.

Сущность

МОП состоит в получении тензорной функции Грина

G (х, х') в

виде разложения по функциям, образующим полную ор-

тонормированную систему на отрезке [wlt w%1. Использование МОП позволяет в аналитическом виде получить ДУ и распределение поля на щели (wlt w2).

Краевая задача для

собственных волн экранированной

щелевой

структуры сводится к

решению векторного ИУ первого рода от­

носительно тангенциального электрического поля Et

на щели

х £ lwit w21

 

 

где элементы функции Грина

о о

фт1 (х) = sin (тпх/а)\ <ртг(х) = cos (тпх/а);

Ymij, Ymii — элементы тензоров входных поверхностных адмитансов соответственно областей у ;> 0 и у < 0. Эти области могут содержать как изотропные, так и анизотропные слои.

ИУ (2.75) обладает важной особенностью: интервал интегриро­ вания и интервал определения уравнения меньше полной ширины

линии передачи. Представление ядра G (х, х') в формуле (2.16) в виде разложения по волноводным модам не позволяет использовать свойство ортогональности тригонометрических функций на от­ резке [0, а] при решении ИУ (2.75). Введение новых переменных и, v (см. соотношения (2.33), (2.34)) дает возможность получить

разложение G (х, х') по полиномам Чебышева, ортогональным на отрезке [—1, Несовпадающем с областью определения преобразован­

н о г о И У . Д л я б о л е е у д о б н о го п р и м е н е н и я

з а в и с и м о с т е й (2 .3 3 ),

(2 .3 4 ) и с х о д н о И У п р е о б р а з о в а н о с л е д у ю щ и м о б р а з о м : у л у ч ш е н а

с х о д и м о с т ь р я д о в в

G

(х,

х ’ ) п у тем

в ы ч и т а н и я

и з

н и х с о о т в е т с т в у ю ­

щ и х а с и м п т о т и ч е с к и х

р я д о в

и п

е р е х о д а о т

ф у н к ц и и

Е г (х) к

ее

п р о и зв о д н о й Ё г (дг).

Т а к

к а к

п р е

о б р а з о в а н н ы е

р я д ы

с х о д я т с я ,

т о

с у м м и р о в а н и е по т м о ж н о о г р а н и ч и т ь н е к о т о р ы м ч и с л о м М . Т о г д а

 

 

р е ш е н и е у р а в н е н и я (2 .7 5 )

 

 

 

 

Е . <*) -J5- =

м

атТ т(и ) (1

 

и Г ' 1';

- 2.0

 

Е ,

-

 

 

 

 

П=1

 

 

 

(2.77)

 

 

 

 

 

м

 

 

 

-2.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

М

 

№ 1Ь,„Т,„(и) (1 -

« г ,Л.

 

 

где Т т

(и)

п о л и н о м ы

Ч е б ы ш е в а п ер -

 

 

в о г о р о д а ;

а.

Ьт — н е к о т о р ы е по -

a/?iu

vjiw х/йы

с т о я н н ы е .

V I*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

В з а в и с и м о с т и о т ч и с л а М с л а -

 

 

га е м ы х в с у м м а х я д р а G (х , х ‘ ) И У

 

 

(2 .7 5 ), к о т о р ы е о п р е д е л я ю т р а з н о с т ь

 

 

м е ж д у д е й с т в и т е л ь н ы м и и а с и м п т о т и ­

 

 

ч е с к и м и ( п р и /п =*- о о ) ч л е н а м и , м о ж н о

 

 

п о л у ч и т ь р а з л и ч н ы е п о т о ч н о с т и р е ­

 

 

ш е н и я .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р а с с м о т р и м П Л с с и м м е т р и ч н ы м

 

 

р а с п о л о ж е н и е м

щ е л и

о т н о с и т е л ь н о

Рис. 26. Распределение

состав­

п л о с к о с т и х = а! 2 М О П (р и с . 2 6 , б ).

В э то м с л у ч а е с = 0 и с о б с т в е н н ы е

ляющих токов в С1ДЛ:

в о л н ы

в П Л

р а с п а д а ю т с я

н а

ч е т н ы е

а — поперечим*; 0 — продольных

 

 

и

н е ч етн ы е .

Д л я о с н о в н о й

(ч е т н о й )

в о л н ы П Л п о л у ч е н о в т о р о е п р и б л и ж е н и е , т . е . м о ж н о п р е н е б р е ч ь

р а з н о с т ь ю в с у м м а х я д р а G (Зс, х ') м е ж д у д е й с т в и т е л ь н ы м и и а с и м ­ п т о т и ч е с к и м и ч л е н а м и д л я m > 2 = 2 ). Д У в э т о м с л у ч а е

 

 

 

2 i (Y022 *+■ У 022) — it3In s -f- (1 — s2)2 Д222 —

 

 

 

 

 

-

s* (1

 

- s2)2 (Д222р г +

Д221p . )

=

0 .

(2 .7 8 )

З д е с ь

P i

{ it3 Д221

 

t iД222) Д

;

p% =

( ^ з Д г г ! —* ^2^222) ^

*

 

 

Д221 =

i КУ221 —

У 221) tn 1 —

tfj;

Д212 =

Д221 = У ^ 2 . +

 

+

У212 —

t2 *

Д222 = i [(У ?22 +

Y222)m

 

^

= li m { (У т и

H-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дк><»

 

-f-

У ;п п )/Н

}j

^2 =

Jim

 

{У/я12"|“

У/п12}»

ty

lim

 

{ (У т2 2 ”Ь У/я2?) tri\*

 

 

 

 

 

mz^oo

 

 

 

 

як>оо

 

 

Е х (х) = (а0п/а) I1 — 2s2 (1 — s2) рх — 4 (1 — s2)] р, X

 

X c o s 3 (зтх/а) [s2 —

c o s 2 { n x fa ) \ ~ '!

(2.79)

Ег (x) = /2 (а 0п / а ) (1

s2) р.гc o s ( я х /а ) Is2 —

c o s2 (я х :/а ) 1,/\ (2.80)

Составляющая

Ег при

Дву => 0

пропорциональна s,

т. е. имеет

первый порядок

малости

(| Ег | »

Дw).

 

 

С о о т н о ш е н и я (2.78)

(2.79) д а ю т р е ш е н и е

к р а е в о й

з а д а ч и д л я

ч е т н ы х с о б с т в е н н ы х в о л н Щ Л . Ф о р м у л ы с п р а в е д л и в ы д л я л ю б о й Щ Л с о д н о й щ е л ь ю . Н е о б х о д и м о л и ш ь з н а т ь в ы р а ж е н и я д л я т е н з о р о з п о в е р х н о с т н о г о а д м и т а н с а о б л а с т е й н а д и п о д щ е л ь ю .

Д л я о ц е н к и т о ч н о с т и п о л у ч е н н ы х с о о т н о ш е н и й с р а в н и м ч и с л е н ­ н ы е з н а ч е н и я , п о л у ч е н н ы е с п о м о щ ь ю ф о р м у л ы (2.78), д л я п о с т о я н ­

н о й р а с п р о с т р а н е н и я h о с н о в н о й в о л н ы

д в у с т о р о н н е й э к р а н и р о в а н ­

н ой Щ Л , с р е з у л ь т а т а м и , п о л у ч е н н ы м и ,

н а п р и м е р м е то д о м Б у б ­

н о в а — Г а л е р к и н а . С р а в н е н и е п о к а з а л о ,

ч то л у ч ш е е с о в п а д е н и е

п о л у ч а е т с я д л я ш и р о к и х щ е л е й . Э то

с в я з а н о с т ем , ч т о , к о г д а

Ди> = | ю , — ш 2 1 « а, р а с п р е д е л е н и е п о л я в щ е л и (р и с . 26) б л и з к о

к р а с п р е д е л е н и ю п о л я в с л о и с т о м в о л н о в о д е . Д л я у з к и х щ е л е й д о с т и ж е н и е б о л ь ш е й т о ч н о с т и т р е б у е т б о л ь ш и х М (и н о гд а д о 50).

О д н а к о п р и эт о м п а р а м е т р , по к о т о р о м у м о ж е т б ы т ь р а з л о ж е н о я д р о

G, и м ее т м а л у ю в е л и ч и н у

Д w/a

1 и р е ш е н и е

И У

м о ж н о

п р е д с т а ­

в и т ь в а н а л и т и ч е с к о м

в и д е . Р а с ч е т ы

п о к а з а л и ,

ч т о

п р и

Д w/a О Д

о т л и ч и е с о с т а в л я е т

0,5 % .

(2.78)

 

 

 

 

 

Д и ф ф е р е н ц и а л ь н о е у р а в н е н и е

м о ж н о

п р и м е н я т ь

к э к с п о ­

н е н ц и а л ь н о у з к о й щ е л и ,

к о г д а

К2

р, (е +

l)/(j.i

+

1)

(Щ Л н а

м л г н и т о д и э л е к т р и ч е с к о й

п о д л о ж к е ), а т а к ж е к п р я м о у г о л ь н о м у

в о л н о з о д у [321. Э ти м

м е то д о м м о ж н о

п о л у ч и т ь

р а с п р е д е л е н и е т о к о в

н а э к р а н а х Щ Л .

'Т а к и м о б р а з о м , о п и с а н н ы й в р а б о т е [ I 9 J м е то д , о п и р а ю щ и й с я н а М О П , п о з в о л и л п о с т р о и т ь т е о р и ю ш и р о к о г о к л а с с а э к р а н и р о в а н ­ н ы х Щ Л , с о с т а в л я ю щ и х о с н о в у О И С С В Ч , а т а к ж е э к р а н и р о в а н н ы х П Л д л я О И С . О с о б о е з н а ч е н и е р а з в и т а я т е о р и я и м ее т д л я а н а л и з а с л о ж н ы х м н о г о с л о й н ы х с т р у к т у р с а к т и в н ы м и с л о я м и и а к т и в н ы х э л е м е н т о в с р а с п р е д е л е н н ы м и п а р а м е т р а м и .

С л е д у е т о б р а т и т ь в н и м а н и е н а о с о б е н н о с т и п о л я н а р е б р а х Щ Л , т а к к а к о н о с в я з а н о с. п р и м е н е н и е м п о л и н о м о в Ч е б ы ш е в а д л я р а з ­ л о ж е н и я п о л я и с в и д е т е л ь с т в у е т о н е о б х о д и м о с т и п р е д в а р и т е л ь н о ­ го в ы д е л е н и я о с о б е н н о с т е й п о л я и о б о п т и м а л ь н о с т и п о л и н о м о в Ч е ­ б ы ш ев а д л я э т о й ц е л и . Р е з у л ь т а т ы и с с л е д о в а н и я р е г у л я р н ы х С Щ Л б у д у т и с п о л ь з о в а н ы в д а л ь н е й ш е м п р и а н а л и з е и п р о е к т и р о в а н и и щ е л е в ы х а н т е н н ы х и р е з о н а н с н ы х с т р у к т у р .

Общая методика получения интегральных уравнений относи­ тельно магнитных или электрических токов содержит два этапа:

1)выражение неизвестных коэффициентов в Фурье-представлении;

2)разложение полей в слоях в ряды по Фурье-трансформантам токов на их границах и подстановка этих коэффициентов в неис­

пользованные на первом этапе уравнения граничных условий. Для ОИС первый этап целесообразно проводить отдельно для каждого слоя (поблочно удовлетворяя системе граничных условий [25]), однако и это не гарантирует простоту записи искомых коэффициен­ тов, С целью дальнейшего упрощения формы записи интегральных уравнений представим каждый слой диэлектрика с нанесенными на его поверхность слоями металла в виде волноводного трансфор­ матора. Решение задачи о возбуждении такого трансформатора за­ ключается в поочередном наложении условий короткого замыкания или холостого хода на его входы и нахождении неизвестных коэфициентов через соответствующие электрические или магнитные токи на границах. Повторив эту операцию для каждого слоя и под­ ставив найденные коэффициенты в граничные условия, не исполь­ зованные на первом этапе, получим интегральные уравнения отно­ сительно магнитных и электрических токов:

 

 

 

 

 

(2.81)

где ЦК (£, 11) I, || Z (С, л) II

— тензорные

функции Грина; /

(х)

вектор

магнитных

токов;

i — вектор

электрических токов;

а —-

размер

основания

экрана.

 

 

 

Эквивалентная функциональная форма интегральных уравне­

ний относительно магнитных токов имеет вид

 

 

 

m i * i H i = i f /

 

(2.82)

здесь

| J ||, | / || — векторы-столбцы

Фурье-трансформанта

маг­

нитных и электрических токов соответственно:

 

 

 

 

 

(2.83)

 

 

 

 

 

(2.84)

п = 1,

2, ..., N — 1; I К | — клеточно-диагональная матрица

про­

водимостей [25].

Дисперсионное уравнение. Из системы ИУ (2.81) можно непо­ средственно получить систему ИУ четвертого порядка для НЩЛ. В этом случае матрицей проводимости будет одна клетка | Y || при подстановке в нее размеров слоев и их проницаемостей. Для алгебраизации системы ИУ используют метод Галеркина. Существен­ ным моментом этого метода является выбор системы базисных функ­ ций. Как уже отмечалось выше, поверхностные токи в НЩЛ из-за

Соседние файлы в папке книги