Минобрнауки России

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет

«Московский институт электронной техники»

Лабораторная работа №3 по дисциплине

«Схемотехника телекоммуникационных устройств: аналоговые устройства»

«Простейшие схемы с диодами и транзисторами»

Вариант 9

№ варианта	Отношение тока n и p транзистора	Номинал R0, кОм	Постоянное напряжение V1, В
9	0,4	13	0,8

Таблица 1: Вариант

Ввод схемы для получения ВАХ диода

Рисунок 1 – Электрическая схема для получения ВАХ диода

Рисунок 2 – DC моделирование для получения ВАХ диода

Моделирование схемы с диодом и резистором

Рисунок 3 – Схема с диодом и резистором

Рисунок 4 – Моделирование схемы с диодом и резистором

Получение ВАХ МДП транзистора

Рисунок 5 – Схема для измерения ВАХ МДП транзисторов

Рисунок 6 – Входные ВАХ МДП транзисторов

Рисунок 7 – Выходные ВАХ МДП транзисторов

Моделирование простейшего усилителя с пассивной нагрузкой

Рисунок 8 – Схема усилителя с пассивной нагрузкой

Рисунок 9 – AC моделирование в диапазоне частот от 1 Гц до 10 ГГц

Рисунок 10 – DC моделирование с сохранением малосигнальных параметров

Рисунок 11 – Временное моделирование во временном диапазоне до 2 мс

Чтобы получить необходимое напряжение, длина транзистора была уменьшена до 220нм.

Задание по варианту 1

Рисунок 12 – Схема с отображёнными токами

Ширина p-канального транзистора 5 мкм

Рисунок 13 – Входные ВАХ транзисторов

Задание по варианту 2

Рисунок 14 – Ток на выходе транзистора

Рисунок 15 – Параметры транзистора

Рисунок 16 – ФЧХ и АЧХ усилителя

Задание по варианту 3

Рисунок 17 – Схема по варианту

Напряжение на выходе равняется 1,601 В. Сопротивление резистора составляет 8.7 кОм.

Рисунок 17 – Рисунок 16 – ФЧХ и АЧХ усилителя с отмеченной частотой среза

Вывод

При выполнении лабораторной работы были промоделированы схемы с диодом, диодом и резистором и с МДП транзисторами. Были получены ВАХ p- и n- транзисторов. Также была промоделирована схема усилителя с использованием n-канального транзистора. Для получения необходимых значений напряжения на выходе транзистора изменялась ширина р-транзистора.

2022