ИДЗ_1_Зикратова_14
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МНЭ
ИДЗ №1
по дисциплине «Методы анализа структур электроники и микросистемной техники»
Тема: ВОССТАНОВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ СТРУКТУРЫ ПО ДИФРАКЦИОННОЙ КАРТИНЕ
Вариант 14
Студентка гр. 9282 |
|
Зикратова А. А. |
Преподаватель |
|
Андреева Н. В. |
Санкт-Петербург
2023
Цель работы: определить параметры и тип поверхностной структуры из дифракционной картины
Задание: a0 = 1.41421, b0 = 1 – параметры прямой решётки подложки, угол можно выбрать произвольно (350 или 1450)
Рис. 1 – Исходная дифракционная картина подложки с поверхностной структурой
На рис 1. обозначены рефлексы подложки – окружности с бОльшим радиусом, рефлексы поверхностной структуры – окружности с меньшим радиусом.
= , = – параметры обратной решётки подложки
b0*
a0*
b1*
a1*
b0*
b0*
a0*
Рис. 2 – Исходная дифракционная картина с обозначенными базисными векторами обратной решётки подложки и поверхностной структуры
1) Разложение базисных векторов обратной решётки плёнки по базисным векторам обратной решётки подложки (исходя из рис. 2):
→ M* = – матрица коэффициентов разложения обратной решётки
2) Нахождение обратной матрицы коэффициентов разложения обратной решётки (M*-1):
→ → →
M = M*-1 = - матрица коэффициентов разложения прямой решётки
Проверка:
M* * M*-1 = * = =
Разложение базисных векторов прямой решётки плёнки по базисным векторам прямой решётки подложки:
M = →
3) Определение типа поверхностной структуры:
detM = + = ≈ 0,5 = – отношение 2-х целых несократимых чисел → соизмеримая структура, плёнка с подложкой имеет общую периодичность (есть совпадающие рефлексы)
4) Построение прямых решёток подложки и поверхностной структуры:
Угол между и : π - 350
a0
b0
a0
a0
a1
b1
b0
b0
Рис. 3 – Построение элементарных ячеек подложки и плёнки
Рис. 4 – Восстановленные структуры подложки и плёнки
а томы подложки, - атомы плёнки
Вывод: в данной работе была восстановлена кристаллическая структура плёнки по дифракционной картине.