Технологический маршрут интегральной структуры, составленной из КМОП- и МЭМС-структуры (2)

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. https://ru.wikipedia.org/wiki/Полупроводниковая_пластина#Стандартные_размеры

2. http://npk-stn.ru/download/473/

3. Наумченко А.С., Светличный А.М. Руководство к лабораторным работам по курсу «Технология микросистем». – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. – 50 с.: страницы 13–14.

4. ГОСТ 19658-81.

5. Наумченко А.С., Светличный А.М. Руководство к лабораторным работам по курсу «Технология микросистем». – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. – 50 с.: страница 16.

6. Данилина Т.И., Смирнова К.И. [и др.] Процессы микро- и нанотехнологии. – Томск: ТУСУР, 2004. – 260 с.: страница 196.

7. https://studfile.net/preview/1024936/page:3

8. Цветков, Ю. Б. Процессы и оборудование микротехнологии: Модули 1 и 2 : учебное пособие / Ю. Б. Цветков. — Москва : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2017. — 122 с. (https://open.bmstu.ru/media/pdfs/mt11_1SSM4zR.pdf)

9. Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 86-91. (http://elib.bsu.by/handle/123456789/215203)

10. https://www.chemicalaid.com/tools/equationbalancer.php?equation=%28C2H5O%294Si+%2B+O2+%3D+SiO2+%2B+H2O+%2B+CO2&hl=cs

11. https://niopik.ru/products/photorez/FP-383_pozetiv_fotoresist/

12. https://frast.ru/tu383.pdf

13. Шангереева Б.А., Шахмаева А.Р. Технология травления пленки окисла кремния в процессе формирования структуры кремниевого мощного транзистора // Вестник ДГТУ. Технические науки. 2006. №12. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/tehnologiya-travleniya-plenki-okisla-kremniya-v-protsesse-formirovaniya-struktury-kremnievogo-moschnogo-tranzistora (дата обращения: 05.03.2023).

14. Толмачев, В. А., et al. "Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния." Физика и техника полупроводников 36.8 (2002): 996.

15. Малохатко Софья Владимировна, Бакшевников Даниил Антонович, Гусев Евгений Юрьевич ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНО-КОНЦЕНТРАЦИОННЫХ РЕЖИМОВ АНИЗОТРОПНОГО ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ // Известия ЮФУ. Технические науки. 2021. №3 (220). URL: https://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-temperaturno-kontsentratsionnyh-rezhimov-anizotropnogo-zhidkostnogo-travleniya-monokristallicheskogo-kremniya (дата обращения: 05.03.2023).

16. http://www.microsystems.ru/files/publ/20.htm

17. https://niopik.ru/products/photoresists_negative_new/negativ-photorezist-fn-11/

18. Шахмаева А.Р. Технология получения пленок нитрида кремния // Известия вузов России. Радиоэлектроника. 2006. №5. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/tehnologiya-polucheniya-plenok-nitrida-kremniya (дата обращения: 06.03.2023).

19. https://www.chemicalaid.com/tools/equationbalancer.php?equation=SiH2Cl2+%2B+NH3+%3D+Si3N4+%2B+HCl+%2B+H2&hl=en

20. Щукин, В. Г. Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом / В. Г. Щукин, В. О. Константинов, Р. Г. Шарафутдинов // . – 2019. – Т. 53, № 12. – С. 1721-1725. – DOI 10.21883/FTP.2019.12.48634.9068. – EDN VXUULH. (http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/48634)

21. https://jiht.ru/science/science_council/presentations/mart-2016/%D0%A1%D0%BE%D0%BD-2015_%D0%9D%D0%98%D0%A6-4.pdf

22. Щукин, Виктор Геннадьевич, Равель Газизович Шарафутдинов, and Виктор Олегович Константинов. "Осаждение пленок кремния, легированных бором и фосфором газоструйным плазмохимическим методом." Физика и техника полупроводников 53.1 (2019): 132-136. (https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/47000)

23. https://frast.ru/travlsi.html

24. Боровкова, Алла Юрьевна, Татьяна Николаевна Гришина, and Елена Сергеевна Матюхина. "Прецизионное травление тонких легированных слоев кремния." Прикладная физика 2 (2017): 47. (https://applphys.orion-ir.ru/appl-17/17-2/PF-17-2-47.pdf)

25. Васильев, В. Ю. Тонкие слои борофосфоросиликатного стекла в технологии кремниевой микроэлектроники. Часть 1. Осаждение из газовой фазы и свойства слоев стекла / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника. – 2004. – Т. 33, № 5. – С. 334-351. – EDN OWNMQH. (https://elibrary.ru/item.asp?id=17662976) (https://elibrary.ru/download/elibrary_17662976_85934426.PDF)

26. https://ru.wikipedia.org/wiki/Органические_фосфаты#Номенклатура

27. Дианов Е. М., Колташев В. В., Плотниченко В. Г., Соколов В. О., Сулимов В. Б. Изменение структуры фосфоросиликатного стекла под действием УФ излучения // Исследовано в России. 1998. №. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/izmenenie-struktury-fosforosilikatnogo-stekla-pod-deystviem-uf-izlucheniya (дата обращения: 07.03.2023).

28. https://patents.google.com/patent/RU2610843C1/ru

29. Сиделёв Д. В. Осаждение покрытий из хрома и никеля с помощью магнетронного диода с "горячей" мишенью : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук : спец. 01.04.07 / Д. В. Сиделёв ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет ; науч. рук. В. П. Кривобоков. — Томск, 2018. — 138 л. : ил. (http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52755) (https://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/52755/1/dis00287.pdf): страница 96.

30. Одиноков С. Б., Сагателян Г. Р., Гончаров А. С., Ковалев М. С., Соломашенко А. Б., Вереникина Н. М. Экспериментальные исследования процесса плазмохимического травления стекла при изготовлении дифракционных и голограммных оптических элементов // Машиностроение и компьютерные технологии. 2012. №05. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/eksperimentalnye-issledovaniya-protsessa-plazmohimicheskogo-travleniya-stekla-pri-izgotovlenii-difraktsionnyh-i-gologrammnyh (дата обращения: 08.03.2023).

31. https://frast.ru/travlcr.html

32. Емельянов В.В. ФОРМИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА КРЕМНИЯ СЕЛЕКТИВНЫМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ // Доклады БГУИР. 2022. №1. URL: https://cyberleninka.ru/article/n/formirovanie-funktsionalnyh-sloev-nitrida-kremniya-selektivnym-plazmohimicheskim-travleniem (дата обращения: 10.03.2023).

33. Цветков, Ю. Б. Процессы и оборудование микротехнологии: Модули 1 и 2 : учебное пособие / Ю. Б. Цветков. — Москва : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2017. — 122 с. (https://open.bmstu.ru/media/pdfs/mt11_1SSM4zR.pdf): страницы 18–28.

34. Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. (http://elib.bsu.by/handle/123456789/108009) (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/108009/1/p.109-112.pdf)

35. Просолович, Владислав Савельевич, Д. И. Бринкевич, and Ю. Н. Янковский. "Модификация приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремния." (2013). (https://elib.bsu.by/handle/123456789/49067) (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/49067/1/%d0%9f%d1%80%d0%be%d1%81%d0%be%d0%bb%d0%be%d0%b2%d0%b8%d1%87.pdf)

36. Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение. Установка "Каролина 15" / Е. Берлин, С. Двинин, Н. Морозовский, Л. Сейдман // Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2005. – № 8(66). – С. 78-80. – EDN NXTCSJ. (https://www.elibrary.ru/download/elibrary_16530411_30152718.pdf)

Таганрог 2023