Brigada8_LaboratornayaRabota4

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

КАФЕДРА ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВ РАДИОТЕХНИКИ

Лабораторная работа №4

«Изучение характеристик полупроводниковых радиоэлементов»

Выполнил: 8 бригада

группы ЭР-21-22

Потапкин Б.Ю.

Суханов Н.А.

Пахнин А.С.

Проверил: Меркулов А.А.

Москва, 2022

Цель работы: экспериментальное изучение характеристик биполярного транзистора, монтаж схемы и экспериментальное исследование усилителя напряжения на биполярном транзисторе.

Оборудование и принадлежности: макетная плата, паяльник, светоизлучающий диод, резистор 750, источник питания, провода, мультиметр.

Ход работы:

1. Изучили схему исследования характеристик полупроводникового элемента (рис. 1) и цоколевку диодов (рис. 2).

Рис. 1. Схема исследования характеристик

полупроводникового элемента

Рис. 2. Цоколевка диодов

2. Собрали на макетной плате схему, показанную на рисунке 1. Для сборки использовали светоизлучающий диод.

3. При помощи мультиметра, изменяя входное напряжение , снимаемое с источника питания, от 0 В до значения 12 В с шагом 0,5 В, провели измерения значений напряжения на резисторе R. Для каждого из измеренных значений напряжения на резисторе R с учётом схемы включения светоизлучающего диода рассчитали ток через светоизлучающий диод и напряжение на светодиоде . Полученные данные занесли в таблицу 2.

Таблица 2 – Исследование характеристик светоизлучающего диода

№ эксп.	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13
, В	0	0,5	1,0	1,5	2,0	2,5	3,0	3,5	4,0	4,5	5,0	5,5	6,0
, В	0,12	0,46	0,86	1,25	1,66	2,09	2,53	3,00	3,37	3,88	4,33	4,78	5,14
, мА	0,16	0,61	1,15	1,67	2,21	2,79	3,37	4,00	4,49	5,17	5,77	6,37	6,85
, В	-0,12	0,04	0,14	0,25	0,34	0,41	0,47	0,50	0,63	0,62	0,67	0,72	0,86

№ эксп.	14	15	16	17	18	19	20	21	22	23	24	25
, В	6,5	7,0	7,5	8,0	8,5	9,0	9,5	10,0	10,5	11,0	11,5	12,0
, В	5,21	5,62	6,61	7,00	7,60	7,95	8,42	8,95	9,30	9,70	10,12	10,85
, мА	6,95	7,50	8,81	9,33	10,13	10,60	11,23	11,93	12,40	12,93	13,49	14,47
, В	1,29	1,38	0,89	1,00	0,90	1,05	1,08	1,05	1,20	1,30	1,38	1,15

4. Изменили полярность подключения блока питания к схеме, и повторили измерения и расчёты согласно предыдущему пункту. Результаты занесли в таблицу 3.

Таблица 3 – Исследование характеристик светоизлучающего диода

№ эксп.	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13
, В	0	-0,5	-1,0	-1,5	-2,0	-2,5	-3,0	-3,5	-4,0	-4,5	-5,0	-5,5	-6,0
, -В	0,04	0,24	0,35	0,48	0,61	0,74	0,90	1,06	1,23	1,39	1,56	1,79	2,01
, -мА	0,05	0,32	0,47	0,64	0,81	0,99	1,20	1,41	1,64	1,85	2,08	2,39	2,68
, -В	-0,04	0,26	0,65	1,02	1,39	1,76	2,10	2,44	2,77	3,11	3,44	3,71	3,99

№ эксп.	14	15	16	17	18	19	20	21	22	23	24	25
, В	-6,5	-7,0	-7,5	-8,0	-8,5	-9,0	-9,5	-10,0	-10,5	-11,0	-11,5	-12,0
, -В	2,22	2,48	2,75	3,08	3,24	3,58	3,81	4,18	4,46	4,84	5,17	5,45
, -мА	2,96	3,31	3,67	4,11	4,32	4,77	5,08	5,57	5,95	6,45	6,89	7,27
, -В	4,28	4,52	4,75	4,92	5,26	5,42	5,69	5,82	6,04	6,16	6,33	6,55

5. На основе полученных данных построили по точкам графики зависимости силы тока (мА), протекающего через светоизлучающий диод, от напряжения на светоизлучающем диоде (В) (вольт-амплитудная характеристика светоизлучающего диода) На рисунке 6 график для данных в таблице 2. На рисунке 7 график для данных в таблице 3.

Рис. 6. График зависимости от для данных таблицы 1

Рис. 7. График зависимости от для данных таблицы 2

Вывод: мы построили вольт-амперную характеристику диода, на которой видно, что сила тока диода напрямую зависит от его напряжения, при увеличении или уменьшении которого увеличивается или уменьшается сила тока соответственно. То есть с увеличением входного напряжения ток на светодиоде возрастает.