Электромагнитная совместимость.-5
.pdfВ [38] представлен образец сверхширокополосной рупорной антенны с линзой (рис. 3.5), которая позволяет излучать чистый импульс со значительно меньшими, чем у рефлекторной импульсной излучающей антенны, боковыми лепестками. Более того, усиление этой антенны с 30-сантиметровой линзой оказалось больше, чем у 46-сантиметровой импульсной излучающей антенны.
Рис. 3.5. Образец сверхширокополосного линзового TEM-рупора
В[39] на основании проведенных экспериментов утверждается, что для нанесения максимального повреждения с минимальными затратами должно использоваться импульсное, а не непрерывное воздействие в области микроволновых частот. Сообщается также, что, исходя из этого вывода, была построена самая быстрая для своего времени испытательная установка с временем фронта 100 пс и уровнями поля 100 кВ/м, а позже была создана установка с временем фронта 10 пс и уровнями поля
1000 кВ/м.
В[40] сообщается о генераторе, способном выдавать мощность 100 МВт в наносекундных импульсах с фронтами порядка 200 пс. Такие устройства имеют компактную прямую геометрию
икоммутируются лавинным GaAs фотопроводящим полупроводниковым ключом, который срабатывает от решетки маломощных
–21 –
лазерных диодов. Однако при высоких напряженностях ключи на GaAs обладают небольшим числом срабатываний (менее 105), что привело к использованию в них карбида кремния (SiC) как отличного кандидата для высокочастотных электронных приборов высокой мощности, которые работают в среде с высокой температурой и сильным излучением (рис. 3.6) [41].
а |
б |
Рис. 3.6. Корпус фотопроводящего ключа на карбиде кремния (SiC) для применений с высоким уровнем поля (а)
и иллюстрация процесса проводимости в нем (б)
Соответствие типов генераторов полосам частот выглядит следующим образом [9]. Узкополосная категория покрывается главным образом симуляторами микроволн высокой мощности. Они довольно велики по размеру, и их источники энергии обычно размещаются в больших трейлерах. Они способны генерировать поля пиковыми уровнями более 10 кВ/м в импульсах длительностью в микросекунду на расстоянии в десятки метров. Мезополосные генераторы вырабатывают сигналы наподобие затухающих синусоид, которые можно согласовать с резонансами кабелей оборудования. Эти импульсы не требуют большой энергии в частотном диапазоне выше 500 МГц, поэтому их источник энергии может быть достаточно небольшим. Наилучший пример источника этого типа – источник импульсов в портфеле, разработанный Diehl Systems в Германии и продемонстрированный на конференции EUROEM летом 2004 г. в Магдебурге. Он способен вырабатывать пиковый импульс 100 кВ/м на расстоянии 1 м при частоте затухающей синусоиды 350 МГц. Частота повторения со-
– 22 –
ставляет 5 импульсов в минуту для времени жизни батареи 1 ч. Это устройство может легко переноситься внутри здания и размещаться близко к чувствительному электронному оборудованию. Для гиперполосного и субгиперполосного случаев большинство сигналов генерируется импульсными излучающими антеннами. Эта конструкция антенны способна к очень малым временам нарастания, что приводит к более высоким отношениям полосы. В табл. 3.1 описано несколько примеров таких генераторов [20]. Все они являются гиперполосными генераторами, поскольку отношение полосы у них более чем 10. Субгиперполосная категория (3 br 10) в основном содержит другие варианты генераторов импульсных излучающих антенн, которые не оптимизированы на такие короткие фронты, как 100 пс. Эти генераторы могут быть подобными описанным, но не требуют такого же уровня допусков, необходимого для достижения исключительно коротких фронтов.
В[42] рассматриваются примеры потенциальных источников микроволн высокой мощности и излучающих систем, приводятся многочисленные характеристики и фотографии (рис. 3.7).
Эволюция развития импульсных излучающих антенн кратко представлена в [43]. Много данных по узкополосным генераторам микроволн высокой мощности приведено во вводном курсе
[44].
В[45] описывается новая точная, стабильная и транспортируемая антенная система для испытаний на восприимчивость к излучениям, создающая поле напряженностью 200 В/м в диапазоне от 2 до 40 ГГц с помощью фокусирующей и легко управляемой антенной системы с усилителями на полупроводниковых приборах (рис. 3.8).
В[46] приводятся характеристики станций исследования ионосферы (рис. 3.9) и детальные характеристики станции, созданной по американской программе HAARP (рис. 3.10); в заключении делается вывод, что она является очень мощным инструментом для исследований, но будет использоваться для определенных (совершенно секретных) военных целей.
–23 –
|
Примеры импульсных излучающих антенн |
|
Таблица 3.1 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Название, страна |
Генератор |
Антенна |
Ближнее |
Дальнее поле |
r E |
Отношение |
|
Полоса |
|
поле |
полосы, br |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Опытный образец |
±60 кВ, |
3,66 м, |
23 кВ/м |
4,2 кВ/м |
1280 кВ |
100 |
|
Гипер |
|
антенны, |
100 пс/20 нс, |
(F/D)=0,33 |
при r=2 м |
при r=304 м |
|
|
|
|
|
излучающей |
200 Гц, пачка |
|
|
|
|
|
|
|
|
импульсы, США |
импульсов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Усовершен- |
~±75 кВ, |
1,83 м, |
41,6 кВ/м |
27,6 кВ/м |
690 кВ |
50 |
|
Гипер |
|
ствованный |
85 пс/20 нс, |
(F/D)=0,33 |
при |
при r=25 м |
|
|
|
|
|
опытный образец |
~400 Гц |
|
r=16,6 м |
|
|
|
|
|
|
антенны, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
излучающей |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
импульсы, США |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Антенна, |
2,8 кВ, |
1,8 м, |
1,4 кВ/м |
220 В/м |
10 кВ |
50 |
|
Гипер |
|
излучающая |
100 пс/4 нс, |
(F/D)=0,28 |
при r=5 м |
при r=41 м |
|
|
|
|
|
импульсы, |
800 Гц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Швейцария |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Антенна, |
9 кВ, |
0,9 м, |
7 кВ/м |
– |
34 кВ |
25 |
|
Гипер |
|
излучающая |
100 пс/4 нс, |
(F/D)=0,37 |
при r=1 м |
|
|
|
|
|
|
импульсы, |
800 Гц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Нидерланды |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Антенна, |
9 кВ, |
0,9 м, |
7 кВ/м |
– |
34 кВ |
25 |
|
Гипер |
|
излучающая |
100 пс/4 нс, |
(F/D)=0,37 |
при r=1 м |
|
|
|
|
|
|
импульсы, Германия |
800 Гц |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
а б
Рис. 3.7. Импульсная излучающая антенна от TNO (Нидерланды) (а) и компактный радиочастотный источник DS 110 от DIEHL (Германия) (б)
а б
Рис. 3.8. Вид антенной системы (а) и типовая напряженность поля на расстоянии 1 м (б)
В [47] рассмотрена возможность влияния излучений от неструктурированных сетей на морские и авиационные радиослужбы на основе перекрытия частот их работы (рис. 3.11). Можно полагать, что этот путь потенциально пригоден для создания ПЭМП.
– 25 –
Рис. 3.9. Характеристики станций исследования ионосферы
Рис. 3.10. Антенна HAARP: а – образец на стадии разработки; b – окончательный образец на стадии разработки;
c – окончательная антенна; d – вид окончательного образца на стадии разработки
– 26 –
Рис. 3.11. Перекрытие частот неструктурированных сетей и морских и авиационных радиослужб
– 27 –
4. Электромагнитная уязвимость систем и компонентов
4.1. Компьютеры
Полезные косвенные оценки вероятности сбоя и повреждения реальных систем можно сделать исходя из уровней уязвимости типового оборудования. Поскольку в состав многих систем входит персональный компьютер (ПК), то весьма важно знать уровни уязвимости ПК к ЭМ воздействиям. Экспериментально определенные уровни уязвимости электронных устройств и систем опубликованы во многих работах. Испытания ПК при облучении материнской платы показали, что на них могут влиять узкополосные поля всего лишь в 30 В/м. Параметры ЭМ излучений, вызывающих нарушения работы различных ПК (с открытой крышкой), приведены в табл. 4.1 [48]. Как видно, уровень уязвимости ПК, не защищённого ЭМ экраном, сильно зависит от параметров микроволнового ЭМ воздействия и может составлять всего 30 В/м.
Последующие испытания [49] показали, что уровень восприимчивости зависит от быстродействия микропроцессора: более старые и медленные микропроцессоры более чувствительны к сбою. Это объясняется тем, что быстродействующие процессоры требовали конструирования лучших по электромагнитному экранированию компьютерных корпусов, чтобы пройти испытания на соответствие требованиям ЭМС на помехоэмиссию. Причина в том, что создаваемые компьютером сигналы частотой более 1 ГГц легко проникают через большие отверстия, типичные для корпусов ранних компьютеров. Примечательно, что даже для новейших компьютеров на частотах около 500 МГц возможны уровни сбоя всего 500 В/м [9].
Сводные результаты по уровням сбоя компьютеров для воз-
действий [9]: |
|
узкополосные (на 1 ГГц) |
500 В/м; |
мезополосные (оценка) |
10 кВ/м; |
гиперполосные |
2 кВ/м. |
– 28 –
Таблица 4.1
Описание испытываемых ПК, воздействующего поля и наблюдаемых эффектов
Тип ПК
133 МГц Pentium
233 МГц Pentium2
300 МГц Pentium2
Частота |
Воздействующее поле |
|
||
Напряженность и модуляция |
Поляри- |
|||
несущей, |
электрического поля |
зация |
||
ГГц |
|
|
||
В/м |
Модуляция |
|||
|
||||
2,713 |
30 |
НВ |
Y |
|
2,770 |
50 |
АМ |
Y |
|
1,133 |
50 |
АМ, имп. |
Y |
|
2,675 |
50, 75 |
АМ, имп. |
Y |
|
2,887 |
75 |
АМ |
Y |
|
1,070 |
|
|
|
|
100 |
Имп. |
X |
||
1,460 |
100 |
АМ, НВ, имп. |
X |
|
1,480 |
100 |
НВ |
Y |
|
1,040 |
|
|
|
|
45 |
Имп. |
Y |
||
1,400 |
100 |
НВ |
X |
|
1,510 |
100 |
АМ |
X |
|
1,515 |
100 |
АМ |
X |
|
1,510 |
75 |
Имп. |
Y |
|
1,750 |
75 |
Имп. |
Y |
|
1,430–1,550 |
50 |
Имп. |
X |
|
1,690 |
85 |
Имп. |
Y |
|
|
|
|
|
НаправНаблюдаемые ление эффекты падения
Z |
|
потеря данных |
|
||
Z |
|
потеря данных |
Z |
|
перезагрузка |
Z |
|
потеря доступа |
Z |
|
потеря доступа |
Z |
|
|
|
ошибка записи на диск |
|
Z |
|
откл. питания |
Z |
|
откл. питания |
Z |
|
|
|
откл. питания |
|
Z |
|
откл. питания |
–Z |
|
откл. питания |
Z |
|
перезагрузка |
Z |
|
откл. питания |
Z |
|
откл. питания |
–Z |
|
откл. питания |
Z |
|
откл. питания |
|
|
|
Уровни повреждения для импульсных сигналов начинаются со значений, которые лишь в 2–3 раза больше уровней сбоя. Для узкополосных сигналов уровни повреждения во много раз выше уровней сбоя.
В [50] приведен обзор двух весьма обстоятельных исследований восприимчивости, выполненных в ЭМС-группе фирмы QinetiQ, Англия. В первом оценивался порог восприимчивости коммерческого компьютерного оборудования к мощным электромагнитным излучениям в реверберационной камере (рис. 4.1), а во втором – к импульсным излучениям в проводном имитаторе
(рис. 4.2).
а
б
Рис. 4.1. Порог сбоя четырех компьютеров: а – только тренды;
б– восприимчивость сети
–30 –