Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электрооптическая модуляция оптического излучения

..pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
1.07 Mб
Скачать

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования «Томский государственный университет систем управления и

радиоэлектроники»

Кафедра электронных приборов

Оптическая физика

ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКАЯ МОДУЛЯЦИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Методические указания к лабораторной работе для студентов направления

200700.62 -«Фотоника и оптоинформатика»

2013

Шандаров, Станислав Михайлович Буримов, Николай Иванович

Электрооптическая модуляция оптического излучения = Оптическая физика: методические указания к лабораторной работе для студентов направления «Фотоника и оптоинформатика» / С.М. Шандаров, Н.И. Буримов; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра электронных приборов. - Томск: ТУСУР, 2013. - 17 с.

Целью работы является ознакомление с оборудованием и методикой измерения электрооптических параметров анизотропного кристалла, а также их вычисление на основе экспериментальных данных.

Входе выполнения работы у студентов формируются:

способность идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в сфере профессиональной деятельности (ПК-9);

готовность формулировать цели и задачи научных исследований

(ПК-10).

Пособие предназначено для студентов очной и заочной форм, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» по дисциплине «Оптическая физика».

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

Кафедра электронных приборов

УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой ЭП

_____________С.М. Шандаров «___» _____________ 2013 г.

Оптическая физика

ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКАЯ МОДУЛЯЦИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Методические указания к лабораторной работе для студентов направления «Фотоника и оптоинформатика»

Разработчики д-р физ.-мат. наук, проф. каф. ЭП

________С.М. Шандаров

________2013 г

канд. техн. наук, доц. каф. ЭП

________Н.И. Буримов

________2013 г

2013

 

 

4

 

Содержание

 

1 Введение ........................................................................................................

5

2 Теоретическая часть ......................................................................................

5

2.1

Тензорное описание электрооптического эффекта ...............................

5

2.2

Линейный электрооптический эффект ..................................................

6

2.2.1 Кубические нецентросимметричные кристаллы классов

 

симметрии 23 и 43m ..................................................................................

7

2.2.2 Кристаллы симметрии 4mm .............................................................

8

2.2.3 Кристаллы симметрии 3m ................................................................

8

2.3

Распространение световых волн в среде с линейным

 

двулучепреломлением при однородном внешнем поле .............................

9

2.4

Фазовый электрооптический модулятор поперечного типа ...............

10

2.5

Амплитудный электроооптический модулятор ..................................

11

3 Экспериментальная часть ...........................................................................

13

3.1

Оборудование ........................................................................................

13

3.2

Контрольные вопросы ..........................................................................

13

3.3

Задание...................................................................................................

13

3.4

Методические указания по выполнению работы ................................

14

3.5

Содержание отчета................................................................................

16

Список литературы ........................................................................................

16

1 Введение

Целью работы является ознакомление с оборудованием и методикой измерения электрооптических параметров анизотропного кристалла, а также их вычисление на основе экспериментальных данных.

Входе выполнения работы у студентов формируются:

способностью идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в сфере профессиональной деятельности (ПК-9);

готовностью формулировать цели и задачи научных исследований

(ПК-10).

2 Теоретическая часть

В данном разделе будут рассмотрены теоретические основы электрооптического эффекта, который состоит в изменении оптических свойств кристаллов под действием электрического поля.

2.1 Тензорное описание электрооптического эффекта

Известное материальное уравнение перепишем в виде

 

 

 

 

 

 

1

ˆ

 

 

(2.1)

 

 

 

 

 

Ε

0

b D ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

ˆ

r

)

1

– тензор диэлектрической непроницаемости;

εˆ

r

– тензор

b (εˆ

 

 

 

относительной диэлектрической проницаемости.

Исторически сложилось, что действие внешних электрических полей на вещество принято рассматривать как изменение именно тензора диэлектрической непроницаемости среды для светового поля. Представим

компоненты тензора

ˆ

 

 

b в следующем виде:

 

 

b b0

b (Ε0 ) ,

(2.2)

 

ij ij

ij

 

где Ε0 – напряженность электрического поля, прикладываемого к веществу.

Если это поле далеко от порога разрешения или пробоя, оно приводит к небольшим изменениям оптических свойств среды, так что

выполняется соотношение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b

b (Ε0 )

,

 

 

 

(2.3)

 

ij

ij

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

ˆ 0

 

для невозмущенной среды.

где bii

– диагональные компоненты тензора b

 

 

Для случая диагонального тензора

εˆ

0

,

тензор

ˆ

0

также является

 

 

b

 

диагональным:

6

 

 

 

 

 

 

 

 

1

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11

 

 

 

 

 

 

 

0

 

1

ij

 

ˆ

0

 

 

 

1

 

 

 

 

 

bij

r

,

b

 

0

 

r

0

 

,

(2.4)

 

 

ii

 

 

 

 

 

 

 

22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

33

 

 

 

и может быть найден по обычным правилам получения обратной матрицы. Тензор bij , характеризующий изменение диэлектрических свойств

среды для светового излучения под действием “низкочастотного” электрического поля, можно представить в виде разложения по степеням Ε0 . Опыт показывает, что достаточно ограничиваться линейными и

квадратичными членами разложения:

 

 

 

 

 

 

b

r

0

R

0

0

,

(2.5)

ij

ijk

k

ijkl

k

l

 

 

Здесь первый член описывает линейный электрооптический эффект, а второй - квадратичный электрооптический эффект. Коэффициенты в разложении являются тензорами третьего ( rijk ) и четвертого ( Rijkl ) рангов, а

их компоненты называются соответственно электрооптическими и квадратичными электрооптическими постоянными.

Волновое уравнение, которое описывает распространение света в

возмущенной

среде,

 

оперирует

 

с

 

тензором

диэлектрической

проницаемости

εˆ

0

εˆr . Можно

показать,

что

в

пренебрежении

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

квадратичными членами выполняется соотношение

 

 

 

r

0r 0r b

,

ij

 

0

( 0r r ) .

(2.6)

 

 

 

ij

ik jl

kl

 

 

ij

ij

 

2.2 Линейный электрооптический эффект

В случае кристаллов без центра симметрии тензор третьего ранга rijk

отличен от нуля, и линейный электрооптический эффект (эффект Поккельса) является определяющим. В этом случае можно пренебречь в формуле (2.5) квадратичным членом:

 

b

r 0 .

(2.7)

 

ij

ijk

k

 

Тензор третьего

ранга rijk имеет

в общем

случае 27 компонент.

Поскольку тензор ij

является симметричным,

ij

ji , то и тензор rijk

симметричен по перестановке первых двух индексов:

 

rijk

rjik

 

(2.8)

7

Это дает возможность перейти от тензорных обозначений к матричным, заменив комбинацию индексов ij на один индекс (например, m) по правилам:

11 1, 22 2 , 33 3 , 23,32 4 , 13,31 5 , 12,21 6 (2.9)

Эти правила легко запомнить для случая тензора второго ранга:

1

6

5

 

11

12

13

 

0

2

4

 

0

22

23

(2.10)

 

 

 

 

 

 

 

0

0

3

 

0

0

33

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, в общем случае матрица электрооптических коэффициентов может быть представлена в виде таблицы 6 3. Симметрия кристалла накладывает ограничения на электрооптические коэффициенты. Многие из них оказываются равными нулю, некоторые коэффициенты связаны друг с другом определенными соотношениями. Рассмотрим конкретный вид матрицы rmk для некоторых кристаллов.

2.2.1 Кубические нецентросимметричные кристаллы классов симметрии 23 и 43m

Кристаллы такой симметрии имеют один независимый

электрооптический коэффицент

r123 r213 r231 r312 r321 r132 ,

то есть

r41 r52 r63 :

 

 

 

 

 

 

 

0

0

 

 

 

0

 

 

 

0

0

0

 

 

r

0

0

0

.

(2.11)

mk

r41

0

0

 

 

 

 

 

 

0

r41

0

 

 

 

0

0

r41

 

 

Сюда относятся кристаллы GaAs, Bi12SiO20, Bi12GeO20, Bi12TiO20 и другие. Для кристаллов Bi12TiO20 и Bi12SiO20 r41 5 10 12 м/В. Для других

кристаллов кубической сингонии электрооптические коэффициенты имеют меньше значения.

8

2.2.2 Кристаллы симметрии 4mm

Такие кристаллы являются одноосными, характеризуются тремя

независимыми электрооптическими коэффициентами

r113 r223 (r13 r23 ) ,

r333 (r33 ) , r232 r322 r131 r311(r42 r51) , то есть

 

 

 

 

 

0

r13

 

 

 

0

 

 

 

0

0

r13

 

 

r

0

0

r33

.

(2.12)

mk

0

r42

0

 

 

 

 

 

 

r42

0

0

 

 

 

0

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

К этому классу относятся сегнетоэлектрические кристаллы BaTiO3; стронций-бариевый ниобат (SrxBa1-xNb2O6), кратко SBN, и другие. Для

BaTiO3

r

730 10 12 м/В, r

46 10 12 м/В, r

10.2 10 12 м/В, то

есть

 

42

 

33

 

13

 

 

 

имеется

 

большая

анизотропия

электрооптического

эффекта.

“Недиагональный” коэффициент r42

более чем на 2 порядка превосходит

электрооптический коэффициент кубических кристаллов. Для SBN при

x 0.75

 

r 237 10 12

м/В,

r 37 10 12 м/В.

Отметим,

что

эти

 

 

33

 

13

 

 

 

 

коэффициенты зависят и от длины световой волны, то есть имеет место дисперсия электрооптических постоянных.

2.2.3 Кристаллы симметрии 3m

Данные кристаллы также являются одноосными, к ним относятся ниобат лития (LiNbO3) и танталат лития (LiTaO3). Матрица электрооптических коэффициентов имеет вид

 

 

r22

r13

 

 

 

0

 

 

 

0

r22

r13

 

 

r

0

0

r33

.

(2.13)

mk

0

r51

0

 

 

 

 

 

 

r51

0

0

 

 

 

r22

0

0

 

 

Для LiNbO3,

при 633нм,

r 3.4 10 12

м/В,

r 8.6 10 12

м/В,

 

 

 

 

22

 

13

 

r 30.8 10 12

м/В,

r 28 10 12

м/В.

 

 

 

 

33

 

51

 

 

 

 

 

9

2.3 Распространение световых волн в среде с линейным двулучепреломлением при однородном внешнем поле

Ограничимся анализом распространения плоских монохрома-

тических световых волн с

волновым

вектором k k0 n m и вектором

поляризации Ε

 

e , где

k

 

 

2

,

- длина световой волны, n -

m

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

показатель преломления для данной световой волны, m и e - единичные векторы волновой нормали и поляризации с компонентами mk и ek . В этом

случае волновое уравнение приводит к следующей системе уравнений для собственных волн

2

r

ek

0 ,

(2.14)

n

( mk mmmk ) mk

где в соответствии с соотношением (2.1.6) mkr имеет вид

r

r0

r0

r0 r

0

,

(2.15)

mk

mk

mi

kj ijk

k

 

 

Здесь мы считаем поле 0k заданным и однородным, и пренебрегаем

квадратичным электрооптическим эффектом.

Рассмотрим распространение волн вдоль оси x в кристалле ниобата лития, к которому внешнее поле приложено вдоль оси z (рисунок 2.1).

z U(t)

1

0

x

 

Рисунок 2.1 – Распространение волн в кристалле во внешнем электрическом поле

В этом случае, в соответствии с формулами (2.6), (2.7) и (2.13),

тензор εˆ будет диагональным:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11

n4r 0

,

 

(2.16)

 

 

0

13

3

 

 

 

 

22

n4r 0

,

 

(2.17)

 

 

0

13

3

 

 

 

 

33

n4r 0

,

 

(2.18)

 

 

0

33

3

 

 

 

0r 0r

n2

, 0r n2

,

(2.19)

11 22

 

0

33

 

e

 

 

10

где n0 и ne - обыкновенный и необыкновенный показатели преломления

кристалла.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вектор m имеет компоненты m1 1,

m2 m3 0 ,

и уравнение (2.14)

принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11r e1 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(n2 22r )e2

0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.20)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

r

 

 

0.

 

 

 

 

 

 

 

(n

 

33 )e3

Отсюда находим, учитывая соотношения (2.16)-(2.19):

 

 

 

e1 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

22r

n02

n04r13 30 , e2(1)

 

 

 

 

 

 

n12

1;

 

 

(2.21)

 

n2

r

n2

n4r 0 , e3(2)

1.

 

 

 

 

2

33

e

 

e

33 3

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, одна собственная волна имеет обыкновенную

поляризацию (вектор e(1)

ориентирован

 

вдоль

 

оси

y)

и показатель

преломления n1 :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n n n , n

n03r13

0

n03r13

 

U

.

(2.22)

 

 

 

1

0

0

0

2

3

 

 

2

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вторая собственная волна имеет необыкновенную поляризацию (вектор e(2) направленный вдоль оси z) и показатель преломления

n n

n

, n

 

ne3r33

0

 

n03r33

 

U

(2.23)

 

 

 

2 e

e

0

2

3

2

 

d

 

 

 

 

 

 

 

Вслучае входной световой волны с произвольной поляризацией поле

вкристалле будет представлять линейную суперпозицию двух собственных волн – обыкновенной и необыкновенной.

2.4 Фазовый электрооптический модулятор поперечного типа

Конструкция фазового модулятора поперечного типа имеет вид, изображенной на рисунке 2.1. В случае распространения необыкновенно поляризованной волны имеем

Ε(l,t)

 

z0 exp

i( t

2

n l

exp

i

 

2

n(t)l

 

 

3m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.24)

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

2

 

 

n3r

l

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3mz

 

exp

i( t

 

nel exp i

 

 

 

e

33

U (t)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

d

 

 

Таким образом, световая волна на выходе модулятора приобретает фазовую модуляцию с величиной фазового сдвига

(t)

2

n(t)l

2

 

n3r

 

l

 

 

 

e 33

U (t)

 

(2.25)

 

 

2

d