ЭиС_Лаб.Раб.3_БатаевАС
.pdf
4 ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВНОГО ТРАНЗИСТОРА ПО СХЕМЕ
ДАРЛИНГТОНА
Для исследования ЛЭ НЕ с составным транзистором по схеме Дарлингтона
показаны примеры стендов на рисунках 4.1 и 4.2. Результаты измерений
представлены в таблице 4.1.
Рисунок 4.1-Схема ЛЭ НЕ с составным транзистором в положении логического нуля
Рисунок 4.2- Схема ЛЭ НЕ с составным транзистором в положении логической единицы
Таблица 4.1- результаты измерений
Переключатель |
I, мА |
Uвых, В |
Состояние выхода |
|
|
|
|
1 |
0 |
0,06574 |
0 |
|
|
|
|
0 |
-1,192 |
3,798 |
1 |
|
|
|
|
5 ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЭ НЕ ТТЛ С ТРЕМЯ СОСТОЯНИЯМИ
ВЫХОДА
Для исследования ЛЭ НЕ ТТЛ с тремя состояниями выхода необходимо собрать схему как на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1- ЛЭ НЕ ТТЛ с тремя состояниями выхода
Рисунок 5.2- ЛЭ НЕ ТТЛ с тремя состояниями выхода
Рисунок 5.3- ЛЭ НЕ ТТЛ с тремя состояниями выхода
Рисунок 5.4- ЛЭ НЕ ТТЛ с тремя состояниями выхода
Таблица 5.1- результаты измерений
Переключатель |
Переключатель |
Iy, мА |
Uвых, В |
Состояние |
«1» |
«2» |
|
|
выхода |
|
|
|
|
|
1 |
1 |
0 |
0,0462 |
Z |
|
|
|
|
|
0 |
1 |
-0,2344 |
0,04521 |
Z |
|
|
|
|
|
1 |
0 |
-1,192 |
0,05932 |
0 |
|
|
|
|
|
0 |
0 |
-1,856 |
3,234 |
1 |
|
|
|
|
|
6 ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЭ НЕ ТТЛ С ОТКРЫТЫМ КОЛЛЕКТОРОМ
Для исследования ЛЭ НЕ с открытым коллектором необходимо собрать схему, как на рисунке 6.1 и 6.2. Результаты измерений представлены в таблице
6.1.
Рисунок 6.1 – ЛЭ НЕ ТТЛ с открытым коллектором
Рисунок 6.2 – ЛЭ НЕ ТТЛ с открытым коллектором
Таблица 6- результаты измерений
Переключатель |
I, мА |
Uвых, В |
Состояние |
|
|
|
переключателя |
|
|
|
|
0 |
-1,192 |
0 |
Z |
|
|
|
|
1 |
0 |
0,06574 |
0 |
|
|
|
|
Подключим еще один источник питания, получим схему, как на рисунке
6.3и 6.4. Измерения занесены в таблицу 6.2.
Рисунок 6.3 – ЛЭ НЕ ТТЛ с открытым коллектором
Рисунок 6.4 – ЛЭ НЕ ТТЛ с открытым коллектором
Таблица 6.2- результаты измерений
Переключатель |
I, мА |
Uвых, В |
Состояние |
|
|
|
переключателя |
|
|
|
|
1 |
0 |
0,165 |
0 |
|
|
|
|
0 |
-1,192 |
4,990 |
1 |
|
|
|
|
Заключение
В ходе лабораторной работы были собраны стенды для исследования ЛЭ НЕ, стенды для исследования ЛЭ 3И-НЕ, 2ИЛИ-НЕ,
собраны стенды для исследования составного транзистора на выходе по схеме Дарлингтона, дляисследования схемы с 3 состояниями выходами, а
также схемы с открытым коллектором для заданного вариантом диода
1N4150 и транзистора 2N2924.
На каждой схеме был измерен ток утечки на входе Iу и напряжение выходаUвых при всех положениях переключателя.