Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

2791

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
2.31 Mб
Скачать

Продолжение табл. 2.13

 

 

 

500

 

 

 

 

5

21

21

 

 

 

ФКР

 

 

100

40-50

 

 

 

5

30

20

-

 

Г

 

 

100

 

 

 

 

10

32

32

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

От -

 

 

10

12

 

2ФК

 

 

100

 

 

 

 

20

24

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

МВ

 

 

100

40-

 

 

-

-

20

24

 

 

 

 

до70

 

 

 

 

200

500

 

 

 

30

34

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

34

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

40-50

 

 

 

 

 

20

24

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

20

24

 

2ФК

 

 

100

 

 

 

 

-

-

30

34

 

МТ

 

 

200

 

 

 

 

 

 

30

34

 

2ФК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПД

 

 

50

50

 

 

 

5

24

 

 

 

 

 

 

 

 

100

40-

 

 

 

5

37

 

-

 

-

 

 

 

 

200

50

 

 

 

5

37

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФК-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПА

 

 

70

 

 

 

 

0,8

2

 

 

 

 

 

 

 

 

140

15

 

 

 

1,8

3,2

 

0,94

 

1,5

 

 

 

 

 

 

 

 

От -

 

 

 

 

 

 

 

 

ФК-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

ПБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

до

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

70

15

 

 

0,8

3,8

 

1,1

 

1,5

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФК-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПВ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

140

15

 

 

 

1,8

2,82

 

1,1

 

2,0

 

2ФК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

РВ

 

 

100

15

 

 

 

3

9

 

7

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

16

 

16

 

-

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

23

 

19

 

-

 

 

 

 

 

100

40-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

От -

 

10

23

 

21

 

-

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

0,8

3

 

1,1

 

2,26

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

до

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

70

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-ВЛ Плёнка931

-

Плёнка ВЛ-4

Плёнка ВЛ-931

ВЛ931

-

Циакрин

ВЛ931

151

Окончание табл. 2.13

ФК-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

РА

 

 

 

 

 

 

 

 

-4

 

 

 

110

15

 

1,8

4,2

1,1

4,2

ВЛ

ВЛ-4

 

 

 

Плёнка

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФК-

 

 

 

 

 

 

 

 

-4

 

РБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВЛ

 

 

 

70

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Плёнка

 

 

 

140

 

 

0,8

6

1,1

-

ВЛ-4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,8

8

1,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В полупроводниковых тензорезисторах в качестве чувствительного элемента используют монокристаллический полупроводник толщиной 20-50 мкм, шириной до 0,5 мм и длиной 2-12 мм. Особенностью полупроводниковых тензорезисторов является их высокая чувствительность, в 5060 раз превышающая чувствительность проволочных тензорезисторов, и большой уровень выходного сигнала (0,1 В и более). Сопротивление полупроводникового тенэорезистора при одних и тех же размерах посредством добавления присадок и выбора определенной технологии изготовления может меняться от 100 Ом до 50 кОм. Тензорезисторы из кремния и германия обладают высокой чувствительностью, химически инертны и выдерживают нагрев до 500-540 °С. Конструкции полупроводниковых тензорезисторов приведены на рис. 2.20 а (серия КТЭ и КТД) и рис. 2.20 б (серия Ю-8).

Рис. 2.20. Полупроводниковые тензорезисторы

152

Вывод тензорезистора имеет два участка. Участок 1 обеспечивает сварку с полупроводником, участок 2 используют для монтажа в схемах. Тензорезисторы КТД имеют проводимость p-типа, а КТЭ - n-типа. Коэффициент тензочувствительности этих тензорезисторов равен 120 ± 20, номинальный ток 15 мА, рабочий диапазон температур от-160 до 300. °С, температурный коэффициент сопротивления 0,45 % - °С, предельно измеряемая деформация 0,004. Коэффициент тензочувствительности равен 100 ± 10, номинальный рабочий ток для Ю-8 15 мА, для тензорезисторов Ю-12 10 мА, диапазон рабочих температур от -60 до 115°С. К недостаткам полупроводниковых тензорезисторов следует отнести их малую механическую прочность, высокую чувствительность к воздействию внешних условий и существенный разброс характеристик от образца к образцу. При измерении динамических нагрузок имеется ряд особенностей.

Длительность надежной работы при циклических и вибрационных нагрузках определяется для тензорезисторов их собственной динамической стойкостью, которая зависит от материалов решетки и основы, конструкции решетки и выводов тензорезисторов. Для низко- и средне - частотных процессов используют проволочные и фольговые тензорезисторы. Динамические нагрузки больших амплитуд измеряют проволочными тензорезисторами. Наибольшей динамической стойкостью обладают тензореэисторы на фенольной, фуриловой и пластифицированной эпоксидной пленочной основах. Охарактеризованные первичные преобразователи являются составной частью сложных измерительных систем.

153

2.5. Измерения радиационного излучения. Средства измерения радиационного излучения

По виду регистрируемого излучения различают дозиметрические приборы: для мягкого рентгеновского излучения, для рентгеновского и гамма излучения, для бета и излучений, для других тяжелых заряженных частиц и для нейтронов [4]. По способу регистрации излучения в соответствии с физическими методами дозиметрии различают приборы: ионизационные, люминесцентные (сцинтилляционные), полупроводниковые, фото дозиметрические, химические и калориметрические. Наиболее широкое применение получили ионизационные и люминесцентные дозиметрические приборы. В зависимости от измеряемых параметров различают дозиметрические приборы, предназначенные для измерения дозы или мощности дозы излучения-рентгенометры (дозиметры), и приборы, измеряющие активность или плотность потока ионизирующих излучений, позволяющие вести счет отдельным частицам (квантам) и называемые радиометрами. По измеряемой физической величине и типу регистрирующего устройства бывают приборы, показывающие результат, и интегрирующие, которые суммируют результат измерения за определенный промежуток времени. Для анализа энергетического спектра излучения, выделения определенной компоненты в излучении сложного состава и ряда других целей пользуются вспомогательными радиотехническими приборами (пересчетные устройства с запоминающими схемами, амплитудные дискриминаторы и анализаторы).

154

 

 

Таблица 2.14

 

Виды ионизирующих излучений

Термин

Определение

1

Фотонное

Электромагнитное косвенное ионизирующее

ионизирующее излучение

излучение.

2

Гаммаизлучение

Фотонное излучение, возникающее при

 

 

изменении энергетического состояния

 

 

атомных ядер или при аннигиляции частиц.

3

Тормозное излучение

Фотонное излучение с непрерывным

 

 

энергетическим спектром, возникающее при

 

 

уменьшении кинетической энергии

 

 

заряженных частиц.

4

Характеристическое

Фотонное излучение с дискретным

излучение

энергетическим спектром, возникающее при

 

 

изменении энергетического состояния

 

 

электронов атома.

5

Рентгеновское

Фотонное излучение, состоящее из

излучение

тормозного и (или) характеристического

 

 

излучений.

6

Корпускулярное

Ионизирующее излучение, состоящее из

излучение

частиц с массой, отличной от нуля.

 

 

Примечание. Нейтринное излучение также

 

 

относится к корпускулярному излучению.

7

Альфа-излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из

 

 

частиц, испускаемых при ядерных

 

 

превращениях.

8

Электронное излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из

 

 

электронов и (или) позитронов.

9

Бета-излучение

Электронное излучение, возникающее при

 

 

бета-распаде ядер или нестабильных частиц.

10 Конверсионные

Электронное излучение, возникающее при

электроны

внутренней конверсии гамма-излучения.

11 Фотоэлектроны

Электронное излучение, возникающее при

 

 

фотоэлектрическом взаимодействии

 

 

фотонного излучения с веществом.

12 Комптоновские

Электронное излучение, возникающее при

электроны

комптоновском (некогерентном) рассеянии

 

 

фотонного излучения.

13 Электроны

Электронное излучение, возникающее при

 

 

переходе атомов из возбужденного состояния

 

 

в энергетическое сопровождаемом фотонов.

 

 

 

155

 

 

Продолжение табл. 2.14

14

Протонное излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из ядер

 

 

1Н.

15

Нейтронное излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из

 

 

нейтронов.

 

 

Примечания:

 

 

1 Нейтроны, испускаемые при делении

 

 

атомных ядер, называются нейтронами

 

 

деления.

 

 

2 Нейтроны, испускаемые при

 

 

взаимодействии фотонного излучения с

 

 

атомными ядрами, называются

 

 

фотонейтронами.

16

Холодные нейтроны

Нейтронное излучение со средней энергией

 

 

нейтронов, меньшей средней энергии атомов

 

 

окружающей среды.

17

Тепловые нейтроны

Нейтронное излучение, находящееся в

 

 

термодинамическом равновесии с

 

 

рассеивающими атомами среды.

18

Промежуточные

Нейтронное излучение с энергией нейтронов в

нейтроны

интервале от средней энергии тепловых

 

 

нейтронов до 200кэВ.

19

Быстрые нейтроны

Нейтронное излучение с энергией нейтронов в

 

 

интервале от 200кэВ до 20МэВ.

20

Сверхбыстрые

Нейтронное излучение с энергией нейтронов

нейтроны

больше 20МэВ.

21

Мезонное излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из

 

 

мезонов.

22

Нейтринное излучение

Корпускулярное излучение, состоящее из

 

 

нейтрино.

23

Космическое

Ионизирующее излучение, состоящее из

излучение

первичного ионизирующего излучения,

 

 

пропускающего из космического

 

 

пространства, и вторичного ионизирующего

 

 

излучения, возникающего в результате

 

 

взаимодействия первичного ионизирующего

 

 

излучения со средой.

24

Моноэнергетическое

Ионизирующее излучение, состоящее из

ионизирующее излучение

фотонов одинаковой энергии или частиц

 

 

одного вида с одинаковой кинетической

 

 

энергией.

 

 

 

156

 

Окончание табл. 2.14

25 Немоноэнергетическое

Ионизирующее излучение, состоящее из

ионизирующее излучение

фотонов, различной энергии или частиц

 

одного вида с разной кинетической энергией.

26 Смешанное

Ионизирующее излучение, состоящее из

ионизирующее излучение

частиц различного вида или из частиц и

 

фотонов.

27 Направленное

Ионизирующее излучение с выделенным

ионизирующее излучение

направлением распространения.

28 Диффузное

Ионизирующее излучение, не имеющее

ионизирующее излучение

преимущественного направления

 

распространения.

29 Поляризованное

Ионизирующее излучение, состоящее из

ионизирующее излучение

частиц с определенной ориентацией спинов и

 

(или) фотонов с определенной ориентацией

 

электрического вектора.

 

 

30 Естественный фон

Ионизирующее излучение, состоящее из

ионизирующего

космического излучения и ионизирующего

излучения

излучения естественно распределенных

 

природных радиоактивных веществ.

31 Фон ионизирующего

Ионизирующее излучение, состоящее из

излучения

естественного фона и ионизирующих

 

излучений посторонних источников.

Ионизационные приборы основаны на использовании явления взаимодействия ионизирующего излучения с веществом, при котором часть энергии излучения передается атомам этого вещества и расходуется на их ионизацию. Под действием радиоактивных излучений воздух между обкладками конденсатора ионизируется, и его молекулы и атомы из электрически нейтральных превращаются в ионы, несущие положительные и отрицательные заряды. Наличие разности потенциалов, приложенной к обкладкам, приводит к тому, что ионы разных знаков, двигаясь в противоположные направления, вызовут ток в цепи, пропорциональный интенсивности излучения.

157

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным требованием, предъявляемым к современной радиоэлектронной аппаратуре, является пригодность использования ее по назначению в заданных условиях. Совокупность свойств, определяющих степень пригодности, характеризуется качеством. Составной частью качества является надежность, в понятие которой включается некоторая часть свойств, определяющих качество.

Анализ технологических процессов испытаний и практика их проведения позволяют выделить характерные для всех видов испытания этапы, а именно: подготовку объекта и оборудования к испытаниям и собственно испытания. К последним относится управление процессом испытаний; измерение физических параметров объекта испытаний и внешних воздействий; обработка результатов измерений; анализ состояния объекта испытаний; выработка рекомендаций по корректировке проектных решений; регулировка; диагностирование и поиск неисправностей объекта испытаний; регистрация результатов или документирование технологического процесса испытаний.

Все перечисленные этапы состоят из сложных и трудоемких информационно-измерительных и управляющих процессов. Успешная их реализация невозможна без знания и правильного использования средств испытательного оборудования.

Учебное пособие написано по программе курса «Методы и средства испытаний и контроля приборов и систем» читаемого в ВГТУ по направлению 12.03.01 «Приборостроение» (профиль «Приборостроение») и 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств» (профиль «Проектирование и конструирование электронных средств»). Материал пособия излагается на основе действующих государственных и отраслевых стандартов.

158

ГЛОССАРИЙ

1.Контроль - процесс установления соответствия между состоянием объекта и заданной нормы путем восприятия и оценки информации.

2.Испытания - процесс определения параметров РЭА по установленной методике с целью оценки их соответствия требованиям.

3.Виды контроля:

по способу контроля;

по отношению к производственному процессу;

по способу определения степени пригодности изделия к использованию;

по степени охвата;

по характеру воздействия контроля на производственный процесс;

по периодичности контроля;

по степени участия человека в контроле.

4.Основные функции ОТК: контроль процесса производства и его подготовка.

5.Операции контроля в процессе производства:

выходной контроль;

контроль за соблюдением технологического

процесса;

анализ брака и дефектов;

техническая приемка и испытания изделий.

6.Способы контроля:

визуальный;

геометрический;

механический;

электрический;

физико-химический;

технологический;

159

7. Факторы, учитываемые при выборе средств контроля:

цели контроля;

виды производства;

назначение контролируемого устройства и степень его сложности;

требуемая надежность РЭА;

место проведения контроля;

допустимая длительность действия средств

контроля;

допустимая погрешность и поля допуска параметров;

условия эксплуатации средств контроля;

квалификация контролеров и безотказность их

работы.

8.Разброс параметров - разность между медианой и значением измеряемого параметра выборки.

9.Цель испытаний - определение работоспособности РЭА при воздействии внешних факторов.

10.Виды испытаний на влагоустойчивость: при длительном и кратковременном воздействии повышенной влажности.

11.В зависимости от условий эксплуатации изделия подвергаются циклическим ил непрерывным испытаниям с выпадением росы или без этого.

12.Способы создания условий для выпадения росы:

ежесуточное включение источников нагрева и влаги на определенное время (6-8 часов);

периодическое (суточное) понижение температуры на 5-10 градусов.

13.При длительных испытаниях на влагоустойчивость время выдержки составляет 24 часа, при кратковременных - 1- 2 часа.

14.Проблемы при испытаниях на влагоустойчивость, с которыми сталкиваются специалисты:

160

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]