FOELAB5

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»

___________________________________________________

Отчет

Лабораторная работа №5

«Исследование биполярного транзистора в режиме насыщения и отсечки»

«Исследование электронного ключа на биполярном транзисторе»

Работу выполнял:

Фомин Павел Викторович

ИКТ-03

Преподаватель:

Орлов С.А.

Цель работы:

1. Освоить методику экспериментального исследования транзисторных схем на постоянном токе и в импульсном режиме.

2. Исследовать особенности работы транзистора в режимах насыщения и отсечки.

3. Убедиться в том, что биполярный транзистор может использоваться в качестве электронного ключа.

1. Исследование начального участка выходной характеристики транзистора

Схема

Измерения

UКЭ В	1	0,44	0,32	0,28	0,24	0,21	0,16	0,11	0,08	0
IК мА	10	9,9	9,5	9	8	7	5	3	2	0

График

Вычисления

2. Исследование транзисторного ключа

Схема

Вычисления

U^{0 =} 0,04 В U^Л=9,94 В

Вывод:

1. мало влияет на ток коллектора в режиме насыщения.

2. Транзистор, который работает в режиме насыщения, можно считать короткозамкнутой, а транзистор, который работает в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.

3. Открытому состоянию ключа соответствует низкий уровень выходного напряжения (логический ноль), а закрытому соответствует высокий уровень выходного напряжения (логическая единица), поэтому транзисторный ключ может выполнять логическое сложение.