FOELAB2
.docxФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»
___________________________________________________
Отчет по лабораторной работе №2.
Исследование характеристики и параметров полупроводниковых диодов
Работу выполнил:
Фомин Павел Викторович
ИКТ-03
Преподаватель: Орлов С.А
Исследование характеристики и параметров полупроводниковых диодов.
Цель:
1. Освоить методику экспериментального исследования статических характеристик полупроводниковых приборов.
2. Исследовать вольта-амперные характеристики германиевого и кремниевого диодов и диод Шоттки.
3. Рассчитать значения основных параметров диодов.
4. Рассчитать теоретически вольт амперные характеристики диодов и сопоставить их с экспериментальными.
Результаты выполненной работы
1. Исследование вольт амперной характеристики полупроводниковых диодов.
1.1 Исследование прямой ветви характеристики
R= 560 Ом
U |
В |
0,42 |
0,39 |
0,35 |
0,29 |
0,26 |
0,23 |
0,02 |
0,17 |
0,15 |
0,13 |
0,1 |
0,06 |
0 |
I |
мА |
19 |
15 |
10 |
5 |
3 |
2 |
1 |
0,5 |
0,3 |
0,15 |
0,05 |
0,01 |
0 |
a) Таблица для германиевого диода (Ge)
U |
В |
0,72 |
0,71 |
0,69 |
0,66 |
0,63 |
0,61 |
0,58 |
0,55 |
0,53 |
0,5 |
0,46 |
0,4 |
0 |
I |
мА |
18,5 |
15 |
10 |
5 |
3 |
2 |
1 |
0,5 |
0,3 |
0,15 |
0,05 |
0,01 |
0 |
б) Таблица для кремниевого диода (Si)
U |
В |
0 |
0,28 |
0,27 |
0,26 |
0,24 |
0,23 |
0,22 |
0,2 |
0,18 |
0,17 |
0,15 |
0,12 |
0,08 |
0 |
I |
мА |
0 |
19,3 |
15 |
10 |
5 |
3 |
2 |
1 |
0,5 |
0,3 |
0,15 |
0,05 |
0,01 |
0 |
в) Таблица для диода Шоттки
1.2 Исследование обратной ветви характеристики
a) Таблица для германиевого диода (Ge)
U |
В |
-20 |
-19 |
-12,7 |
-7,4 |
-3,2 |
-0,6 |
0 |
I |
мА |
-6 |
-5 |
-4 |
-3 |
-2 |
-1 |
0 |
б)
Таблица для диода Шоттки
U |
В |
-20 |
-12,9 |
-5,6 |
-0,09 |
0 |
I |
мА |
-0,04 |
-0,03 |
-0,02 |
-0,01 |
0030 |
2. Расчет основных параметров диодов
R=
r0 =
rpn =
r0 – статическое сопротивление диода
rpn – дифференциальное сопротивление диода (производная напряжения, взятая по току).
I- прямой ток
U- напряжение на диоде
Прямая ветвь
I= 10 мА
Диод |
Ge |
Si |
r0, Ом |
35 |
69 |
rдф, Ом |
8,4 |
3,5 |
Обратная ветвь
U= 10 В
Диод |
Ge |
ro, Ом |
286 |
rдф, Ом |
5,33 |
Вывод:
1) На прямой ветви ток растет быстрее, чем напряжение
2) Вольт амперная характеристика нелинейная
3) На прямой ветви у диода Шоттки сила тока изменяется интенсивнее, чем у кремниевого диода
4) На обратной ветви сила тока у германиевого диода падает интенсивнее, чем у диода Шоттки
5) На обратной ветви сила тока у кремниевого диода не опускается ниже 0,5 мкА
6) График обратной ветви у кремниевого диода отсутствует, ведь его обратный ток настолько мал, что он не может быть измерен используемым в лабораторной установке миллиамперметром.