ЛР3 / 9492_Скотаренко_ЭТ материаловедение_ЛР3_исправлено

lg

ф1

ф2

Рисунок 2. График световой характеристики для 1-го и 2-го фоторезисторов.

График с моим исправлением «неточности»:

11

lg

ф1

ф2

Рисунок 3. График световой характеристики для 1-го и 2-го фоторезисторов с предложенным исправлением.

Мы изучили спектральные зависимости фотопроводимости полупроводников СdS и СdSе и зависимости фотопроводимости от уровня оптического облучения, и пришли к следующим выводам:

- Спектральная зависимость фотопроводимости полупроводников имеет сложный нелинейный характер, похожий по структуре на нормальное распределение вероятностей (распределение Гаусса). При достижении энергией фотона некоторого порогового значения (длина волны – пороговая, красная граница фотоэффекта), фотопроводимость начитает быстро расти, а затем, достигнув некоторого максимума начинает уменьшаться. Так как энергия

12

фотона обратно пропорциональна длине волны, то у зависимости от длины волны, наоборот, при уменьшении длины волны от красной границы, фотопроводимость увеличивается, а потом начинает уменьшаться, так как при малых длинах волн возрастает коэффициент оптического поглощения, что сопровождается уменьшением глубины проникновения света в полупроводник. При этом неравновесные носители заряда, возбуждаемые в тонком поверхностном слое, быстро рекомбинируют через уровни поверхностных дефектов.

- Зависимость фотопроводимости от уровня оптического облучения относительно близка к линейной.

Также мы экспериментально нашли приблизительную красную границу фотоэффекта и энергию активации для обоих фоторезисторов:

-для 1-го фоторезистора≈ 559: нм, ∆Э = 3.554 10−19 Дж ≈ 2.218 Эв

пор1

-для 2-го фоторезистора≈ 591: нм, ∆Э = 3.361 10−19 Дж ≈ 2.098 Эв

пор2

13