4304
.pdf21
ПЕРЕЧЕНЬ ВОПРОСОВ К ЭКЗАМЕНУ
1.Определение твердого тела. Кристаллические и аморфные твердые тела, связь с порядком.
2.Электронная конфигурация внешних оболочек атомов.
3.Формирование кристаллической структуры из изолированных ато-
мов.
4.Точечные и пространственные группы симметрии. Базис и кристаллическая структура. Элементарная ячейка. Решетка Браве.
5.Классификация кристаллов по типу симметрии. Связь симметрии кристаллов с симметрией тензоров, описывающих физические свойства кристаллов.
6.Определение обратной решетки. Свойства векторов обратной решетки. Плоскости решетки и индексы Миллера.
7.Дифракция рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Атомный и структурный факторы рассеяния.
8.Типы связи в твердых телах. Природа сил связи атомов в кристаллической решетке. Ионная связь: энергия связи, постоянная Маделунга.
9.Природа сил отталкивания. Ковалентная связь: обменное взаимодействие, направленность и насыщенность связей.
10.Колебания атомов в решетке твердого тела. Теорема Блоха.
11.Понятие квазиимпульса. Зона Бриллюэна. Обобщение на трехмерный случай.
12.Свободный электрон, электрон в потенциальной яме, потенциальные барьеры. Кристалл, как цепочка потенциальных ям.
13.Электрон в линейной цепочке потенциальных ям. Энергетические зоны в кристаллах. Металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории.
14.Число возможных состояний для электрона в кристалле с энергией
E>Ec.
15.Распределение Ферми-Дирака и Больцмана для числа электронов в зависимости от уровня энергии. Энергия Ферми и поверхность Ферми.
16.Уравнения динамики кристаллической решетки в гармоническом приближении.
17.Классическая теория теплоемкости твердого тела.
18.Квантовомеханическая задача о гармоническом осцилляторе. Квантование энергии колебаний кристаллической решетки.
19.Распределение Планка. Квантовая теория теплоемкости.
20.Модель Эйнштейна и модель Дебая. Электронная теплоемкость.
21.Ангармонизм колебаний атомов решетки. Тепловое расширение.
22.Взаимодействие фононов.
23.Нормальные процессы и процессы переброса. Теплопроводность. Закон Видемана-Франца. Поправки к закону Дюлонга и Пти.
24.Комплексная диэлектрическая проницаемость. Связь между поглощением и преломлением света. Соотношение Крамерса-Кронига.
22
25.Методы выращивания объемных монокристаллов из жидкой и газо-
вой фаз.
26.Методы выращивания эпитаксиальных пленок. Эпитаксия из жидкой
игазовой фазы, металлоорганическая эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия.
27.Методы определения структурного совершенства и химического состава объемных кристаллов и пленок.
28.Электронный парамагнитный резонанс. Спектры ЭПР.
29.Время релаксации. Ядерный магнитный резонанс и ядерный квадрупольный резонанс.
30.Методы исследования структуры твердых тел. Рентгеновская дифрак-
ция.
31.Дифракция электронов. Дифракция нейтронов.
32.Методы исследования поверхности твердых тел. Электронная микро-
скопия.
33.Статистика носителей заряда в полупроводниках. Электроны и дырки.
34.Полупроводники с прямой и непрямой щелью. Оптическая и термическая активация.
35.Легирование полупроводников. Доноры и акцепторы. Мелкие и глубокие примеси.
36.Поверхностные состояния и поверхностные зоны. Искривление зон у поверхности. Поверхностная рекомбинация. Эффект поля.
37.Размерное квантование. Двумерные, одномерные и нуль-мерные полупроводниковые структуры.
38.Контра- и ковариантные композиционные сверхрешетки, легированные сверхрешетки.
39.Электрические и гальваномагнитные явления в двумерных структурах. Квантовый эффект Холла.
40.Неупорядоченные среды. Ближний и дальний порядок. Сильно легированные полупроводники.
41.Прыжковая проводимость. Закон Мотта. Щель подвижности.
42.Магнитные свойства веществ. Диамагнетизм и парамагнетизм. Гиромагнитное отношение.
43.Закон Кюри и закон Кюри-Вейсса.
44.Парамагнетизм Паули и диамагнетизм Ландау.
45.Понятие об обменном взаимодействии. Обменный интеграл. Ферромагне-
тизм.
46.Эффект Мейсснера. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.
47.Вихри Абрикосова. Критический ток.
48.Туннельные эффекты в сверхпроводниках.
49.Эффект Джозефсона. Принцип действия СКВИДов.
50.Основные идеи теории Бардина-Купера-Шриффера. Электронные пары. Теория Гинзбурга-Ландау.
23
Билеты для проведения экзамена
Билет №1
Вопрос 1. Определение твердого тела. Кристаллические и аморфные твердые тела, связь с порядком.
Вопрос 2. Уравнения динамики кристаллической решетки в гармоническом приближении.
Вопрос 3. Легирование полупроводников. Доноры и акцепторы. Мелкие и глубокие примеси.
Билет №2
Вопрос 1. Электронная конфигурация внешних оболочек атомов. Вопрос 2. Классическая теория теплоемкости твердого тела. Вопрос 3. Туннельные эффекты в сверхпроводниках.
Билет №3
Вопрос 1. Формирование кристаллической структуры из изолированных атомов.
Вопрос 2. Квантовомеханическая задача о гармоническом осцилляторе. Квантование энергии колебаний кристаллической решетки.
Вопрос 3. Поверхностные состояния и поверхностные зоны. Искривление зон у поверхности. Поверхностная рекомбинация. Эффект поля.
Билет №4
Вопрос 1. Точечные и пространственные группы симметрии. Базис и кристаллическая структура. Элементарная ячейка. Решетка Браве.
Вопрос 2. Модель Эйнштейна и модель Дебая. Электронная теплоемкость.
Вопрос 3. Размерное квантование. Двумерные, одномерные и нульмерные полупроводниковые структуры.
Билет№5
Вопрос 1. Классификация кристаллов по типу симметрии. Связь симметрии кристаллов с симметрией тензоров, описывающих физические свойства кристаллов.
Вопрос 2. Распределение Планка. Квантовая теория теплоемкости. Вопрос 3. Контра- и ковариантные композиционные сверхрешетки, ле-
гированные сверхрешетки.
Билет №6
Вопрос 1. Определение обратной решетки. Свойства векторов обратной решетки.
Вопрос 2. Ангармонизм колебаний атомов решетки. Тепловое расширение. Взаимодействие фононов.
Вопрос 3. Электрические и гальваномагнитные явления в двумерных структурах. Квантовый эффект Холла.
24
Билет №7
Вопрос 1. Плоскости решетки и индексы Миллера.
Вопрос 2. Нормальные процессы и процессы переброса. Теплопроводность. Закон Видемана-Франца. Поправки к закону Дюлонга и Пти.
Вопрос 3. Основные идеи теории Бардина-Купера-Шриффера. Электронные пары. Теория Гинзбурга-Ландау.
Билет №8
Вопрос 1. Дифракция рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Атомный и структурный факторы рассеяния.
Вопрос 2. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Связь между поглощением и преломлением света. Соотношение Крамерса-Кронига.
Вопрос 3. Прыжковая проводимость. Закон Мотта. Щель подвижности.
Билет №9
Вопрос 1. Типы связи в твердых телах. Природа сил связи атомов в кристаллической решетке. Ионная связь: энергия связи, постоянная Маделунга.
Вопрос 2. Методы выращивания объемных монокристаллов из жидкой и газовой фаз.
Вопрос 3. Магнитные свойства веществ. Диамагнетизм и парамагнетизм. Гиромагнитное отношение.
Билет №10
Вопрос 1. Природа сил отталкивания. Ковалентная связь: обменное взаимодействие, направленность и насыщенность связей.
Вопрос 2. Методы выращивания эпитаксиальных пленок. Эпитаксия из жидкой и газовой фазы, металлоорганическая эпитаксия, молекулярнолучевая эпитаксия.
Вопрос 3. Закон Кюри и закон Кюри-Вейсса.
Билет №11
Вопрос 1. Колебания атомов в решетке твердого тела. Теорема Блоха. Вопрос 2. Методы определения структурного совершенства и химиче-
ского состава объемных кристаллов и пленок.
Вопрос 3. Парамагнетизм Паули и диамагнетизм Ландау.
Билет №12
Вопрос 1. Понятие квазиимпульса. Зона Бриллюэна. Обобщение на трехмерный случай.
Вопрос 2. Электронный парамагнитный резонанс. Спектры ЭПР. Вопрос 3. Эффект Джозефсона. Принцип действия СКВИДов.
Билет №13
Вопрос 1. Свободный электрон, электрон в потенциальной яме, потенциальные барьеры. Кристалл, как цепочка потенциальных ям.
Вопрос 2. Время релаксации. Ядерный магнитный резонанс и ядерный квадрупольный резонанс.
25
Вопрос 3. Понятие об обменном взаимодействии. Обменный интеграл. Ферромагнетизм.
Билет №14
Вопрос 1. Электрон в линейной цепочке потенциальных ям. Энергетические зоны в кристаллах. Металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории.
Вопрос 2. Методы исследования структуры твердых тел. Рентгеновская дифракция. Дифракция электронов. Дифракция нейтронов.
Вопрос 3. Эффект Мейсснера. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.
Билет №15
Вопрос 1. Число возможных состояний для электрона в кристалле с энергией E>Ec
Вопрос 2. Методы исследования поверхности твердых тел. Электронная микроскопия.
Вопрос 3. Вихри Абрикосова. Критический ток.
|
ТЕСТ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ |
|||
|
|
|
|
|
№ воп. |
|
|
|
Формулировка |
1 |
Опираясь на полученный в исследованиях опыт, оцените, можно ли использо- |
|||
|
вать для определения желто-зеленого оттенка (λ=0,524 мкм) полупроводнико- |
|||
|
вый фотоэлемент с красной границей λк=0,635 мкм. |
|||
|
1)можно только для этого оттенка; 2) нельзя только для этого оттенка; 3) можно |
|||
|
для всех оттенков желто-зеленого; 4) ) нельзя для всех оттенков желто-зеленого. |
|||
2 |
Свет, падающий на фоторезистр, вызывает фототок. Как изменится величина |
|||
|
тока насыщения при неизменном напряжении на фоторезисторе, если интен- |
|||
|
сивность света увеличить в 2 раза? |
|||
|
1) |
увеличится; 2) не изменится; |
||
|
3) |
уменьшится; 4) станет равной нулю. |
||
3 |
На рисунке показана кривая зависимости спектральной плот-ности энергетиче- |
|||
|
ской светимости солнца от длины волны при T = |
|||
|
6000 K. Если температура солнца уменьшится, то |
|||
|
максимум излучения… |
|
|
|
|
1) |
уменьшится и сместится вправо; |
||
|
2) |
уменьшится и сместится влево; |
||
|
3) |
увеличится и сместится влево; |
||
|
4) |
увеличится и сместится вправо |
||
|
|
|||
4 |
Момент импульса электрона в атоме и его пространственные |
|||
|
ориентации могут быть условно изображены векторной схемой, |
|||
|
на которой длина вектора пропорциональна модулю орбитально- |
|||
|
го момента импульса |
электрона. На рисунке приведены воз- |
||
|
можные ориентации вектора |
. Значение орбитального кванто- |
||
|
вого числа для указанного состояния равно … |
|||
|
1) 1; 2) 2; 3) 0; 4)стремится к бесконечности |
|||
|
|
|
|
|
26
5Отношение неопределенностей проекций скоростей нейтрона и α-частицы на некоторое направление при условии, что соответствующие координаты частиц определены с одинаковой точностью, равно …
1)2; 2) 1; 3)стремится к бесконечности; 4) 4
6На рисунке схематически представлен график распределения плотности вероятности обнаружения электрона по ширине одномерного потенциального ящика с бесконечно высокими стенками для состояния n=4. Вероятность обнаружить электрон в интервале от 0 до 0,5L равна …
1)50% 2) 25% 3)75% 4)100%
7Как изменится волновой вектор электрона, соответствующий триплету (1,1,1) в 0-D объекте, если размер объекта уменьшить в 2 раза?
1)увеличится в 2 раза; 2) уменьшится в 4 раза; 3) уменьшится в 2 раза; 4) увеличится в 4 раза
8Определите максимальную энергию фотона, излучаемого в инфракрасной области He-Ne лазера. Ответ округлите до сотых.
1) 1,96эВ; 2) 0,37эВ; 3) 1,15эВ; 4) 1,1эВ.
9Определите, во сколько раз контактная разность потенциалов идеального симметричного p-n-перехода будет превосходить T kTe , если Nd 103 ni
|
(ln10≈2,3). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
1) |
2,3 |
2) 9,2 |
3) 13,8 |
4) 4,6 |
|
|
|
|
||
10 |
В результате примеси в квантовой структуре появляются неравновесные носи- |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
тели заряда n 2n0 , и потен- |
|
|
n |
циал Ферми опреде- |
||||||
|
ляется выражением справа. На F |
E |
T ln |
сколько процентов от |
|||||||
|
n0 |
||||||||||
|
φT |
увеличивается потенциал |
|
|
Ферми ?(ln2=0,693) |
||||||
|
1) |
69,3% |
2) 34,65% |
3) 0% |
4) 50% |
|
|
|
11Слой толщиной, соизмеримой с длиной волны де Бройля электрона, называется
…
1)зоной Брюллюена
2)1-D квантовым объектом
3)решеткой Браве
4)2-D квантовым объектом
12Состояние динамического равновесия нано-структуры характеризуется отсутствием токов через нее. Как в этом состоянии должен измениться коэффициент диффузии электронов, если при постоянной подвижности температура полупроводника возрастет в 2 раза?
1)увеличиться в 2 раза
2)уменьшиться в 4 раза
3)не изменяться
4)уменьшиться в 2 раза
13Наноструктура обнаруживает свойство выпрямления переменного тока. Как называется схема включения структуры, при которой ток практически не меняется с ростом напряжения?
1)схема прямого включения; 2) схема обратного включения; 3) участок цепи;
4)схема включения.
27
14Если в p+- n переходе концентрация акцепторной примеси в 3 раза превышает донорную, то отношение ширины этого p-n перехода к симметричному при одинаковой разности потенциалов равно…
1) |
3 2 |
2) 2 |
3 |
3) 2 |
5 |
4) |
3 5 |
15Варикапы - это полупроводниковые диоды, в которых используется барьерная емкость p-n-перехода. Если емкость варикапа будет превышать начальную в 1,41раз, то отношение обратного напряжения на варикапе к максимальному
равно…
1) 0,71 2) 1,41 3) 0,5 4) 0,2
16 УГО полупроводникового диода показано на рисунке справа. Определите тип диода.
1) |
тунельный диод 2) варикап |
3) |
стабилитрон 4) фотодиод |
17В МДП структуре при более высоком потенциале на металле на приповерхностном слое полупроводника…
1)наблюдается обогащение электронами ; 2)наблюдается обеднение электронами
3)концентрация электронов не меняется;
4)наблюдается обогащение дырок.
18В МДП структуре выделяют затвор, сток и исток. Какое напряжение является управляющим?
1)на истоке 2) на стоке;3) на затворе; 4) между стоком и истоком.
19Динамические характеристики ИС на любой квантовой структуре определяются …
1)входными характеристиками 0 и 1; 2) передаточными характеристиками 0 и 1; 3) временем восстановления и задержки при переключении с 0 на 1 и наоборот; 4) уровнем помехи.
20В условиях эксплуатации из-за температурной нестабильности внешней среды число отказов ИС возросло в два раза, как изменится вероятность исправной работы ИС…
1)не изменится; 2) увеличится; 3) незначительно увеличится; 4) уменьшится.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Основная литература
1. Байков, Ю. А. Физика конденсированного состояния : учебное пособие / Ю. А. Байков, В. М. Кузнецов. — 3-е изд. (эл.). — Москва : Лаборатория знаний, 2015. — 296 с. — ISBN 978-5-9963-2960-1. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/70766. — Режим доступа: для авториз. пользовате-
лей.
Дополнительная литература
1. Брандт, Н. Б. Квазичастицы в физике конденсированного состояния : учебное пособие / Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский. — 3-е изд. — Москва :
ФИЗМАТЛИТ, 2010. — 632 с. — ISBN 978-5-9221-1209-3. — Текст : элек-
тронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL:
28
https://e.lanbook.com/book/59598. — Режим доступа: для авториз. пользовате-
лей.
2.Ландау, Л. Д. Теоретическая физика: учебное пособие / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. — 4-е изд., стер. — Москва : ФИЗМАТЛИТ, [б. г.]. — Том 9 : Статистическая физика. Ч. 2. Теория конденсированного состояния — 2004.
—496 с. — ISBN 5-9221-0296-6. — Текст : электронный // Лань : электронно-
библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/2235 (дата обра-
щения: 04.10.2020). — Режим доступа: для авториз. пользователей.
3.Морозов, А. И. Элементы современной физики твердого тела: Учебное пособие/ А.И. Морозов - Долгопрудный: Интеллект, 2015. - 216 с. ISBN
978-5-91559-191-1. - Текст: электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/518200. – Режим доступа: по подписке.
4.Конденсированные среды и межфазные границы: Научный журнал http://www.kcmf.vsu.ru
5.Журнал "Физика твердого тела" http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftt/
6. Физика древесины [Текст]: учебное пособие / И. П. Бирюкова, В.В. Саушкин; М-во образования и науки РФ, ФГБОУ ВПО «ВГЛТА».– Воронеж,
2018. - 110 с.
Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети «Интернет»
Для освоения дисциплины необходимы следующие ресурсы информа- ционно-телекоммуникационной сети «Интернет»:
1.Свободная энциклопедия https://ru.wikipedia.org/
2.Словари, определения http://dic.academic.ru/
3.Основы физики твердого тела http://pskgu.ru/ebooks/kittelftt.htm
4.Покрытия на полимерной основе: http://window.edu.ru/resource/
5.Физико-химические основы материаловедения http://window.edu.ru/resource/
6.Измерения теплофизических величин: http://window.edu.ru/resource/
Перечень профессиональных баз данных и информационных справочных систем
Для освоения дисциплины необходимы следующие профессиональные базы данных и информационно справочные системы:
1.Электронный каталог Российской государственной библиотеки им.
Ленина – http://aleph.rsl.ru/F/?func=file&file_name=find-a
2.Электронный каталог Государственной публичной научно-техниче- ской библиотеки России – http://library.gpntb.ru/cgi/irbis64r/62/cgiirbis_64.exe?C21COM=F&I21DBN=IBI S&P21DBN=IBIS&Z21ID=
29
3. Web of Science – реферативная аналитичекая и цитатная база данных журнальных статей.
4. PhysNet – Physics Departments and Documents Worldwide (www.physnet.de) – информация о научных конференциях и журналах, о публикациях в области физики, о физических институтах и факультетах университетов, и (в разделе Links) ссылки на другие указатели в области физики и смежных дисциплин.
5.Atomic Physics on the Internet (plasma-gate.weizmann.ac.il) – каталог серверов по атомной физике по всему миру; сайт предлагает свободный доступ к препринтам статей по физике с 1994 г., а также к книгам по различным разделам физики.
6.Патенты России:
http://www1.fips.ru/wps/wcm/connect/content_ru/ru/inform_resources/inform_retr ieval_system/
30
Учебное издание
В.В. Саушкин, Н.Н. Матвеев, Н.Ю. Евсикова, Н.С. Камалова
Физика конденсированного состояния Методические указания к практическим занятиям аспирантов
по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия направленность – Физика конденсированного состояния
Электронный ресурс