Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

bogodukhov_s_i_sinyukhin_a_v_kozik_e_s_kurs_materialovedeniy

.pdf
Скачиваний:
134
Добавлен:
02.01.2021
Размер:
1.99 Mб
Скачать

ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА

21

 

 

4. C) Неверно. В группу редкоземельных металлов входят лан* таноиды и сходные с ними иттрий и скандий. Вольфрам к лантанои* дам не относится.

5. C) Правильно.

6. C) Правильно.

7. C) Неверно. Sn относят к легкоплавким металлам (tпл

232 °С), к тому же по плотности олово лишь немного уступает железу.

8. C) Неверно. Низкую температуру плавления имеет только сурьма (630 °С), а у Ni она достаточно высока (1453 °С). Никель отно* сят к металлам железной группы.

9. C) Правильно.

10. C) Правильно.

11. C) Неверно. Анизотропия свойственна всем кристалличе* ским телам, в том числе и с направленными межатомными связями.

12. C) Неверно.

13. C) Неверно. Неметаллический материал графит обладает электропроводностью, сравнимой с электропроводностью металлов.

14. C) Для меди действительно характерна прямая зависимость электросопротивления от температуры, однако так ведет себя не только медь. Ищите более полный ответ.

15. C) Правильно.

16. C) Неверно. Дрейф электронов обусловливает электриче* ский ток в среде. Перенос же тепла наблюдается и в отсутствие элек* трического тока.

17. C) Неверно. Домены связаны с кристаллической структурой ферромагнетиков, но дефектами ее не являются.

Позиция D

1. D) Неверно. По удельной прочности классифицируют конст* рукционные материалы. К тому же такие материалы, как сплавы ти* тана, бериллия и особенно композиты, обладают более высокой удельной прочностью, чем сплавы на основе железа.

2. D) Неверно. Дуралюмины — это цветные сплавы на основе алюминия.

3. D) Неверно. К редкоземельным относят металлы группы лантана — лантаноиды (Ce, Pr, Nd, Sm и др.), а также иттрий (Y) и скандий (Sc). Большинство РЗМ имеют tпл ниже, чем у железа.

4. D) Правильно.

5. D) Неверно. К тугоплавким относятся металлы с температу* рой плавления выше tпл железа.

6. D) Неверно. К редкоземельным относятся металлы группы лантана, иттрий и скандий. Магний в группу лантана не входит.

22КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ

7. D) Правильно.

8. D) Неверно. Низкую температуру плавления имеет только Zn (420 °С), а у Co она достаточно высока (1493 °С). Кобальт относят к металлам железной группы.

9. D) Неверно. Золото — благородный металл, никель — цвет* ной металл.

10. D) Неверно. Направленность связей характерна для кова* лентных кристаллов, например, для углерода, кремния. Металличе* ская связь ненаправленная.

№№ 11–13. D) Правильно.

14. D) Неверно. Для полупроводников характерна обратная за* висимость электросопротивления от температуры.

15. D) Для полупроводниковых материалов действительно ха* рактерна обратная зависимость электросопротивления от температу* ры. Однако такая взаимосвязь существует для более широкого круга материалов. Ищите более полный ответ.

16. D) Неверно. Нескомпенсированность собственных (спино* вых) моментов электронов характерна для парамагнетиков. Парамаг* нетизм наблюдается как у металлов, так и у неметаллических мате* риалов. Последние обладают невысокой теплопроводностью.

17. D) Неверно. Практически бездефектные участки металли* ческого зерна называют блоками мозаичной структуры.

1.2.2. Кристаллическое строение металлов и дефекты кристаллических структур

Все металлы — кристаллические материалы. Положительно заря* женные ионы, образующие каркас металлического тела, совершают непрерывные тепловые колебания около точек, закономерно распо* ложенных в определенных местах пространства. Эти точки являются узлами воображаемой пространственной кристаллической решетки.

Наименьший объем кристалла, при трансляции которого по ко* ординатным осям воспроизводится вся кристаллическая решетка, называется элементарной кристаллической ячейкой. Ячейка характе* ризуется параметрами a, b и c — периодами кристаллической решет* ки (расстояниями между атомами, расположенными на ребрах ячей* ки, направленных по осям x, y и z соответственно) и углами между координатными осями — (между осями x и z), (между y и z),(между x и y).

Различают простые и сложные кристаллические решетки. В эле* ментарной ячейке простой решетки атомы (ионы) расположены толь* ко в вершинах образующего ячейку многогранника. В сложных — они могут находиться также внутри многогранника или на его гранях.

ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА

23

 

 

Металлы имеют сложные кристаллические решетки. В большин* стве случаев — это кубическая объемно центрированная (ОЦК), кубиче ская гранецентрированная (ГЦК) и гексагональная плотноупакованная

(ГПУ).

В элементарной ячейке ОЦК атомы находятся в вершинах куба и внутри него, в точке пересечения пространственных диагоналей. В ячейке ГЦК атомы расположены в вершинах куба и в центре каждой грани. В ячейке ГПУ атомы находятся в вершинах правильной шести* гранной призмы, в центре каждого ее основания и, кроме того, три атома заключены внутри призмы.

Размеры элементарной ячейки определяются размерами образую* щих ее атомов. При этом полагают, что атомы, представляемые в виде жестких шаров, касаются друг друга в направлениях ячейки с наибо* лее плотным их расположением.

Во многих случаях в разных температурных интервалах один и тот же металл обладает различными кристаллическими решетками. Такое явление носит название полиморфизм или аллотропия.

Важными характеристиками кристаллической решетки являются коэффициент компактности, координационное число, базис.

Коэффициент компактности — это отношение объема принадле* жащих кристаллической ячейке атомов к объему всей ячейки. Следу* ет иметь в виду, что в кристаллической решетке часть атомов, состав* ляющих ячейку, относится не только к данной ячейке, но и к ячей* кам, находящимся по соседству. Например, атом, расположенный в вершине кубической ячейки (простая кубическая, ОЦК, ГЦК), при* надлежит еще семи соседним ячейкам, т.е. данной ячейке принадле* жит лишь 1/8 атома.

Коэффициент компактности простой кубической решетки равен 52 %, ОЦК — 68 %, ГЦК — 74 % (столь же компактна решетка ГПУ). Остальное пространство занято порами. В ячейке ГЦК в центре рас* положена крупная октаэдрическая пора с радиусом, равным 0,41 ра* диуса атома. В ячейке ОЦК больших пор нет. Поры, расположенные на ребрах ячейки, имеют радиус, равный 0,16 радиуса атома.

Координационное число — это число атомов, находящихся в кри* сталлической решетке на равном наименьшем расстоянии от данного атома. Каждый атом простой кубической решетки имеет 6 ближай* ших соседей, расположенных на расстоянии длины ребра куба (на расстоянии периода решетки). Координационное число такой решет* ки обозначают К6. В ОЦК*решетке у каждого атома 8 ближайших со* седей и координационное число равно 8 (К8). В ГЦК и ГПУ решетках каждый атом имеет 12 ближайших соседей. Соответственно коорди* национные числа К12 и Г12.

24 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ

Чем выше координационное число, тем плотнее пространственная кристаллическая решетка материала.

Базис кристаллической решетки — это таблица координат атомов, принадлежащих элементарной ячейке, рассматриваемой в простран* ственных координатных осях. Базис простой кубической решетки (0,0,0), ОЦК — (0,0,0; 1/2,1/2,1/2), ГЦК — (0,0,0; 1/2,0,1/2; 0,1/2,1/2; 1/2,1/2,0).

Пространственное положение кристаллографических плоскостей (плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кри* сталлической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами.

Индексы плоскости — это три целых числа, заключенных в круглые скобки и представляющих собой приведенные к целым числам значе* ния обратных величин отрезков, отсекаемых плоскостью на осях x, y, z. За единицы длины принимают параметры решетки a, b, c. Напри* мер, плоскость, включающая пространственные диагонали куба, име* ет индексы (101). Если плоскость отсекает отрицательные отрезки, то знак минус ставится над соответствующим индексом. Кристаллогра* фические индексы отражают положение не только данной плоскости, но целого семейства плоскостей, ей параллельных.

Индексы направлений — это три числа, заключенных в квадратные скобки и представляющих собой приведенные к целым значениям координаты любой точки направления после его параллельного пере* носа в начало координат. За единицы длины принимают параметры кристаллической решетки. Например, направление, совпадающее с пространственной диагональю куба, имеет индексы [111]. Если на* правление имеет отрицательные координаты, то над соответствую* щим индексом ставится знак минус.

В различных направлениях кристаллической решетки плотность расположения атомов различна, что влечет за собой различие в свой* ствах кристалла в зависимости от направления, в котором это свойст* во измерено — анизотропию. В поликристаллических телах в пределах отдельных зерен наблюдается явление анизотропии. Однако, по* скольку ориентация кристаллической решетки в различных зернах различна, в целом по куску материала свойства усредняются. Поэто* му реальные металлы являются изотропными, т.е. телами с примерно одинаковыми свойствами по всем направлениям. Поскольку их изо* тропность является не истинной, а усредненной, то их принято назы* вать квазиизотропными. Если каким*либо способом, например давле* нием, сориентировать кристаллические решетки в зернах одинаково (создать текстуру деформации), то такое поликристаллическое тело станет анизотропным.

ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА

25

 

 

Реальные кристаллы всегда содержат дефекты — искажения пра* вильного расположения атомов в пространстве. Различают точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты.

Точечные дефекты по размерам сравнимы с межатомными рас* стояниями. К ним относятся вакансии (отсутствие атома в узле кри* сталлической решетки), межузельные или дислоцированные атомы (атом находится в межузельном пространстве кристаллической ре* шетки) и примесные атомы. Среди последних различают атомы заме* щения (чужеродный атом занимает место в узле кристаллической ре* шетки) и атомы внедрения (чужеродный атом находится в межузель* ном пространстве решетки).

Линейные дефекты по размерам в двух направлениях сравнимы с межатомными расстояниями, а в третьем простираются на многие тысячи периодов кристаллической решетки. Важнейшими видами линейных несовершенств являются краевые (линейные) и винтовые дислокации.

Образование краевых дислокаций вызвано присутствием в кристал* лической решетке неполных кристаллографических плоскостей. Та* кие полуплоскости, не имеющие продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки, называются экстраплоскостями. Краевая дислокация представляет собой область упругих искажений, проходящих вдоль края экстраплоскости. Различают положительные и отрицательные дислокации. Положительная дислокация (ее отме* чают знаком ) возникает, если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, если в нижней — отрицательная (ее отмечают зна* ком ).

Винтовая дислокация — это область упругих искажений кристалли* ческой решетки, проходящая вдоль линии, вокруг которой атомные плоскости изогнуты по винтовой поверхности. В зависимости от на* правления изгиба различают правые и левые винтовые дислокации.

Дислокации (краевые и винтовые) не могут обрываться внутри кристалла. Они выходят на границы кристалла, прерываются другими дислокациями или образуют дислокационные петли.

Поверхностные дефекты малы только в одном направлении. Они представляют собой упругие искажения кристаллической решетки по границам зерен или их фрагментов (блоков мозаичной структуры). Различают большеугловые (высокоугловые) и малоугловые (низкоуг* ловые) границы.

Большеугловые границы представляют собой области в несколько периодов кристаллической решетки, на протяжении которых решетка одной кристаллографической ориентации переходит в решетку дру* гой ориентации. Такое строение имеют межзеренные границы.

26 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ

Малоугловые границы представляют собой цепочки дислокаций (дислокационные стенки), отделяющие одну часть кристаллической решетки от другой (один блок мозаичной структуры от другого). Плотность расположения дислокаций зависит от угла между кристал* лографическими плоскостями в соседних блоках. Чем угол больше (в пределах до нескольких угловых градусов), тем чаще расположены дислокации.

Объемные дефекты представляют собой искажения решетки, вы* званные наличием пор, трещин, раковин и других макронарушений непрерывности кристаллической решетки.

Вопросы тестов к разделу 1.2.2

№ 18. Что такое элементарная кристаллическая ячейка?

A) Тип кристаллической решетки, характерный для данного хими* ческого элемента. B) Минимальный объем кристаллической решет* ки, при трансляции которого по координатным осям можно воспро* извести всю решетку. C) Кристаллическая ячейка, содержащая один атом. D) Бездефектная (за исключением точечных дефектов) область кристаллической решетки.

№ 19. Что такое базис кристаллической решетки?

A) Минимальный объем кристаллической решетки, при трансля* ции которого по координатным осям можно воспроизвести всю ре* шетку. B) Расстояние между соседними одноименными кристалличе* скими плоскостями. C) Число атомов, находящихся на наименьшем равном расстоянии от любого данного атома. D) Совокупность значе* ний координат всех атомов, входящих в элементарную ячейку.

№ 20. Какие из представленных на рис. 2 элементарных ячеек кристаллических решеток относятся к простым?

A) A и D. B) B и C. C) A и C. D) B и D.

Рис. 2

ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА

27

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3

Рис. 4

21. Сколько атомов принадлежит представленной на рис. 3 эле* ментарной ячейке?

A)8. B) 6. C) 4. D) 14.

22. Какую структуру кристаллической решетки имеет медь при комнатной температуре?

A)ОЦК. B) ГЦК. C) ГПУ. D) Аморфное строение.

23. Какую структуру кристаллической решетки имеет титан при комнатной температуре?

A)ОЦК. B) ГЦК. C) ГПУ. D) Аморфное строение.

24. Какова химическая формула сплава, кристаллическая ре* шетка которого представлена на рис. 4?

A)A2B. B) A8B. C) A4B. D) AB.

25. Как называется свойство, состоящее в способности вещест* ва существовать в различных кристаллических модификациях?

A)Полиморфизм. B) Изомерия. C) Анизотропия. D) Текстура.

26. Как называется характеристика кристаллической решетки, определяющая число атомов, находящихся на наименьшем равном расстоянии от любого данного атома?

A)Базис решетки. B) Параметр решетки. C) Коэффициент ком* пактности. D) Координационное число.

27. Каково координационное число кри*

сталлической решетки, элементарная ячейка которой представлена на рис. 5?

A) К8. B) К12. C) К6. D) Г12.

№ 28. Почему вещества, обладающие кри* сталлической решеткой, представленного на рис. 6 типа, не образуют растворов внедрения

с высокой

концентрацией растворенного

компонента?

Рис. 5

28 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ

A) Из*за наличия в решетке доли кова* лентной связи. B) В решетке нет крупных пор для размещения атомов примеси. C) Ре* шетка обладает высокой степенью компакт* ности. D) Подобные решетки образуют вы* сококонцентрированные растворы.

 

№ 29. Какое из изменений характеристик

 

кристаллической решетки приведет к росту

Рис. 6

плотности вещества?

 

 

A)

Увеличение

параметров

решетки.

 

 

B) Уменьшение количества пор в элементар*

ной ячейке. C) Увеличение числа атомов в ячейке. D) Увеличение ко*

ординационного числа.

 

 

 

 

30. Как называется характеристика кристаллической решетки, определяющая отношение объема атомов, приходящихся на элемен* тарную ячейку, к объему ячейки?

A)Коэффициент компактности. B) Координационное число. C) Ба* зис решетки. D) Параметр решетки.

31. Каковы индексы кристаллографического направления ОB (рис. 7)?

A)[121]. B) [ 121]. C) [122]. D) [0,5; 1; 0,5].

32. Каковы кристаллографические индексы заштрихованной плоскости (рис. 8)?

A)(111). B) (011). C) (220). D) (100).

33. Каковы кристаллографические индексы плоскости ABC (рис. 9)?

Рис. 7

Рис. 8

ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА

29

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 9

Рис. 10

A) (2 1 4). B) (2 4 1). C) (1 2 1/2). D) (1 1/2 2).

34. Как называется явление, заключающееся в неоднородно* сти свойств материала в различных кристаллографических направ* лениях?

A) Изотропность. B) Анизотропия. C) Текстура. D) Полимор* физм.

35. Какие тела обладают анизотропией?

A) Текстурованные поликристаллические материалы. B) Ферромаг* нитные материалы. C) Поликристаллические вещества. D) Аморфные материалы.

№ 36. Какие тела обладают анизотропией?

A) Парамагнетики. B) Монокристаллы. C) Вещества, обладающие полиморфизмом. D) Переохлажденные жидкости.

37. К какой группе дефектов кристаллических структур можно отнести дефект представленного на рис. 10 фрагмента кристалличе* ской решетки?

A)К точечным. B) К линейным. C) К поверхностным. D) К объем*

ным.

38. Какую группу дефектов представляют собой искажения, ох* ватывающие области в радиусе 6–7 периодов кристаллической ре* шетки?

A)Поверхностные. B) Объемные. C) Точечные. D) Линейные.

39. Как называется дефект, вызванный отсутствием атома в узле кристаллической решетки?

A)Дислокация. B) Пора. C) Вакансия. D) Межузельный атом.

30 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ

Рис. 11

Рис. 12

№ 40. Какого рода дефект кристаллической структуры представ* лен на рис. 11?

A) Примесный атом внедрения. B) Межузельный атом. C) При* месный атом замещения. D) Вакансия.

41. Как называется элемент кристаллической структуры, поме* ченный на рис. 12 знаком вопроса?

A)Плоскость скольжения. B) Краевая дислокация. C) Цепочка межузельных атомов. D) Экстраплоскость.

42. Как называются дефекты, измеряемые в двух направлениях несколькими периодами, а в третьем — десятками и сотнями тысяч периодов кристаллической решетки?

A)Межузельные атомы. B) Поверхностные дефекты. C) Дислока* ции. D) Микротрещины.

43. Что такое экстраплоскость?

A)Плоскость раздела фрагментов зерна или блоков мозаичной струк* туры. B) Поверхностный дефект кристаллической решетки. C) Атомная полуплоскость, не имеющая продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки. D) Атомная плоскость, по которой происхо* дит скольжение одной части кристалла относительно другой.

44. Как называется дефект, представляющий собой область ис* кажений кристаллической решетки вдоль края экстраплоскости?

A)Краевая дислокация. B) Цепочка вакансий. C) Микротрещина.

D)Винтовая дислокация.

45. «... представляет собой переходную область в 3–4 периода от кристаллической решетки одной ориентации к решетке другой ориентации». О какой структуре идет речь?