bogodukhov_s_i_sinyukhin_a_v_kozik_e_s_kurs_materialovedeniy
.pdfОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА |
21 |
|
|
№4. C) Неверно. В группу редкоземельных металлов входят лан* таноиды и сходные с ними иттрий и скандий. Вольфрам к лантанои* дам не относится.
№5. C) Правильно.
№6. C) Правильно.
№7. C) Неверно. Sn относят к легкоплавким металлам (tпл
232 °С), к тому же по плотности олово лишь немного уступает железу.
№8. C) Неверно. Низкую температуру плавления имеет только сурьма (630 °С), а у Ni она достаточно высока (1453 °С). Никель отно* сят к металлам железной группы.
№9. C) Правильно.
№10. C) Правильно.
№11. C) Неверно. Анизотропия свойственна всем кристалличе* ским телам, в том числе и с направленными межатомными связями.
№12. C) Неверно.
№13. C) Неверно. Неметаллический материал графит обладает электропроводностью, сравнимой с электропроводностью металлов.
№14. C) Для меди действительно характерна прямая зависимость электросопротивления от температуры, однако так ведет себя не только медь. Ищите более полный ответ.
№15. C) Правильно.
№16. C) Неверно. Дрейф электронов обусловливает электриче* ский ток в среде. Перенос же тепла наблюдается и в отсутствие элек* трического тока.
№17. C) Неверно. Домены связаны с кристаллической структурой ферромагнетиков, но дефектами ее не являются.
Позиция D
№1. D) Неверно. По удельной прочности классифицируют конст* рукционные материалы. К тому же такие материалы, как сплавы ти* тана, бериллия и особенно композиты, обладают более высокой удельной прочностью, чем сплавы на основе железа.
№2. D) Неверно. Дуралюмины — это цветные сплавы на основе алюминия.
№3. D) Неверно. К редкоземельным относят металлы группы лантана — лантаноиды (Ce, Pr, Nd, Sm и др.), а также иттрий (Y) и скандий (Sc). Большинство РЗМ имеют tпл ниже, чем у железа.
№4. D) Правильно.
№5. D) Неверно. К тугоплавким относятся металлы с температу* рой плавления выше tпл железа.
№6. D) Неверно. К редкоземельным относятся металлы группы лантана, иттрий и скандий. Магний в группу лантана не входит.
22КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ
№7. D) Правильно.
№8. D) Неверно. Низкую температуру плавления имеет только Zn (420 °С), а у Co она достаточно высока (1493 °С). Кобальт относят к металлам железной группы.
№9. D) Неверно. Золото — благородный металл, никель — цвет* ной металл.
№10. D) Неверно. Направленность связей характерна для кова* лентных кристаллов, например, для углерода, кремния. Металличе* ская связь ненаправленная.
№№ 11–13. D) Правильно.
№14. D) Неверно. Для полупроводников характерна обратная за* висимость электросопротивления от температуры.
№15. D) Для полупроводниковых материалов действительно ха* рактерна обратная зависимость электросопротивления от температу* ры. Однако такая взаимосвязь существует для более широкого круга материалов. Ищите более полный ответ.
№16. D) Неверно. Нескомпенсированность собственных (спино* вых) моментов электронов характерна для парамагнетиков. Парамаг* нетизм наблюдается как у металлов, так и у неметаллических мате* риалов. Последние обладают невысокой теплопроводностью.
№17. D) Неверно. Практически бездефектные участки металли* ческого зерна называют блоками мозаичной структуры.
1.2.2. Кристаллическое строение металлов и дефекты кристаллических структур
Все металлы — кристаллические материалы. Положительно заря* женные ионы, образующие каркас металлического тела, совершают непрерывные тепловые колебания около точек, закономерно распо* ложенных в определенных местах пространства. Эти точки являются узлами воображаемой пространственной кристаллической решетки.
Наименьший объем кристалла, при трансляции которого по ко* ординатным осям воспроизводится вся кристаллическая решетка, называется элементарной кристаллической ячейкой. Ячейка характе* ризуется параметрами a, b и c — периодами кристаллической решет* ки (расстояниями между атомами, расположенными на ребрах ячей* ки, направленных по осям x, y и z соответственно) и углами между координатными осями — (между осями x и z), (между y и z),(между x и y).
Различают простые и сложные кристаллические решетки. В эле* ментарной ячейке простой решетки атомы (ионы) расположены толь* ко в вершинах образующего ячейку многогранника. В сложных — они могут находиться также внутри многогранника или на его гранях.
ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА |
23 |
|
|
Металлы имеют сложные кристаллические решетки. В большин* стве случаев — это кубическая объемно центрированная (ОЦК), кубиче ская гранецентрированная (ГЦК) и гексагональная плотноупакованная
(ГПУ).
В элементарной ячейке ОЦК атомы находятся в вершинах куба и внутри него, в точке пересечения пространственных диагоналей. В ячейке ГЦК атомы расположены в вершинах куба и в центре каждой грани. В ячейке ГПУ атомы находятся в вершинах правильной шести* гранной призмы, в центре каждого ее основания и, кроме того, три атома заключены внутри призмы.
Размеры элементарной ячейки определяются размерами образую* щих ее атомов. При этом полагают, что атомы, представляемые в виде жестких шаров, касаются друг друга в направлениях ячейки с наибо* лее плотным их расположением.
Во многих случаях в разных температурных интервалах один и тот же металл обладает различными кристаллическими решетками. Такое явление носит название полиморфизм или аллотропия.
Важными характеристиками кристаллической решетки являются коэффициент компактности, координационное число, базис.
Коэффициент компактности — это отношение объема принадле* жащих кристаллической ячейке атомов к объему всей ячейки. Следу* ет иметь в виду, что в кристаллической решетке часть атомов, состав* ляющих ячейку, относится не только к данной ячейке, но и к ячей* кам, находящимся по соседству. Например, атом, расположенный в вершине кубической ячейки (простая кубическая, ОЦК, ГЦК), при* надлежит еще семи соседним ячейкам, т.е. данной ячейке принадле* жит лишь 1/8 атома.
Коэффициент компактности простой кубической решетки равен 52 %, ОЦК — 68 %, ГЦК — 74 % (столь же компактна решетка ГПУ). Остальное пространство занято порами. В ячейке ГЦК в центре рас* положена крупная октаэдрическая пора с радиусом, равным 0,41 ра* диуса атома. В ячейке ОЦК больших пор нет. Поры, расположенные на ребрах ячейки, имеют радиус, равный 0,16 радиуса атома.
Координационное число — это число атомов, находящихся в кри* сталлической решетке на равном наименьшем расстоянии от данного атома. Каждый атом простой кубической решетки имеет 6 ближай* ших соседей, расположенных на расстоянии длины ребра куба (на расстоянии периода решетки). Координационное число такой решет* ки обозначают К6. В ОЦК*решетке у каждого атома 8 ближайших со* седей и координационное число равно 8 (К8). В ГЦК и ГПУ решетках каждый атом имеет 12 ближайших соседей. Соответственно коорди* национные числа К12 и Г12.
24 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ
Чем выше координационное число, тем плотнее пространственная кристаллическая решетка материала.
Базис кристаллической решетки — это таблица координат атомов, принадлежащих элементарной ячейке, рассматриваемой в простран* ственных координатных осях. Базис простой кубической решетки (0,0,0), ОЦК — (0,0,0; 1/2,1/2,1/2), ГЦК — (0,0,0; 1/2,0,1/2; 0,1/2,1/2; 1/2,1/2,0).
Пространственное положение кристаллографических плоскостей (плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кри* сталлической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами.
Индексы плоскости — это три целых числа, заключенных в круглые скобки и представляющих собой приведенные к целым числам значе* ния обратных величин отрезков, отсекаемых плоскостью на осях x, y, z. За единицы длины принимают параметры решетки a, b, c. Напри* мер, плоскость, включающая пространственные диагонали куба, име* ет индексы (101). Если плоскость отсекает отрицательные отрезки, то знак минус ставится над соответствующим индексом. Кристаллогра* фические индексы отражают положение не только данной плоскости, но целого семейства плоскостей, ей параллельных.
Индексы направлений — это три числа, заключенных в квадратные скобки и представляющих собой приведенные к целым значениям координаты любой точки направления после его параллельного пере* носа в начало координат. За единицы длины принимают параметры кристаллической решетки. Например, направление, совпадающее с пространственной диагональю куба, имеет индексы [111]. Если на* правление имеет отрицательные координаты, то над соответствую* щим индексом ставится знак минус.
В различных направлениях кристаллической решетки плотность расположения атомов различна, что влечет за собой различие в свой* ствах кристалла в зависимости от направления, в котором это свойст* во измерено — анизотропию. В поликристаллических телах в пределах отдельных зерен наблюдается явление анизотропии. Однако, по* скольку ориентация кристаллической решетки в различных зернах различна, в целом по куску материала свойства усредняются. Поэто* му реальные металлы являются изотропными, т.е. телами с примерно одинаковыми свойствами по всем направлениям. Поскольку их изо* тропность является не истинной, а усредненной, то их принято назы* вать квазиизотропными. Если каким*либо способом, например давле* нием, сориентировать кристаллические решетки в зернах одинаково (создать текстуру деформации), то такое поликристаллическое тело станет анизотропным.
ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА |
25 |
|
|
Реальные кристаллы всегда содержат дефекты — искажения пра* вильного расположения атомов в пространстве. Различают точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты.
Точечные дефекты по размерам сравнимы с межатомными рас* стояниями. К ним относятся вакансии (отсутствие атома в узле кри* сталлической решетки), межузельные или дислоцированные атомы (атом находится в межузельном пространстве кристаллической ре* шетки) и примесные атомы. Среди последних различают атомы заме* щения (чужеродный атом занимает место в узле кристаллической ре* шетки) и атомы внедрения (чужеродный атом находится в межузель* ном пространстве решетки).
Линейные дефекты по размерам в двух направлениях сравнимы с межатомными расстояниями, а в третьем простираются на многие тысячи периодов кристаллической решетки. Важнейшими видами линейных несовершенств являются краевые (линейные) и винтовые дислокации.
Образование краевых дислокаций вызвано присутствием в кристал* лической решетке неполных кристаллографических плоскостей. Та* кие полуплоскости, не имеющие продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки, называются экстраплоскостями. Краевая дислокация представляет собой область упругих искажений, проходящих вдоль края экстраплоскости. Различают положительные и отрицательные дислокации. Положительная дислокация (ее отме* чают знаком ) возникает, если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, если в нижней — отрицательная (ее отмечают зна* ком ).
Винтовая дислокация — это область упругих искажений кристалли* ческой решетки, проходящая вдоль линии, вокруг которой атомные плоскости изогнуты по винтовой поверхности. В зависимости от на* правления изгиба различают правые и левые винтовые дислокации.
Дислокации (краевые и винтовые) не могут обрываться внутри кристалла. Они выходят на границы кристалла, прерываются другими дислокациями или образуют дислокационные петли.
Поверхностные дефекты малы только в одном направлении. Они представляют собой упругие искажения кристаллической решетки по границам зерен или их фрагментов (блоков мозаичной структуры). Различают большеугловые (высокоугловые) и малоугловые (низкоуг* ловые) границы.
Большеугловые границы представляют собой области в несколько периодов кристаллической решетки, на протяжении которых решетка одной кристаллографической ориентации переходит в решетку дру* гой ориентации. Такое строение имеют межзеренные границы.
26 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ
Малоугловые границы представляют собой цепочки дислокаций (дислокационные стенки), отделяющие одну часть кристаллической решетки от другой (один блок мозаичной структуры от другого). Плотность расположения дислокаций зависит от угла между кристал* лографическими плоскостями в соседних блоках. Чем угол больше (в пределах до нескольких угловых градусов), тем чаще расположены дислокации.
Объемные дефекты представляют собой искажения решетки, вы* званные наличием пор, трещин, раковин и других макронарушений непрерывности кристаллической решетки.
Вопросы тестов к разделу 1.2.2
№ 18. Что такое элементарная кристаллическая ячейка?
A) Тип кристаллической решетки, характерный для данного хими* ческого элемента. B) Минимальный объем кристаллической решет* ки, при трансляции которого по координатным осям можно воспро* извести всю решетку. C) Кристаллическая ячейка, содержащая один атом. D) Бездефектная (за исключением точечных дефектов) область кристаллической решетки.
№ 19. Что такое базис кристаллической решетки?
A) Минимальный объем кристаллической решетки, при трансля* ции которого по координатным осям можно воспроизвести всю ре* шетку. B) Расстояние между соседними одноименными кристалличе* скими плоскостями. C) Число атомов, находящихся на наименьшем равном расстоянии от любого данного атома. D) Совокупность значе* ний координат всех атомов, входящих в элементарную ячейку.
№ 20. Какие из представленных на рис. 2 элементарных ячеек кристаллических решеток относятся к простым?
A) A и D. B) B и C. C) A и C. D) B и D.
Рис. 2
ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА |
27 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 3 |
Рис. 4 |
№21. Сколько атомов принадлежит представленной на рис. 3 эле* ментарной ячейке?
A)8. B) 6. C) 4. D) 14.
№22. Какую структуру кристаллической решетки имеет медь при комнатной температуре?
A)ОЦК. B) ГЦК. C) ГПУ. D) Аморфное строение.
№23. Какую структуру кристаллической решетки имеет титан при комнатной температуре?
A)ОЦК. B) ГЦК. C) ГПУ. D) Аморфное строение.
№24. Какова химическая формула сплава, кристаллическая ре* шетка которого представлена на рис. 4?
A)A2B. B) A8B. C) A4B. D) AB.
№25. Как называется свойство, состоящее в способности вещест* ва существовать в различных кристаллических модификациях?
A)Полиморфизм. B) Изомерия. C) Анизотропия. D) Текстура.
№26. Как называется характеристика кристаллической решетки, определяющая число атомов, находящихся на наименьшем равном расстоянии от любого данного атома?
A)Базис решетки. B) Параметр решетки. C) Коэффициент ком* пактности. D) Координационное число.
№27. Каково координационное число кри*
сталлической решетки, элементарная ячейка которой представлена на рис. 5?
A) К8. B) К12. C) К6. D) Г12.
№ 28. Почему вещества, обладающие кри* сталлической решеткой, представленного на рис. 6 типа, не образуют растворов внедрения
с высокой |
концентрацией растворенного |
компонента? |
Рис. 5 |
28 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ
A) Из*за наличия в решетке доли кова* лентной связи. B) В решетке нет крупных пор для размещения атомов примеси. C) Ре* шетка обладает высокой степенью компакт* ности. D) Подобные решетки образуют вы* сококонцентрированные растворы.
|
№ 29. Какое из изменений характеристик |
||||
|
кристаллической решетки приведет к росту |
||||
Рис. 6 |
плотности вещества? |
|
|
||
A) |
Увеличение |
параметров |
решетки. |
||
|
|||||
|
B) Уменьшение количества пор в элементар* |
||||
ной ячейке. C) Увеличение числа атомов в ячейке. D) Увеличение ко* |
|||||
ординационного числа. |
|
|
|
|
№30. Как называется характеристика кристаллической решетки, определяющая отношение объема атомов, приходящихся на элемен* тарную ячейку, к объему ячейки?
A)Коэффициент компактности. B) Координационное число. C) Ба* зис решетки. D) Параметр решетки.
№31. Каковы индексы кристаллографического направления ОB (рис. 7)?
A)[121]. B) [ 121]. C) [122]. D) [0,5; 1; 0,5].
№32. Каковы кристаллографические индексы заштрихованной плоскости (рис. 8)?
A)(111). B) (011). C) (220). D) (100).
№33. Каковы кристаллографические индексы плоскости ABC (рис. 9)?
Рис. 7 |
Рис. 8 |
ОБУЧАЮЩЕ*КОНТРОЛИРУЮЩАЯ ПРОГРАММА |
29 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 9 |
Рис. 10 |
A) (2 1 4). B) (2 4 1). C) (1 2 1/2). D) (1 1/2 2).
№34. Как называется явление, заключающееся в неоднородно* сти свойств материала в различных кристаллографических направ* лениях?
A) Изотропность. B) Анизотропия. C) Текстура. D) Полимор* физм.
№35. Какие тела обладают анизотропией?
A) Текстурованные поликристаллические материалы. B) Ферромаг* нитные материалы. C) Поликристаллические вещества. D) Аморфные материалы.
№ 36. Какие тела обладают анизотропией?
A) Парамагнетики. B) Монокристаллы. C) Вещества, обладающие полиморфизмом. D) Переохлажденные жидкости.
№37. К какой группе дефектов кристаллических структур можно отнести дефект представленного на рис. 10 фрагмента кристалличе* ской решетки?
A)К точечным. B) К линейным. C) К поверхностным. D) К объем*
ным.
№38. Какую группу дефектов представляют собой искажения, ох* ватывающие области в радиусе 6–7 периодов кристаллической ре* шетки?
A)Поверхностные. B) Объемные. C) Точечные. D) Линейные.
№39. Как называется дефект, вызванный отсутствием атома в узле кристаллической решетки?
A)Дислокация. B) Пора. C) Вакансия. D) Межузельный атом.
30 КУРС МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ В ВОПРОСАХ И ОТВЕТАХ
Рис. 11 |
Рис. 12 |
№ 40. Какого рода дефект кристаллической структуры представ* лен на рис. 11?
A) Примесный атом внедрения. B) Межузельный атом. C) При* месный атом замещения. D) Вакансия.
№41. Как называется элемент кристаллической структуры, поме* ченный на рис. 12 знаком вопроса?
A)Плоскость скольжения. B) Краевая дислокация. C) Цепочка межузельных атомов. D) Экстраплоскость.
№42. Как называются дефекты, измеряемые в двух направлениях несколькими периодами, а в третьем — десятками и сотнями тысяч периодов кристаллической решетки?
A)Межузельные атомы. B) Поверхностные дефекты. C) Дислока* ции. D) Микротрещины.
№43. Что такое экстраплоскость?
A)Плоскость раздела фрагментов зерна или блоков мозаичной струк* туры. B) Поверхностный дефект кристаллической решетки. C) Атомная полуплоскость, не имеющая продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки. D) Атомная плоскость, по которой происхо* дит скольжение одной части кристалла относительно другой.
№44. Как называется дефект, представляющий собой область ис* кажений кристаллической решетки вдоль края экстраплоскости?
A)Краевая дислокация. B) Цепочка вакансий. C) Микротрещина.
D)Винтовая дислокация.
№45. «... представляет собой переходную область в 3–4 периода от кристаллической решетки одной ориентации к решетке другой ориентации». О какой структуре идет речь?