- •Электроника
- •Содержание
- •1.1 Основы алгебры логики………………………………………………..5
- •1 Цифровые интегральные микросхемы
- •1.1 Основы алгебры логики
- •1.1.1 Основные определения
- •1.1.2 Некоторые логические функции и реализующие их логические элементы
- •1.1.3 Основные законы и соотношения алгебры логики
- •Сочетательный закон
- •Распределительный закон
- •1.2 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •1.2.1 Параметры цифровых интегральных микросхем (цимс), имеющие размерность напряжение.
- •1.2.2 Параметры, соответствующие размерности тока.
- •1.2.3 Параметры, имеющие размерность мощности.
- •1.3.2 Характеристики дтл.
- •1.4 Транзисторно – транзисторная логика.
- •1.5 Ттл со сложным инвертором.
- •1.6 Ттл с открытым коллекторным выходом.
- •1.7 Ттл с тремя состояниями на выходе
- •1.8 Транзисторно-транзисторная логика Шоттки
- •1.9 Комплиментарная мдп логика
- •2 Операционные усилители
- •2.1 Параметры и характеристики оу
- •2.3 Дифференциальный усилитель
- •2.4 Составной транзистор
- •2.5 Источник тока
- •2.6 Схема сдвига уровня
- •2.7 Эмиттерный повторитель
- •2.8 Инвертирующий усилитель на оу.
- •2.9 Неинвертирующий усилитель
- •3 Технологические основы производства полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.1 Подготовительные операции
- •3. 2 Эпитаксия
- •3.3 Термическое окисление
- •3.4 Литография
- •3.5 Легирование
- •3.5.2 Ионная имплантация.
- •3.6.1 Термическое (вакуумное) напыление.
- •3.6.2 Катодное напыление.
- •3.6.3 Ионно-плазменное напыление.
- •4 Полупроводниковые
- •4.1 Методы изоляции элементов в ппимс
- •4.1.1 Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
- •4.1.2 Резистивная изоляция.
- •4.1.3 Диэлектрическая изоляция
- •4.2 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.2.1 Этапы изготовления
- •4.2.2 Распределение примесей.
- •4.2.3 Эквивалентная схема.
- •4.3 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.4 Разновидности биполярных транзисторов
- •4.4.1 Многоэмиттерный транзистор.
- •4.4.2 Транзистор с барьером Шоттки.
- •4.4.3 Транзисторы р-n-р
- •4.5 Интегральные диоды
- •4.6 Полевые транзисторы
- •4.6.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •4.6.3 Мноп-транзистор.
- •4.7 Полупроводниковые резисторы
- •4.7.1 Диффузионные резисторы.
- •4.7.2 Ионно-легированные резисторы.
- •4.8 Полупроводниковые конденсаторы
- •5.1 Подложки гимс.
- •5.2 Резисторы.
- •5.3 Конденсаторы
- •5.4 Катушки индуктивности
Министерство Российской Федерации
по связи и информатизации
Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики
В.Л. Савиных
Электроника
Учебное пособие
для специальностей 071 700, 200 700,
200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400
Новосибирск
2004
УДК 621.382
Рассматривается принцип работы, характеристики и параметры цифровых и аналоговых микросхем. Кратко описываются технологические процессы, применяемые при изготовлении ИМС.
ктн, доц. В.Л. Савиных,
Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.
Кафедра технической электроники.
Ил. 58, табл. 18, список лит. 5 назв.
Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве
учебного пособия
@ Сибирский государственный
университет телекоммуникаций
и информатики, 2004 г.
Содержание
1 Цифровые интегральные микросхемы…………………………….….5
1.1 Основы алгебры логики………………………………………………..5
1.2 Параметры ЦИМС……………………………………………………...9
1.3 Диодно-транзисторная логика………………………………………..11
1.4 Транзисторно-транзисторная логика…………………………………14
1.5 ТТЛ со сложным инвертором…………………………………………16
1.6 ТТЛ с открытым коллекторным выходом……………………………18
1.7 ТТЛ с тремя состояниями на выходе…………………………………19
1.8 ТТЛШ…………………………………………………………………...20
1.9 КМДП…………………………………………………………………...21
2 Операционный усилитель……………………………………………25
2.1 Параметры и характеристики ОУ……………………………………25
2.2 Структура ОУ…………………………………………………………26
2.3 Дифференциальный усилитель………………………………………27
2.4 Составной транзистор………………………………………………..28
Источники тока……………………………………………………….29
Схема сдвига уровня…………………………………………………29
Эмиттерный повторитель…………………………………………….31
Инвертирующий усилитель на ОУ………………………………..…31
Неинвертирующий усилитель на ОУ……………………………..…32
Технологические основы производства ППИМС…………..………42
3.1 Подготовительные операции…………………………………..……..42
3.2 Эпитаксия……………………………………………………...………43
3.3 Термическое окисление………………………………………………44
3.4 Литография……………………………………………………….……46
Легирование……………………………………………………………49
Нанесение тонких пленок………………………………………….….53
Полупроводниковые ИМС…………………………………………….56
Методы изоляции элементов в ППИМС……………………………..58
Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор…………………60
Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор со скрытым слоем………………………………………………………………………64
Разновидности биполярных транзисторов………………………..…65
Интегральные диоды ………………………………………………....68
Полевые транзисторы ………………………………………………...70
Полупроводниковые резисторы………………………………………75
Полупроводниковые конденсаторы …………………..…………….78
Гибридные ИМС…………………………………………………...….81
Подложки ГИМС………………………………………………….…..81
Резисторы ……………………………………………………………....82
Конденсаторы…………………………………………………………..84
Катушки индуктивности………………………………………………85
Пленочные проводники и контактные площадки…………….…….85
Навесные компоненты…………………………………………………86
Методы формирования заданной конфигурации пленочных элементов ГИМС…………………………………………………………………….86
7 Литература……………………………………………………………….