Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Васильев Л.А. - Конспект лекций

.pdf
Скачиваний:
168
Добавлен:
03.03.2016
Размер:
1.4 Mб
Скачать

41

Полупроводниковые ИМС.

Биполярные ИМС. Все элементы выполнены в одном кристалле полупроводника:

транзисторы (n-p-n)

 

K

Б

Э

Б

К

 

n

 

n+

 

 

 

 

р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n+

 

 

 

 

 

р

 

 

 

Биполярный транзистор ИМС

 

 

К

 

 

 

 

 

 

n p

 

Э1 Э2 Э3 Э4 К

Э4

n+

n+

 

Э1

 

Э 3

 

p

 

 

 

n+

n+

 

Э2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

 

 

Б

 

 

 

 

Многоэмиттерный транзистор

диоды (транзисторы в диодном включении)

БК-Э Б-Э

пассивные элементы

р

n

р

_ +

р

n

р

а)

б)

Резистор (а) и конденсатор (б) полупроводниковой ИМС

42

Полевые ИМС.

МДПТ с индуцированным каналом (n-типа)

И З С

n+

n+

р

комплементарные транзисторы (пары МДПТ с каналами n- и р-типа

(КМДП)).

Пленочные ИМС. Все элементы – в виде пленок на диэлектрическом основании.

Гибридные ИМС. Пассивные элементы – в виде пленок, активные элементы – в виде навесных компонентов (дискретных элементов или бескорпусных полупроводниковых ИС).

6.3 Силовые интегральные модули

Силовые модули – интегральные схемы силовой электроники (сотни электрически связанных силовых компонентов (чипов) в одном кристалле).

Основа:

MOSFET (небольшая мощность);

IGBT (средние мощности);

GCT (большие мощности);

Применение: преобразовательные устройства.

Исполнения IGBT-модулей:

одноключевое;

двухключевое (полумостовая схема);

четырехключевое (однофазный мост);

шестиключевое (трехфазный мост).

43

Примеры схем силовых модулей:

Интеллектуальные силовые модули (ИСМ) – силовые модули со встроенными схемами управления (драйверами)

и защиты (снабберами).

По конструкции:

однокристальные ИСМ;

гибридные ИСМ.

6.4Оптоэлектронные приборы

Оптоэлектронные – приборы, производящие или использующие электромагнитное излучение в оптической части спектра.

Основные типы:

оптоизлучатели (светодиоды, лазеры);

фотоэлектрические приемники излучения (фотодиоды,

фототранзисторы, фототиристоры);

оптроны (оптоизлучатель и фотоприемник в одном корпусе).

Преимущества:

гальваническая развязка источника и приемника;

однонаправленность потока информации;

высокая помехозащищенность.

44

6.4.1 Светоизлучающие диоды

Принцип работы: фотонная рекомбинация носителей заряда.

R

Излучение: +

в видимом спектре;

в инфракрасном спектре.

E

Применение: малоинерционные - источники излучения.

6.4.2 Фотодиоды

Принцип работы: изменение электропроводности под действием светового потока.

R

Iобр = f (Ф)

Iпр

+

 

 

E

Ф = 0

0

 

U

-

Ф1

 

 

Ф

I обр

 

2

Применение: приемники оптического излучения.

6.4.3 Фототранзисторы

.

 

Iк

Ф4

 

VT

 

Ф3

 

Rн

Ф2

 

 

 

 

Е

Ф1

 

 

Ф=0

 

+

_

Uкэ

 

Вместо тока базы – световой поток, воздействующий на область базы.

45

6.4.4

Фототиристоры

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

VS

 

Rн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

Ф2

Ф1

Ф=0

 

_

0

 

U

 

 

+

 

Действие светового потока аналогично действию тока управляющего электрода обычного тиристора.

6.4.5Оптроны

Воптроне конструктивно объединены источник и приемник излучения:

Принцип работы:

46

Раздел 2

ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА

Лекция 7 ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

7.1 Общие сведения

Усилители – устройства, в которых маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку.

По усиливаемым сигналам:

усилители гармонических сигналов;

усилители импульсных сигналов.

Усилительный каскад – простейшая ячейка, осуществляющая усиление.

Основные параметры:

коэффициенты усиления

КU = Uвых / Uвх; КI = Iвых / Iвх; КР = Pвых / Pвх = КU КI;

входное и выходное сопротивления Rвх и Rвых;

выходная мощность Pвых;

КПД η = (Pвых / P0) 100 %;

частотный диапазон (полоса пропускания) f.

Основная характеристика усилителя – амплитудно-частотная (АЧХ).

Типы усилителей (в зависимости от вида АЧХ):

постоянного тока ( f от 0 до 104–108 Гц);

низкой частоты ( f от 101 до 105 Гц);

высокой частоты ( f от 104 до 108 Гц);

широкополосные ( f от 101 до 108 Гц);

узкополосные.

47

7.2Принцип действия

энергия источника постоянного тока преобразуется в энергию переменного тока выходной цепи за счет изменения сопротивления транзистора по закону, задаваемому входным сигналом.

E

i

Im

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

R

 

IП

 

0

 

t

VT

uВЫХ

 

 

uВЫХ

U

 

uВХ

m

 

 

 

0

 

UП

 

 

t

Im ≤ Iп , Um ≤ Uп

Uп и Iп определяют режим покоя (электрическое состояние схемы при отсутствии входного сигнала).

7.3 Каскад с общим эмиттером

 

 

 

 

EK

R

iК

R

CP2

 

1

 

K

 

 

 

 

 

CP1

iБ

 

 

 

 

VT

 

 

 

 

 

 

uВХ

 

 

R

uВЫХ

iЭ

 

 

Н

 

 

 

R2

 

 

 

 

RЭ CЭ

 

 

 

 

48

Режим покоя:

Uкэ = Ек Iк (Rк + Rэ)

 

 

IК

 

 

 

IК ДОП

 

 

 

 

ЛН ~

 

EК / (RК+RЭ)

C

 

 

 

 

IКП

A

IБП

 

 

ЛН -

 

 

 

B

IБ=0

 

0

 

UКЭ

 

UКЭП

EК

 

 

IКП(RК || RН)

 

Координаты точки покоя: Iбп, Iкп, Uкэп и Uбэп.

 

Выбор точки покоя:

1)фиксированным током базы Iбп;

2)напряжением смещения на базе Uбэп.

Стабилизация режима покоя – за счет отрицательной обратной связи (ООС) по выходному току транзистора:

 

 

 

Uбэ UR UR .

 

 

 

 

 

 

2

э

Режим усиления:

Iк = Uкэ / (Rк || Rн )

iк = – uвых /(Rк || Rн );

iк = h21э iб;

 

iб = uвх /(RГ + Rвх);

Коэффициент усиления:

КU

 

uвых

 

h21Э

Rн ||Rк

.

uвх

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RГ Rвх

Rвх = R1 || R2 || h11Э,

 

Rвых Rк .

При отсутствии Сэ : К

 

 

Rн ||

Rк

.

 

 

Uос

 

 

 

Rэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

49

Характеристики каскада с ОЭ

 

АЧХ: |KU | = f ( f );

ФЧХ: |KU | = f (φ)

 

KU

 

 

 

KU0

 

 

0,707KU0

 

 

а)

 

f

 

0

fн

 

fв

 

 

 

fср

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б)

0

fн

f

 

 

fв

 

 

 

 

 

 

 

7.4 Каскад с общим коллектором (ЭП)

 

 

 

 

 

EK

 

R1

 

iК

 

C

iБ

 

 

P1

 

 

VT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CP2

uВХ

 

 

 

iЭ

RН

 

R

 

 

 

 

2

 

 

uВЫХ

 

 

 

 

RЭ

 

 

 

 

 

Uбэ = Uвх Uвых – глубокая ООС.

В режиме усиления Uбэ > 0, т.е. Uвых < Uвх и КU < 1.

Свойства: Rвх > 1 МОм; Rвых ≤ единиц Ом.

Применение: согласующие каскады, выходные каскады усилителя.

50

7.5 Каскады усиления на полевых транзисторах

Каскад с общим истоком

 

 

 

 

EС

R1

iС

RС

CP2

 

 

 

 

 

CP1

 

 

 

 

 

 

VT

 

 

uВХ

iИ

 

RН

uВЫХ

R2

 

 

 

 

RИ CИ

 

 

 

 

Выбор точки покоя:

1)смещением за счет падения напряжения на Rи: Uзи п = Iс пRи (в ПТУП и ПТВК);

2)напряжением смещения на затворе с делителя R1, R2 (в ПТИК).

Коэффициент усиления: К

U

 

SRси Rн

|| Rс

 

μ Rн ||

Rс

.

 

 

 

 

 

 

R R

н

|| R

R R

н

|| R

 

 

 

си

 

с

си

с

Rвх R1 || R2 ;

Rвых Rс.

 

 

 

 

Каскад с общим стоком (истоковый повторитель)

 

 

 

 

 

EС

R1

iС

RС

 

 

CP1

 

 

 

 

 

 

 

 

VT

CP2

 

 

 

 

 

 

uВХ

 

iИ

 

RН

uВЫХ

R

2

 

 

RИ