Васильев Л.А. - Конспект лекций
.pdf41
Полупроводниковые ИМС.
Биполярные ИМС. Все элементы выполнены в одном кристалле полупроводника:
транзисторы (n-p-n)
|
K |
Б |
Э |
Б |
К |
|
n |
|
n+ |
|
|
|
|
р |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n+ |
|
|
|
|
|
р |
|
|
|
Биполярный транзистор ИМС |
||||
|
|
К |
|
|
|
|
|
|
n p |
|
Э1 Э2 Э3 Э4 К |
Э4 |
n+ |
n+ |
|
Э1 |
|
Э 3 |
|
p |
|
|
|
n+ |
n+ |
|
Э2 |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
Б |
|
|
Б |
|
|
|
|
Многоэмиттерный транзистор |
диоды (транзисторы в диодном включении)
БК-Э Б-Э
пассивные элементы
р |
n |
р |
_ +
р |
n |
р |
а) |
б) |
Резистор (а) и конденсатор (б) полупроводниковой ИМС
42
Полевые ИМС.
МДПТ с индуцированным каналом (n-типа)
И З С
n+ |
n+ |
р
комплементарные транзисторы (пары МДПТ с каналами n- и р-типа
(КМДП)).
Пленочные ИМС. Все элементы – в виде пленок на диэлектрическом основании.
Гибридные ИМС. Пассивные элементы – в виде пленок, активные элементы – в виде навесных компонентов (дискретных элементов или бескорпусных полупроводниковых ИС).
6.3 Силовые интегральные модули
Силовые модули – интегральные схемы силовой электроники (сотни электрически связанных силовых компонентов (чипов) в одном кристалле).
Основа:
MOSFET (небольшая мощность);
IGBT (средние мощности);
GCT (большие мощности);
Применение: преобразовательные устройства.
Исполнения IGBT-модулей:
одноключевое;
двухключевое (полумостовая схема);
четырехключевое (однофазный мост);
шестиключевое (трехфазный мост).
43
Примеры схем силовых модулей:
Интеллектуальные силовые модули (ИСМ) – силовые модули со встроенными схемами управления (драйверами)
и защиты (снабберами).
По конструкции:
однокристальные ИСМ;
гибридные ИСМ.
6.4Оптоэлектронные приборы
Оптоэлектронные – приборы, производящие или использующие электромагнитное излучение в оптической части спектра.
Основные типы:
оптоизлучатели (светодиоды, лазеры);
фотоэлектрические приемники излучения (фотодиоды,
фототранзисторы, фототиристоры);
оптроны (оптоизлучатель и фотоприемник в одном корпусе).
Преимущества:
гальваническая развязка источника и приемника;
однонаправленность потока информации;
высокая помехозащищенность.
44
6.4.1 Светоизлучающие диоды
Принцип работы: фотонная рекомбинация носителей заряда.
R
Излучение: +
в видимом спектре;
в инфракрасном спектре. |
E |
Применение: малоинерционные - источники излучения.
6.4.2 Фотодиоды
Принцип работы: изменение электропроводности под действием светового потока.
R |
Iобр = f (Ф) |
Iпр |
|
+ |
|
|
|
E |
Ф = 0 |
0 |
|
|
U |
||
- |
Ф1 |
||
|
|||
|
Ф |
I обр |
|
|
2 |
Применение: приемники оптического излучения.
6.4.3 Фототранзисторы
.
|
Iк |
Ф4 |
|
|
VT |
|
Ф3 |
|
|
Rн |
Ф2 |
|
||
|
|
|||
|
Е |
Ф1 |
|
|
|
Ф=0 |
|
||
+ |
_ |
Uкэ |
||
|
Вместо тока базы – световой поток, воздействующий на область базы.
45
6.4.4 |
Фототиристоры |
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
VS |
|
Rн |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E |
Ф2 |
Ф1 |
Ф=0 |
|
_ |
0 |
|
U |
|
|
|
+ |
|
Действие светового потока аналогично действию тока управляющего электрода обычного тиристора.
6.4.5Оптроны
Воптроне конструктивно объединены источник и приемник излучения:
Принцип работы:
46
Раздел 2
ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
Лекция 7 ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
7.1 Общие сведения
Усилители – устройства, в которых маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку.
По усиливаемым сигналам:
усилители гармонических сигналов;
усилители импульсных сигналов.
Усилительный каскад – простейшая ячейка, осуществляющая усиление.
Основные параметры:
коэффициенты усиления
КU = Uвых / Uвх; КI = Iвых / Iвх; КР = Pвых / Pвх = КU КI;
входное и выходное сопротивления Rвх и Rвых;
выходная мощность Pвых;
КПД η = (Pвых / P0) 100 %;
частотный диапазон (полоса пропускания) f.
Основная характеристика усилителя – амплитудно-частотная (АЧХ).
Типы усилителей (в зависимости от вида АЧХ):
постоянного тока ( f от 0 до 104–108 Гц);
низкой частоты ( f от 101 до 105 Гц);
высокой частоты ( f от 104 до 108 Гц);
широкополосные ( f от 101 до 108 Гц);
узкополосные.
47
7.2Принцип действия
энергия источника постоянного тока преобразуется в энергию переменного тока выходной цепи за счет изменения сопротивления транзистора по закону, задаваемому входным сигналом.
E |
i |
Im |
|
|
|
|
|||
|
i |
|
||
|
|
|
||
|
R |
|
IП |
|
|
0 |
|
t |
|
VT |
uВЫХ |
|
|
|
uВЫХ |
U |
|
||
uВХ |
m |
|||
|
|
|||
|
0 |
|
UП |
|
|
|
t |
Im ≤ Iп , Um ≤ Uп
Uп и Iп определяют режим покоя (электрическое состояние схемы при отсутствии входного сигнала).
7.3 Каскад с общим эмиттером
|
|
|
|
EK |
R |
iК |
R |
CP2 |
|
1 |
|
K |
|
|
|
|
|
|
|
CP1 |
iБ |
|
|
|
|
VT |
|
|
|
|
|
|
|
|
uВХ |
|
|
R |
uВЫХ |
iЭ |
|
|
Н |
|
|
|
|
||
R2 |
|
|
|
|
|
RЭ CЭ |
|
||
|
|
|
48
Режим покоя: |
Uкэ = Ек – Iк (Rк + Rэ) |
|
|
|
IК |
|
|
|
IК ДОП |
|
|
|
|
ЛН ~ |
|
EК / (RК+RЭ) |
C |
|
|
|
|
||
|
IКП |
A |
IБП |
|
|
ЛН - |
|
|
|
B |
IБ=0 |
|
0 |
|
UКЭ |
|
UКЭП |
EК |
|
|
|
IКП(RК || RН) |
|
Координаты точки покоя: Iбп, Iкп, Uкэп и Uбэп. |
|
Выбор точки покоя:
1)фиксированным током базы Iбп;
2)напряжением смещения на базе Uбэп.
Стабилизация режима покоя – за счет отрицательной обратной связи (ООС) по выходному току транзистора:
|
|
|
Uбэ UR UR . |
|||||||
|
|
|
|
|
|
2 |
э |
|||
Режим усиления: |
Iк = Uкэ / (Rк || Rн ) |
|||||||||
iк = – uвых /(Rк || Rн ); |
iк = h21э iб; |
|
iб = uвх /(RГ + Rвх); |
|||||||
Коэффициент усиления: |
КU |
|
uвых |
|
h21Э |
Rн ||Rк |
. |
|||
uвх |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
RГ Rвх |
||
Rвх = R1 || R2 || h11Э, |
|
Rвых ≈ Rк . |
||||||||
При отсутствии Сэ : К |
|
|
Rн || |
Rк |
. |
|
|
|||
Uос |
|
|
|
Rэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
49
Характеристики каскада с ОЭ |
|
||
АЧХ: |KU | = f ( f ); |
ФЧХ: |KU | = f (φ) |
||
|
KU |
|
|
|
KU0 |
|
|
0,707KU0 |
|
|
|
а) |
|
f |
|
|
0 |
fн |
|
|
fв |
||
|
|
|
fср |
|
|
f |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
б) |
0 |
fн |
f |
|
|
fв |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7.4 Каскад с общим коллектором (ЭП) |
|
|
|
|
|
EK |
|
R1 |
|
iК |
|
|
C |
iБ |
|
|
||
P1 |
|
|
VT |
||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
CP2 |
uВХ |
|
|
|
iЭ |
RН |
|
R |
|
|
||
|
|
2 |
|
|
uВЫХ |
|
|
|
|
RЭ |
|
|
|
|
|
|
Uбэ = Uвх – Uвых – глубокая ООС.
В режиме усиления Uбэ > 0, т.е. Uвых < Uвх и КU < 1.
Свойства: Rвх > 1 МОм; Rвых ≤ единиц Ом.
Применение: согласующие каскады, выходные каскады усилителя.
50
7.5 Каскады усиления на полевых транзисторах
Каскад с общим истоком
|
|
|
|
EС |
R1 |
iС |
RС |
CP2 |
|
|
|
|
|
|
CP1 |
|
|
|
|
|
|
VT |
|
|
uВХ |
iИ |
|
RН |
uВЫХ |
R2 |
|
|
|
|
|
RИ CИ |
|
||
|
|
|
Выбор точки покоя:
1)смещением за счет падения напряжения на Rи: Uзи п = Iс пRи (в ПТУП и ПТВК);
2)напряжением смещения на затворе с делителя R1, R2 (в ПТИК).
Коэффициент усиления: К |
U |
|
SRси Rн |
|| Rс |
|
μ Rн || |
Rс |
. |
|||
|
|
|
|
||||||||
|
|
R R |
н |
|| R |
R R |
н |
|| R |
||||
|
|
|
си |
|
с |
си |
с |
||||
Rвх R1 || R2 ; |
Rвых ≈ Rс. |
|
|
|
|
Каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
|
|
|
|
|
EС |
R1 |
iС |
RС |
|
|
|
CP1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
VT |
CP2 |
|
|
|
|
|
|
|
uВХ |
|
iИ |
|
RН |
uВЫХ |
R |
2 |
|
|||
|
RИ |
||||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|