Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Основы радиационных технологий . Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+ –p–p+ (p+–n–n+)- типа Методические указания

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
307.32 Кб
Скачать

4. ПРИМЕР ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАНИЯ

Задание

Определить режимы имплантации: энергии ионов (Е), дозы им- плантации (Q), плотности ионного тока (j) и длительности процессов имплантации (t) для ионов бора и фосфора при формировании струк- туры n+pn на кремнии. Рассчитать результирующий профиль им- плантированных атомов.

Параметры структуры:

глубина залегания фронтального легированного слоя: dn+ p = 0,1 мкм;

глубина залегания тыльного легированного слоя: d pp+ = 0,65 мкм;

средняя концентрация в ФЛС: NсрР = 4 1019 см–3;

средняя концентрация в ТЛС: NсрВ = 1 1016 см–3;

концентрация бора в исходной пластине р-типа проводимости:

NисхВ = 5 1014 см–3.

Коэффициенты использования примеси составляют: КВ = 0,8; КР = 0,98.

Решение

4.1. Определяем дозы имплантации ионов бора и фосфора по формулам (3.1) и (3.2):

QB = 1 1016 см–3

0,65 104

см

= 8,12 1011 см–2;

 

0,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

QP = 4 1019

см–3

0,1 104

см

4

1014 см–2.

0,98

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.2. Задавшись значением плотности тока j = 1 мкА см–2, опреде- ляем длительность процессов имплантации ионов бора по формуле

(3.3):

 

8,12 1011см2

 

8,12 1011 см2

tB =

 

=

 

= 0,135 с,

1 мкА см2

6 1012 см2 с1

tB = 0,135 с это неконтролируемое время имплантации.

10

Считаем, что процесс контролируется за tB = 10 с, поэтому рас- считываем jB по формуле

Q

8,12 1011см2

jB =

B

=

 

= 8,12 1010 см–2 с–1.

 

 

 

tB

10 с

Учитывая, что 1 мкА см–2 = 6 1012 см–2 с–1, определяем:

jB = 0,013 мкА см–2.

При имплантации ионов фосфора с плотностью тока jP = 1 мкА см–2 длительность процесса определяется по формуле (3.4) и составляет:

 

4 1014 см2

tP =

6 1012 см2 с1 = 67 с = 1,1 мин.

Таким образом, имплантация ионов бора проводится при плотно-

сти тока jB = 0,013 мкА см–2 за tB = 10 с, а имплантация фосфора при токе jP = 1 мкА см–2 за время tP = 1,1 мин.

4.3. Проводим подбор энергии ионов бора. Считаем, что заданное зна- чение d pp+ соответствует значению Rp + 3 Rp = 0,65 мкм. Пользуясь дан-

ными табл. 2.1, для ионов бора выбираем значения

RB

и

RB , соответст-

 

p

 

p

вующие ЕB = 100 кэВ, и получаем d pp+ = 0,524 + 0,087 3 = 0,763 мкм, что на 0,11 мкм больше, чем заданное значение d pp+ = 0,65 мкм.

Уменьшаем энергию ионов бора до ЕB = 75 кэВ и, проводя линейную

экстраполяцию зависимостей RB = f(E) и RB = f(E), с учетом данных

 

p

p

 

 

 

 

табл. 2.1 находим для Е = 75 кэВ : RB = 0,43 мкм,

RB

= 0,072 мкм,

 

p

 

 

p

 

 

тогда получаем RB

+ 3 RB = 0,43 + 0,216 = 0,646 (мкм), что удовле-

p

p

 

 

 

 

 

творительно соответствует заданной величине d pp+ .

 

 

Таким образом,

энергия ионов бора

ЕB

=

75

кэВ, а

доза

QB = 8,12 1011 см–2.

 

 

 

 

 

 

Найденные значения QB = 8,12 1011 см–2,

RpB

= 0,43 мкм и

RpB =

= 0,072 мкм подставляем в формулу

11

 

 

 

 

 

Q

 

 

 

 

 

1

x RрB 2

 

 

 

 

8,12 1011 см2

N(x) =

 

 

 

B

 

 

exp

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

B

2π

 

 

 

2

 

B

 

 

 

0,072 10

 

2 6,28

 

 

 

 

Rр

 

 

 

Rр

 

 

см

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 x − 0,43 2

 

 

 

 

 

 

 

1

x − 0,43

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 4,5 1016 exp

 

 

 

 

 

 

см–3,

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

2 0,072

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,072

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где х расстояние вглубь кристалла, мкм, по которому рассчитываем профиль распределения имплантированного бора.

Расчет может производиться в программе Math Cad 2001.

Для ввода математических выражений, выполнения тех или иных дей- ствий в системе Math Сad используются самые различные операторы.

Оператор это конструкция из специальных символов и операн- дов (меток).

Оператор определяет:

действие, которое должно выполняться при наличии тех или иных значений операндов;

сколько, где и какие операнды должны быть введены в оператор. Допустим, мы хотим присвоить значение 2,3 переменной х. Это

можно сделать несколькими способами:

1)щелкнуть по кнопке со знаками := (двоеточие и равно) на пане- ли инструментов Calculator…, после чего в месте расположения ви- зира появится шаблон присваивания

:=

Установить указатель «мыши» в левой метке и, введя переменную х, указать в правой метке значение 2,3, в результате получится

х := 2.3;

2)ввести операнд х: щелкнуть по кнопке со знаками := (двоеточие

иравно) на панели инструментов Calculator и получить

х :=

Ввести во вторую метку значение 2,3;

3) ввести операнд х: нажать комбинацию клавиш Shift+: (двоето- чие) и получить

х :=

После чего введем во вторую метку значение 2,3.

12

Функция это выражение, согласно которому проводятся некото- рые вычисления с аргументами и определяется его числовое значе- ние.

Аргументы функции это элементы, записываемые в круглых скобках через запятую после имени функции и входящие в состав выражения для данной функции. Аргументы могут быть постоянны- ми и переменными.

Функции в Math Сad могут быть встроенными и определяться пользователем.

Чтобы определить функцию, нужно:

ввести в рабочий документ имя функции и левую круглую скобку;

ввести список аргументов, отделяемых друг от друга запятыми,

изакончить его правой скобкой;

ввести двоеточие, что приведет к появлению знака присваива- ния := и следующего за ним поля ввода;

напечатать в поле ввода (в правой части) выражение, которое соответствует данной функции.

Например, определим функцию расчета профиля распределения атомов бора под именем N:

 

Q

 

 

1

x RрB 2

 

 

 

1 x 0,43

2

N(x):=

 

B

exp

 

 

 

 

 

= 4,5 1016

exp

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

RрB

2π

 

 

2

 

RрB

 

 

 

 

2

0,072

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вобщем случае все постоянные величины (за исключением числа π)

ипеременная х, используемые в выражении в поле ввода, должны быть или определены заранее, или входить в список аргументов.

Чтобы можно было вычислить функцию (выражение, зависящее от каких-либо переменных), значения переменных должны быть оп- ределены. Для этого нужно:

ввести имя переменной;

ввести двоеточие, что приведет к появлению знака присваива- ния := и следующего за ним поля ввода;

напечатать в поле ввода число или выражение. Math Сad вычис- лит соответствующее значение и присвоит его результат имени пе- ременной.

Для построения графика необходимо предварительно определить

диапазон изменения переменной уравнения, например 0÷1. Шаг из- менения переменной можно принять равным 0,01. Для ввода этой информации:

13

введите имя переменной;

нажмите комбинацию клавиш Shift+: (двоеточие). Появится знак присваивания;

введите начальное значение интервала (первое значение пере- менной), запятую и нажмите клавишу; (точка с запятой). Появятся дополнительные метки:

х:=0,■..■

введите в первую метку следующее (второе) значение перемен- ной, а во вторую ее конечное значение:

х:=0,0.01..1

Для построения графика нелинейного уравнения:

щелкните «мышью» в месте размещения графика. Появится ви- зир красный крестик;

нажмите комбинацию клавиш Shift+@ для ввода шаблона де- картова графика;

введите в метку на оси ординат имя нелинейного уравнения

N(x);

введите в метку на оси абсцисс имя переменной x;

щелкните «мышью» вне области графика, при этом появится изображение искомого графика.

Для возведения любого числа в степень, надо нажать shift+^ (га- лочка).

Чтобы можно было увидеть результат вычисления, нужно:

ввести в рабочий документ имя функции и левую круглую скобку;

ввести список аргументов, отделяемых друг от друга запятыми,

изакончить его правой скобкой;

ввести знак = (равно), что приведет к выводу на экран расчетно- го значения или таблицы значений.

Значения х варьируем в пределах от 0 до 0,8 мкм.

Результаты расчета представлены на рис. 4.1. Пересечение рас-

четного профиля с горизонтальной линией Nисх = 5 1014 см–3 соответ- ствует глубине залегания легированного бором слоя (0,65 мкм) от тыльной поверхности (где х = 0).

Колоколообразная форма профиля определяет еще одно пересечение с линией Nисх в приповерхностном слое на глубине х ≈ 0,13 мкм. Обрат- ный спад профиля распределения примеси негативно сказывается на характеристиках солнечного элемента. Устранение этого спада обычно достигается на этапе «разгонки» при отжиге за счет расплы- вания профиля и проведения отжига в окислительной среде, когда приповерхностный слой кремния входит в состав оксида.

14

Рис. 4.1. Профиль распределения имплантированных атомов бора

4.4. Для создания тонкого фронтального легированного слоя выби- раем энергию ионов фосфора ЕP = 30 кэВ, для которой Rp = 0,05 мкм и

Rp = 0,012 мкм (см. табл. 2.1). При этой энергии dn+ p = RpP + + 3 RpP = 0,086 мкм, т.е. примерно соответствует требуемому в за-

дании значению 0,1 мкм.

Выражение для профиля легирования после подстановки соответ- ствующих цифр будет иметь следующий вид:

15

N (x) =

4 1014

 

 

 

 

 

1

x 0,05

2

= 1,34 10

20

 

 

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

 

0,012

104 6,28

2

0,012

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 x 0,05

2

–3

 

 

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

 

(см

),

 

 

 

 

 

 

 

0,012

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где x расстояние от фронтальной поверхности, мкм.

Рис. 4.2. Профиль распределения имплантированных атомов фосфора

16

и d pp+ .

Профиль рассчитываем в программе Math Cad 2001. Результаты расчета показываем на рис. 4.2. Здесь также наблюдается некоторый обратный спад профиля распределения примеси, негативно влияю- щий на характеристики солнечного элемента. Этот спад устраняется на этапе «разгонки» при отжиге.

Из рис. 4.1 и 4.2 следует, что расчетный профиль соответствует заданным значениям dn+ p

Результаты выполнения задания

1. Режимы имплантации ионов бора при формировании фрон- тального легированного слоя:

ЕВ = 75 кэВ, QВ = 8,1 1011 см–2, jВ = 0,013 мкА см–2, tВ = 10 с.

2. Режимы имплантации ионов фосфора при формировании тыль- ного легированного слоя:

ЕР = 30 кэВ, QР = 4 1014 см–2, jP = 1 мкА см–2, tP = 67 с.

3. Точки пересечения профилей бора и фосфора с уровнем кон- центрации бора в базовой области Nисх соответствуют глубинам зале- гания соответствующих легированных слоев, а расчетные значения dn+ p и d pp+ достаточно точно соответствуют заданным.

17

ПОЛИСАН Андрей Андреевич АСТАХОВ Владимир Петрович

ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа

Методические указания

Редактор Г.С. Петренко

Компьютерная верстка М.А. Шамариной

Подписано в печать 13.02.07

Бумага офсетная

 

Формат 60 × 90 1/16

Печать офсетная

Уч.-изд. л. 1,12

Рег. 866

Тираж 100 экз.

Заказ 1259

 

 

 

Московский государственный институт стали и сплавов, 119049, Москва, Ленинский пр-т, 4

Издательство «Учеба» МИСиС, 117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9

Тел.: 954-73-94, 954-19-22

Отпечатано в типографии издательства «Учеба» МИСиС, 117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9

18

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]