Основы радиационных технологий . Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+ –p–p+ (p+–n–n+)- типа Методические указания
.pdf4. ПРИМЕР ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАНИЯ
Задание
Определить режимы имплантации: энергии ионов (Е), дозы им- плантации (Q), плотности ионного тока (j) и длительности процессов имплантации (t) для ионов бора и фосфора при формировании струк- туры n+–p–n на кремнии. Рассчитать результирующий профиль им- плантированных атомов.
Параметры структуры:
– глубина залегания фронтального легированного слоя: dn+ − p = 0,1 мкм;
– глубина залегания тыльного легированного слоя: d p− p+ = 0,65 мкм;
–средняя концентрация в ФЛС: NсрР = 4 1019 см–3;
–средняя концентрация в ТЛС: NсрВ = 1 1016 см–3;
–концентрация бора в исходной пластине р-типа проводимости:
NисхВ = 5 1014 см–3.
Коэффициенты использования примеси составляют: КВ = 0,8; КР = 0,98.
Решение
4.1. Определяем дозы имплантации ионов бора и фосфора по формулам (3.1) и (3.2):
QB = 1 1016 см–3 |
0,65 10−4 |
см |
= 8,12 1011 см–2; |
|||||
|
0,8 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
QP = 4 1019 |
см–3 |
0,1 10−4 |
см |
≈ 4 |
1014 см–2. |
|||
0,98 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
4.2. Задавшись значением плотности тока j = 1 мкА см–2, опреде- ляем длительность процессов имплантации ионов бора по формуле
(3.3):
|
8,12 1011см−2 |
|
8,12 1011 см−2 |
|
tB = |
|
= |
|
= 0,135 с, |
1 мкА см−2 |
6 1012 см−2 с−1 |
tB = 0,135 с – это неконтролируемое время имплантации.
10
Считаем, что процесс контролируется за tB = 10 с, поэтому рас- считываем jB по формуле
Q |
8,12 1011см−2 |
|||
jB = |
B |
= |
|
= 8,12 1010 см–2 с–1. |
|
||||
|
|
|||
tB |
10 с |
Учитывая, что 1 мкА см–2 = 6 1012 см–2 с–1, определяем:
jB = 0,013 мкА см–2.
При имплантации ионов фосфора с плотностью тока jP = 1 мкА см–2 длительность процесса определяется по формуле (3.4) и составляет:
|
4 1014 см−2 |
tP = |
6 1012 см−2 с−1 = 67 с = 1,1 мин. |
Таким образом, имплантация ионов бора проводится при плотно-
сти тока jB = 0,013 мкА см–2 за tB = 10 с, а имплантация фосфора – при токе jP = 1 мкА см–2 за время tP = 1,1 мин.
4.3. Проводим подбор энергии ионов бора. Считаем, что заданное зна- чение d p− p+ соответствует значению Rp + 3 Rp = 0,65 мкм. Пользуясь дан-
ными табл. 2.1, для ионов бора выбираем значения |
RB |
и |
RB , соответст- |
|
p |
|
p |
вующие ЕB = 100 кэВ, и получаем d p− p+ = 0,524 + 0,087 3 = 0,763 мкм, что на 0,11 мкм больше, чем заданное значение d p− p+ = 0,65 мкм.
Уменьшаем энергию ионов бора до ЕB = 75 кэВ и, проводя линейную
экстраполяцию зависимостей RB = f(E) и RB = f(E), с учетом данных |
||||||
|
p |
p |
|
|
|
|
табл. 2.1 находим для Е = 75 кэВ : RB = 0,43 мкм, |
RB |
= 0,072 мкм, |
||||
|
p |
|
|
p |
|
|
тогда получаем RB |
+ 3 RB = 0,43 + 0,216 = 0,646 (мкм), что удовле- |
|||||
p |
p |
|
|
|
|
|
творительно соответствует заданной величине d p− p+ . |
|
|
||||
Таким образом, |
энергия ионов бора |
ЕB |
= |
75 |
кэВ, а |
доза |
QB = 8,12 1011 см–2. |
|
|
|
|
|
|
Найденные значения QB = 8,12 1011 см–2, |
RpB |
= 0,43 мкм и |
RpB = |
= 0,072 мкм подставляем в формулу
11
|
|
|
|
|
Q |
|
|
|
|
|
1 |
x − RрB 2 |
|
|
|
|
8,12 1011 см−2 |
||||||||
N(x) = |
|
|
|
B |
|
|
exp − |
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
−4 |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
B |
2π |
|
|
|
2 |
|
B |
|
|
|
0,072 10 |
|
2 6,28 |
|||||||
|
|
|
|
Rр |
|
|
|
Rр |
|
|
см |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 x − 0,43 2 |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
x − 0,43 |
2 |
|||||||||||||
|
− |
|
|
|
|
|
|
|
|
= 4,5 1016 exp |
− |
|
|
|
|
|
|
см–3, |
|||||||
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
2 0,072 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,072 |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где х – расстояние вглубь кристалла, мкм, по которому рассчитываем профиль распределения имплантированного бора.
Расчет может производиться в программе Math Cad 2001.
Для ввода математических выражений, выполнения тех или иных дей- ствий в системе Math Сad используются самые различные операторы.
Оператор – это конструкция из специальных символов и операн- дов (меток).
Оператор определяет:
–действие, которое должно выполняться при наличии тех или иных значений операндов;
–сколько, где и какие операнды должны быть введены в оператор. Допустим, мы хотим присвоить значение 2,3 переменной х. Это
можно сделать несколькими способами:
1)щелкнуть по кнопке со знаками := (двоеточие и равно) на пане- ли инструментов Calculator…, после чего в месте расположения ви- зира появится шаблон присваивания
■ := ■
Установить указатель «мыши» в левой метке и, введя переменную х, указать в правой метке значение 2,3, в результате получится
х := 2.3;
2)ввести операнд х: щелкнуть по кнопке со знаками := (двоеточие
иравно) на панели инструментов Calculator и получить
х := ■
Ввести во вторую метку значение 2,3;
3) ввести операнд х: нажать комбинацию клавиш Shift+: (двоето- чие) и получить
х := ■
После чего введем во вторую метку значение 2,3.
12
Функция – это выражение, согласно которому проводятся некото- рые вычисления с аргументами и определяется его числовое значе- ние.
Аргументы функции – это элементы, записываемые в круглых скобках через запятую после имени функции и входящие в состав выражения для данной функции. Аргументы могут быть постоянны- ми и переменными.
Функции в Math Сad могут быть встроенными и определяться пользователем.
Чтобы определить функцию, нужно:
–ввести в рабочий документ имя функции и левую круглую скобку;
–ввести список аргументов, отделяемых друг от друга запятыми,
изакончить его правой скобкой;
–ввести двоеточие, что приведет к появлению знака присваива- ния := и следующего за ним поля ввода;
–напечатать в поле ввода (в правой части) выражение, которое соответствует данной функции.
Например, определим функцию расчета профиля распределения атомов бора под именем N:
|
Q |
|
|
1 |
x − RрB 2 |
|
|
|
1 x − 0,43 |
2 |
||||||||
N(x):= |
|
B |
exp |
− |
|
|
|
|
|
= 4,5 1016 |
exp |
− |
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
RрB |
2π |
|
|
2 |
|
RрB |
|
|
|
|
2 |
0,072 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вобщем случае все постоянные величины (за исключением числа π)
ипеременная х, используемые в выражении в поле ввода, должны быть или определены заранее, или входить в список аргументов.
Чтобы можно было вычислить функцию (выражение, зависящее от каких-либо переменных), значения переменных должны быть оп- ределены. Для этого нужно:
– ввести имя переменной;
– ввести двоеточие, что приведет к появлению знака присваива- ния := и следующего за ним поля ввода;
– напечатать в поле ввода число или выражение. Math Сad вычис- лит соответствующее значение и присвоит его результат имени пе- ременной.
Для построения графика необходимо предварительно определить
диапазон изменения переменной уравнения, например 0÷1. Шаг из- менения переменной можно принять равным 0,01. Для ввода этой информации:
13
–введите имя переменной;
–нажмите комбинацию клавиш Shift+: (двоеточие). Появится знак присваивания;
–введите начальное значение интервала (первое значение пере- менной), запятую и нажмите клавишу; (точка с запятой). Появятся дополнительные метки:
х:=0,■..■
–введите в первую метку следующее (второе) значение перемен- ной, а во вторую – ее конечное значение:
х:=0,0.01..1
Для построения графика нелинейного уравнения:
–щелкните «мышью» в месте размещения графика. Появится ви- зир – красный крестик;
–нажмите комбинацию клавиш Shift+@ для ввода шаблона де- картова графика;
–введите в метку на оси ординат имя нелинейного уравнения
N(x);
–введите в метку на оси абсцисс имя переменной x;
–щелкните «мышью» вне области графика, при этом появится изображение искомого графика.
Для возведения любого числа в степень, надо нажать shift+^ (га- лочка).
Чтобы можно было увидеть результат вычисления, нужно:
–ввести в рабочий документ имя функции и левую круглую скобку;
–ввести список аргументов, отделяемых друг от друга запятыми,
изакончить его правой скобкой;
–ввести знак = (равно), что приведет к выводу на экран расчетно- го значения или таблицы значений.
Значения х варьируем в пределах от 0 до 0,8 мкм.
Результаты расчета представлены на рис. 4.1. Пересечение рас-
четного профиля с горизонтальной линией Nисх = 5 1014 см–3 соответ- ствует глубине залегания легированного бором слоя (0,65 мкм) от тыльной поверхности (где х = 0).
Колоколообразная форма профиля определяет еще одно пересечение с линией Nисх в приповерхностном слое на глубине х ≈ 0,13 мкм. Обрат- ный спад профиля распределения примеси негативно сказывается на характеристиках солнечного элемента. Устранение этого спада обычно достигается на этапе «разгонки» при отжиге за счет расплы- вания профиля и проведения отжига в окислительной среде, когда приповерхностный слой кремния входит в состав оксида.
14
Рис. 4.1. Профиль распределения имплантированных атомов бора
4.4. Для создания тонкого фронтального легированного слоя выби- раем энергию ионов фосфора ЕP = 30 кэВ, для которой Rp = 0,05 мкм и
Rp = 0,012 мкм (см. табл. 2.1). При этой энергии dn+ − p = RpP + + 3 RpP = 0,086 мкм, т.е. примерно соответствует требуемому в за-
дании значению 0,1 мкм.
Выражение для профиля легирования после подстановки соответ- ствующих цифр будет иметь следующий вид:
15
N (x) = |
4 1014 |
|
|
|
|
|
− |
1 |
x − 0,05 |
2 |
= 1,34 10 |
20 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
exp |
|
|
|
|
|
|
|
||||
0,012 |
10−4 6,28 |
2 |
0,012 |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 x − 0,05 |
2 |
–3 |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
exp |
− |
|
|
|
|
|
|
|
(см |
), |
|
|
|
|
|
|
|
|
0,012 |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где x – расстояние от фронтальной поверхности, мкм.
Рис. 4.2. Профиль распределения имплантированных атомов фосфора
16
Профиль рассчитываем в программе Math Cad 2001. Результаты расчета показываем на рис. 4.2. Здесь также наблюдается некоторый обратный спад профиля распределения примеси, негативно влияю- щий на характеристики солнечного элемента. Этот спад устраняется на этапе «разгонки» при отжиге.
Из рис. 4.1 и 4.2 следует, что расчетный профиль соответствует заданным значениям dn+ − p
Результаты выполнения задания
1. Режимы имплантации ионов бора при формировании фрон- тального легированного слоя:
ЕВ = 75 кэВ, QВ = 8,1 1011 см–2, jВ = 0,013 мкА см–2, tВ = 10 с.
2. Режимы имплантации ионов фосфора при формировании тыль- ного легированного слоя:
ЕР = 30 кэВ, QР = 4 1014 см–2, jP = 1 мкА см–2, tP = 67 с.
3. Точки пересечения профилей бора и фосфора с уровнем кон- центрации бора в базовой области Nисх соответствуют глубинам зале- гания соответствующих легированных слоев, а расчетные значения dn+ − p и d p− p+ достаточно точно соответствуют заданным.
17
ПОЛИСАН Андрей Андреевич АСТАХОВ Владимир Петрович
ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа
Методические указания
Редактор Г.С. Петренко
Компьютерная верстка М.А. Шамариной
Подписано в печать 13.02.07 |
Бумага офсетная |
|
Формат 60 × 90 1/16 |
Печать офсетная |
Уч.-изд. л. 1,12 |
Рег. № 866 |
Тираж 100 экз. |
Заказ 1259 |
|
|
|
Московский государственный институт стали и сплавов, 119049, Москва, Ленинский пр-т, 4
Издательство «Учеба» МИСиС, 117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9
Тел.: 954-73-94, 954-19-22
Отпечатано в типографии издательства «Учеба» МИСиС, 117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9
18